Lowering the switching current of resistance random access memory using a hetero junction structure consisting of transition metal oxides

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters

Volumn 45, Issue 37-41, 2006, Pages

  Kinoshita, Kentaro ^a   Tamura, Tetsuro ^a   Aoki, Masaki ^a   Sugiyama, Yoshihiro ^a   Tanaka, Hitoshi ^a  

^a FUJITSU LABORATORIES LTD   (Japan)

Author keywords

Forming; NiO; ReRAM; Reset; TiO2

Indexed keywords

ELECTRIC RESISTANCE; ELECTRODES; HETEROJUNCTIONS; SWITCHING CIRCUITS; TRANSITION METAL COMPOUNDS;

FILAMENTS; TRANSITION METAL OXIDES;

RANDOM ACCESS STORAGE;

EID: 34547838883     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.45.L991     Document Type: Article

References (13)

1. H. Pagnia and N. Sotnik: Phys. Status Solidi A 108 (1988) 11, and references therein.
2. S. Q. Liu, N. J. Wu and A. Ignatiev: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 2749.
3. Y. Watanabe, J. G. Bednorz, A. Bietsch, Ch. Gerber, D. Widmer, A. Beck and S. J. Wind: Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 3738.
4. A. Beck, J. G. Bednorz, Ch. Gerber, C. Rossel and D. Widmer: Appl. Phys. Lett. 77 (2001) 139.
5. S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D.-S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J.-S. Kim, J. S. Choi and B. H. Park: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 5655.
6. B. J. Choi, D. S. Jeong, S. K. Kim, C. Rohde, S. Choi, J. H. Oh, H. J. Kim, C. S. Hwanga, K. Szot, R. Waser, B. Reichenberg and S. Tiedke: J. Appl. Phys. 98 (2005) 033715.
7. H. Sim, D. Choi, D. Lee, S. Seo, M. J. Lee, I. K. Yoo and H. Hwang: IEEE Electron Device Lett. 26 (2005) 292.
8. D. Choi, D. Lee, H. Sim, M. Chang and H. Hwang: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 082904.
9. Y. Jin, H. Sakai and M. Shimada: to be published in Jpn. J. Appl. Phys.
10. A. Chen, S. Haddad, Y.-C. Wu, T.-N. Fang, Z. Lan, S. Avanzino, S. Pangrle, M. Buynoski, M. Rathor, W. Cai, N. Tripsas, C. Bill, M. VanBuskirk and M. Taguchi: IEDM Tech. Dig., 2005, p. 765.
11. I. G. Baek, M. S. Lee, S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, D.-S. Suh, J. C. Park, S. O. Park, H. S. Kim, I. K. Yoo, U-In Chung and J. T. Moon: IEDM Tech. Dig., 2004, p. 587.
12. K. Kinoshita, T. Tamura, H. Aso, H. Noshiro, C. Yoshida, M. Aoki, Y. Sugiyama and H. Tanaka: Proc. IEEE Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop, 2006, p. 84.
13. C. Rohde, B. J. Choi, D. S. Jeong, S. Choi, J.-S. Zhao and C. S. Hwang: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 262907.