Gd2O3, Ga2O3(Gd2O3), Y2O3, and Ga2O3, as high-k gate dielectrics on SiGe: A comparative study

Journal of Applied Physics

Volumn 90, Issue 8, 2001, Pages 4103-4107

  Pal, S ^a   Ray, S K ^a   Chakraborty, B R ^b   Lahiri, S K ^a   Bose, D N ^c  

^a INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (India)

^b NATIONAL PHYSICAL LABORATORY   (India)

^c Indian Institute of Technology   (India)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035886044     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1405134     Document Type: Article

References (21)

1. S. V. vandebroek, E. F. Crabbe, B. S. Meyerson, D. L. Harame, P. J. Restle, J. M. C. Stork, and J. B. Johnson. IEEE Trans. Electron Devices 41, 90 (1994).
2. K. K. Liou, P. Mei, U. Gennser, and E. S. Yang, Appl. Phys. Lett. 59, 1200 (1991).
3. S. S. Iyer, P. M. Solomon, V. P. Kesan, A. A. Bright, J. L. Freeouf, T. N. Nguyen, and A. C. Warren, IEEE Electron Device Lett. 12, 246 (1991).
4. Y. H. Wu, M. Y. Yang, Albert Chin, W. J. Chen, and C. M. Kwei, IEEE Electron Device Lett. 21, 341 (2000).
5. L. Manchanda, W. H. Lee, J. E. Bower, F. H. Baumann, W. L. Brown, C. J. Case, R. C. Keller, Y. O. Kim, E. J. Laskowski, M. D. Morris, R. L. Opila, P. J. Silverman, T. W. Sorsch, and G. R. Weber, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 1998 605.
6. I. C. Kizilyalli, P. K. Roy, F. H. Baumann, R. Y. Huang, D. K. Hwang, C. Chacon, R. Irwin, Y. Ma, and G. Alers, Technical Digest of the VLSI Symposium, 1998, 216.
7. S. A. Campbell, D. C. Gilmer, X. C. Wang, M. T. Hsieh, H. S. Kim, W. L. Gladfelter, and J. Yan, IEEE Trans. Electron Devices 44, 104 (1977).
8. G. D. Wilk and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 74, 2854 (1999).
9. G. D. Wilk and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 76, 112 (2000).
10. K. J. Hubbard and D. G. Schlom, J. Mater. Res. 11, 2757 (1996).
11. M. Passlack, E. F. Schubert, W. S. Hohson, M. Hong, N. Moriya, S. N. G. Chu, K. Konstadinidis, J. P. Mannaerts, M. L. Schhnoes, and G. J. Zydzik, J. Appl. Phys. 77, 686 (1995).
12. M. Passlack, M. Hong, J. P. Mannaerts, R. L. Opila, S. N. G. Chu, N. Moriya, F. Ren, and J. R. Kwo, IEEE Trans. Electron Devices 44, 214 (1997).
13. M. Hong, J. Kwo, A. R. Kortan, J. P. Mannerts, and A. M. Sergent, Science 283, 1897 (1999).
14. J. Kwo, M. Hong, A. R. Kortan, K. T. Queeney, Y. J. Chabal, J. P. Mannaerts, T. Boone, J. J. Krajewski, A. M. Sergent, and J. M. Rosamilia, Appl. Phys. Lett. 77, 130 (2000).
15. S. Pal, S. K. Ray, S. K. Lahiri, and D. N. Bose, Electron. Lett. 36, 2044, (2000).
16. J. Kwo, D. W. Murphy, M. Hong, J. P. Mannaerts, and A. M. Sergent, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1294 (1999).
17. B. Senapati, S. K. Samanta, S. Maikap, L. K. Bera, and C. K. Maiti, Appl. Phys. Lett. 77, 1840 (2000).
18. E. H. Nicollian and J. R. Brews, MOS Physics and Technology (Wiley, New York, 1982).
19. S. Maikap, L. K. Bera, S. K. Ray, and C. K. Maiti, Electron. Lett. 35, 1202 (1999).
20. W. A. Hill and C. C. Coleman, Solid-State Electron. 23, 987 (1980).
21. T. Ngai, W. J. Qi, R. Sharma, J. Fretwell, X. Chen, J. C. Lee, and S. Banerjee, Appl. Phys. Lett. 76, 502 (2000).