Transistors formed from a single lithography step using information encoded in topography

Small

Volumn 6, Issue 18, 2010, Pages 2050-2057

  Dickey, Michael D ^a   Russell, Kasey J ^b   Lipomi, Darren J ^a   Narayanamurti, Venkatesh ^b   Whitesides, George M ^a  

^a HARVARD UNIVERSITY   (United States)

^b HARVARD UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

3-D TOPOGRAPHY; 3D INFORMATION; ANGLE-DEPENDENT; COMPLEX STRUCTURE; ELECTRONIC COMPONENT; MICRO-LITHOGRAPHY; POLYMERIC RESIST; REPLICA MOLDING; SEQUENTIAL DEPOSITION; SHADOW EVAPORATION; SINGLE LAYER;

EVAPORATION; FABRICATION; PHOTORESISTS; PHYSICAL VAPOR DEPOSITION; THREE DIMENSIONAL; TOPOGRAPHY;

LITHOGRAPHY;

POLYMER;

ARTICLE; AUTOMATED PATTERN RECOGNITION; BIOLOGICAL MODEL; ELECTROPLATING INDUSTRY; INSTRUMENTATION; MATERIALS TESTING; METHODOLOGY; MICROTECHNOLOGY; NANOTECHNOLOGY; PRINTING; SEMICONDUCTOR; SURFACE PROPERTY; VOLATILIZATION;

ELECTROPLATING; MATERIALS TESTING; MICROTECHNOLOGY; MODELS, BIOLOGICAL; NANOTECHNOLOGY; PATTERN RECOGNITION, AUTOMATED; POLYMERS; PRINTING; SURFACE PROPERTIES; TRANSISTORS, ELECTRONIC; VOLATILIZATION;

EID: 77956894559     PISSN: 16136810     EISSN: 16136829     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/smll.201000554     Document Type: Article

References (66)

