Reduction in the reset current in a resistive random access memory consisting of Ni Ox brought about by reducing a parasitic capacitance

Applied Physics Letters

Volumn 93, Issue 3, 2008, Pages

  Kinoshita, K ^a   Tsunoda, K ^a   Sato, Y ^a   Noshiro, H ^a   Yagaki, S ^a   Aoki, M ^a   Sugiyama, Y ^a  

^a FUJITSU LABORATORIES LTD   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPLIANCE CURRENT; PARASITIC CAPACITANCES; RESET CURRENTS; RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (RRAM);

EID: 48249129194     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2959065     Document Type: Article

References (9)

1. I. G. Baek, M. S. Lee, S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, D.-S. Suh, J. C. Park, S. O. Park, H. S. Kim, I. K. Yoo, U.-In. Chung, and J. T. Moon, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2004, 587.
2. S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D.-S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J.-S. Kim, J. S. Choi, and B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 85, 5655 (2004).
3. I. G. Baek, D. C. Kim, M. J. Lee, H.-J. Kim, E. K. Yim, M. S. Lee, J. E. Lee, S. E. Ahn, S. Seo, J. H. Lee, J. C. Park, Y. K. Cha, S. O. Park, H. S. Kim, I. K. Yoo, U.-In. Chung, J. T. Moon, and B. I. Ryu, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2005, 769.
4. K. Kinoshita, T. Tamura, H. Aso, H. Noshiro, C. Yoshida, M. Aoki, Y. Sugiyama, and H. Tanaka, Proceedings of IEEE Nonvolatile Memory Workshop, 2006 (unpublished), pp. 84-85.
5. T.-N. Fang, S. Kaza, S. Haddad, A. Chen, Y.-C. Wu, Z. Lan, S. Avanzino, D. Liao, C. Gopalan, S. Choi, S. Mahdavi, M. Buynoski, Y. Lin, C. Marrian, C. Bill, M. VanBuskirk, and M. Taguchi, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2006, 789.
6. C. Rohde, B. J. Choi, D. S. Jeong, S. Choi, J.-S. Zhao, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 86, 262907 (2005).
7. D. C. Kim, M. J. Lee, S. E. Ahn, S. Seo, J. C. Park, and I. K. Yoo, I. G. Baek, H. J. Kim, E. K. Yim, J. E. Lee, S. O. Park, H. S. Kim, U.-In. Chung, J. T. Moon, and B. I. Ryu, Appl. Phys. Lett. 88, 232106 (2006).
8. Y. Sato, K. Tsunoda, K. Kinoshita, H. Noshiro, M. Aoki, and Y. Sugiyama, IEEE Trans. Electron Devices 55, 1185 (2008).
9. K. Tsunoda, K. Kinoshita, H. Noshiro, Y. Yamazaki, T. Iizuka, Y. Ito, A. Takahashi, A. Okano, Y. Sato, T. Fukano, M. Aoki, and Y. Sugiyama, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2007, 767.