1. M. Colburn, S. Johnson, M. Stewart, S. Damle, T. C. Bailey, B. Choi, M. Wedlake, T. Michaelson, S. V. Sreenivasan, J. Ekerdt, C. G. Willson, Proc. SPIE-The International Society for Optical Engineering 1999, 3676, 379.
2. C. G. Willson, J. Photopolym. Sci. Technol. 2009, 22, 147.
3. S. Y. Chou, P. R. Krauss, P. J. Renstrom, Science 1996, 272, 85.
4. S. Y. Chou, MRS Bull. 2001, 26, 512.
5. Q. Xu, B. T. Mayers, M. Lahav, D. V. Vezenov, G. M. Whitesides, J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 854.
6. F. Hua, Y. Sun, A. Gaur, M. A. Meitl, L. Bilhaut, L. Rotkina, J. Wang, P. Geil, M. Shim, J. A. Rogers, A. Shim, Nano Lett. 2004, 4, 2467.
7. L. J. Guo, J. Phys. D:Appl. Phys. 2004, 37, R123.
8. E. A. Costner, M. W. Lin, W. L. Jen, C. G. Willson, Annu. Rev. Mater. Res. 2009, 39, 155.
9. H. Schift, J. Vac. Sci. Technol. B 2008, 26, 458.
10. Z. Racz, J. He, S. Srinivasan, W. Zhao, A. Seabaugh, K. Han, P. Ruchhoeft, J. Wolfe, J. Vac. Sci. Technol. B 2004, 22, 74.
11. S. Egger, A. Ilie, Y. Fu, J. Chongsathien, D.-J. Kang, M. E. Welland, Nano Lett. 2005, 5, 15.
12. A. R. Champagne, A. J. Couture, F. Kuemmeth, D. C. Ralph, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 1111.
13. R. Luthi, R. R. Schlittler, J. Brugger, P. Vettiger, M. E. Welland, J. K. Gimzewski, Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 1314.
14. M. M. Deshmukh, D. C. Ralph, M. Thomas, J. Silcox, Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 1631.
15. Y. Noguchi, T. Sekitani, T. Someya, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 133502/1-3
16. Y. X. Zhou, A. T. Johnson Jr., J. Hone, W. F. Smith, Nano Lett. 2003, 3, 1371.
17. O. Vazquez-Mena, G. Villanueva, V. Savu, K. Sidler, M. A. F. Van Den Boogaart, J. Brugger, Nano Lett. 2008, 8, 3675.
18. J. Kohler, M. Albrecht, C. R. Musil, E. Bucher, PhysicaE 1999, 4, 196
19. G. J. Dolan, Appl. Phys. Lett. 1977, 31, 337.
20. E. C. Jelks, G. L. Kerber, Appl. Phys. Lett. 1981, 38, 933
21. J. Bylander, T. Duty, P. Delsing, Nature 2005, 434, 361
22. Y. A. Pashkin, Y. Nakamura, J. S. Tsai, Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 132
23. T. Weimann, H. Wolf, H. Scherer, J. Niemeyer, V. A. Krupenin, Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 713
24. Y. Harada, D. B. Haviland, P. Delsing, C. D. Chen, T. Claeson, Appl. Phys. Lett. 1994, 65, 636.
25. U. K. W. M. J. N. R. Weber, Phys. Status Solidi a 1993, 136, K41.
26. D. E. Prober, M. D. Feuer, N. Giordano, Appl. Phys. Lett. 1980, 37, 94
27. E. C. Jelks, G. L. Kerber, H. A. Wilcox, Appl. Phys. Lett. 1979, 34, 28.
28. M. M. Hawkeye, M. J. Brett, J. Vac. Sci. Technol. A 2007, 25, 1317.
29. K. Robbie, M. J. Brett, J. Vac. Sci. Technol. A-Vac. Surf. Films 1997, 15, 1460.
30. K. Robbie, J. C. Sit, M. J. Brett, J. Vac. Sci. Technol. B 1998, 16, 1115.
31. Y. P. Zhao, D. X. Ye, G. C. Wang, T. M. Lu, Nano Lett. 2002, 2, 351.
32. O. Toader, S. John, Science 2001, 292, 1133.
33. G. Philipp, T. Weimann, P. Hinze, M. Burghard, J. Weis, Microelec-tron. Eng. 1999, 46, 157.
34. A. Javey, P. Qi, Q. Wang, H. Dai, Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A. 2004, 101, 13408.
35. L. B. Holdeman, R. C. Barber, J. L. Abita, J. Vac. Sci. Technol. B 1985, 3, 956.
36. J. Lefebvre, M. Radosavljevic, A. T. Johnson, Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 3828.
37. E. P. De Poortere, H. L. Stormer, L. M. Huang, S. J. Wind, S. O'Brien, M. Huang, J. Hone, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 143124/1-3.
38. T. Xu, R. M. Metzger, Nano Lett. 2002, 2, 1061.
39. J. Chung, K.-H. Lee, J. Lee, Nano Lett. 2003, 3, 1029.
40. H. Park, A. K. L. Lim, A. P. Alivisatos, J. Park, P. L. McEuen, Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 301.
41. M. D. Dickey, E. A. Weiss, E. J. Smythe, R. C. Chiechi, F. Capasso, G. M. Whitesides, ACS Nano 2008, 2, 800.
42. Y. D. Park, J. A. Caballero, A. Cabbibo, J. R. Childress, H. D. Hudspeth, T. J. Schultz, J. R. Sharifi, J. Appl. Phys. 1997, 81, 4717.
43. J.-C. Chiang, J.-G. Hwu, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 102902/1-3.
44. D. C. Flanders, J. Vac. Sci. Technol. 1979, 16, 1615.
45. C. Wang, S. Y. Chou, J. Vac. Sci. Technol. B 2009, 27, 2790.
46. Z. Yu, S. Y. Chou, Nano Lett. 2004, 4, 341.
47. J. Brugger, C. Andreoli, M. Despont, U. Drechsler, H. Rothuizen, P. Vettiger, Sens. Actuators A 1999, 76, 329.
48. T. Weimann, H. Scherer, V. A. Krupenin, F. Muller, J. Niemeyer, Microelectron. Eng. 2001, 57-58, 915.
49. E. T. T. Jones, O. M. Chyan, M. S. Wrighton, J. Am. Chem. Soc. 1987, 109, 5526.
50. S. E. Kubatkin, A. V. Danilov, A. L. Bogdanov, H. Olin, T. Claeson, Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 3604.
51. Q. Xu, J. Bao, R. M. Rioux, R. Perez-Castillejos, F. Capasso, G. M. Whitesides, Nano Lett. 2007, 7, 2800.
52. A. Kosiorek, W. Kandulski, P. Chudzinski, K. Kempa, M. Giersig, Nano Lett. 2004, 4, 1359.
53. R. Sordan, M. Burghard, K. Kern, Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 2073.
54. S. K. Yao, J. Appl. Phys. 1979, 50, 3390.
55. H. Ahn, K. J. Lee, W. R. Childs, J. A. Rogers, R. G. Nuzzo, A. Shim, J. Appl. Phys. 2006, 100, 084907/1-7.
56. S. M. Sze, K. K. Ng, Physics ofSemiconductor Devices. 3rd ed.; Wiley-Interscience, Hoboken, NJ, 2007; p. 31.
57. H. Ito, Adv. Polym. Sci. 2005, 172, 237.
58. O.-H. Park, J. Y. Cheng, M. W. Hart, T. Topuria, P. M. Rice, L. E. Krupp, R. D. Miller, H. Ito, H.-C. Kim, Adv. Mat. 2008, 20, 738.
59. A. Pandy, L. M. Landsberger, B. Nikpour, M. Paranjape, M. Kahrizi, J. Vac. Sci. Technol. A1998, 16, 868.
60. O. Tabata, R. Asahi, H. Funabashi, K. Shimaoka, S. Sugiyama, Sens. Actuators A 1992, A34, 51.
61. H. J. Kim, M. Almanza-Workman, B. Garcia, O. Kwon, F. Jeffrey, S. Braymen, J. Hauschildt, K. Junge, D. Larson, D. Stieler, A. Chaiken, B. Cobene, R. Elder, W. Jackson, M. Jam, A. Jeans, H. Luo, P. Mei, C. Perlov, C. Taussig, J. Soc. Inf. Display 2009, 17, 963.
62. Z. Racz, A. Seabaugh, J. Vac. Sci. Technol. B 2007, 25, 857.
63. Y. Xia, G. M. Whitesides, Angew. Chem. Int. Ed. 1998, 37, 550.
64. Q. Xu, R. M. Rioux, M. D. Dickey, G. M. Whitesides, Acc. Chem. Res. 2008, 41, 1566.
65. Q. Xu, I. Tonks, M. J. Fuerstman, J. C. Love, G. M. Whitesides, Nano Lett. 2004, 4, 2509.
66. S.O. Kim, H.H. Solak, M.P. Stoykovich, N.J. Ferrier, J.J. De Pablo, P.F. Nealey, Nature 2003, 424, 411-4.