Creation of SiOF films with SiF 4/O 2 plasmas: From gas-surface interactions to film formation

Journal of Applied Physics

Volumn 96, Issue 2, 2004, Pages 1094-1103

  Zhang, Jianming ^a   Fisher, Ellen R ^a  

^a Department of Ecosystem Science and Sustainability   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

LASER INDUCED FLUORESCENCE (LIF); OPTICAL EMISSION SPECTROSCOPY (OES); SIOF; SURFACE REACTIVITY;

DEPOSITION; EMISSION SPECTROSCOPY; FILM GROWTH; FLUORESCENCE; FLUORINE COMPOUNDS; FOURIER TRANSFORM INFRARED SPECTROSCOPY; ION BOMBARDMENT; LASER APPLICATIONS; MASS SPECTROMETRY; MICROELECTRONICS; MOLECULAR BEAMS; PERMITTIVITY; PLASMA APPLICATIONS; REACTION KINETICS; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

SILICON COMPOUNDS;

EID: 3242714353     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1760835     Document Type: Article

References (75)

1. T. Usami, K. Shimokawa, and M. Yoshimaru, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 408 (1994).
2. W. S. Yoo and R. Swope, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L273 (1996).
3. W. S. Yoo, R. Swope, and D. Mordo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 267 (1997).
4. K. S. Oh, M. S. Kang, K. M. Lee, D. S. Kim, C. K. Choi, S. M. Yun, H. Y. Chang, and K. H. Kim, Thin Solid Films 345, 45 (1999).
5. T. Homma, J. Electrochem. Soc. 143, 707 (1996).
6. T. Homma, R. Yamaguchi, and Y. Murao, J. Electrochem. Soc. 140, 687 (1993).
7. S. W. Lim, Y. Shimogaki, Y. Nakano, K. Tada, and H. Komiyama, Appl. Phys. Lett. 68, 832 (1996).
8. F. Iacona, G. Casella, F. La Via, S. Lombardo, V. Raineri, and G. Spoto, Microelectron. Eng. 50, 67 (2000).
9. F. Iacona, G. Ceriola, and G. Spoto, J. Electrochem. Soc. 148, F47 (2001).
10. H. Kudo, R. Shinohara, S. Takeishi, N. Awaji, and M. Yamada, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1583 (1996).
11. M. T. Weise, S. C. Selbrede, L. J. Arias, and D. Carl, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1399 (1997).
12. R. Swope and W. S. Yoo, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 1702 (1996).
13. M. Yoshimaru, S. Koizumi, and K. Shimokawa, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 2915 (1997).
14. J. H. Kim, S. H. Seo, S. M. Yun, H. Y. Chang, K. M. Lee, and C. K. Choi, Appl. Phys. Lett. 68, 1507 (1996).
15. J. H. Kim, S. H. Seo, S. M. Yun, H. Y. Chang, K. M. Lee, and C. K. Choi, J. Electrochem. Soc. 143, 2990 (1996).
16. S. Lee and J. W. Park, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 427, 427 (1996).
17. S. Lee and J. W. Park, J. Appl. Phys. 80, 5260 (1996).
18. T. Tamura, Y. Inoue, M. Satoh, H. Yoshitaka, and J. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 2526 (1996).
19. S. M. Han and E. S. Aydil, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 2893 (1997).
20. S. M. Han and E. S. Aydil, J. Appl. Phys. 83, 2172 (1998).
21. S. Lee and J. W. Park, Mater. Chem. Phys. 53, 150 (1998).
22. V. Pankov, J. C. Alonso, and A. Ortiz, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 6135 (1998).
23. S. Lee and J. W. Park, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 458 (1999).
24. S. Lee and J. W. Park, J. Electrochem. Soc. 146, 697 (1999).
25. V. Pankov, J. C. Alonso, and A. Ortiz, J. Appl. Phys. 86, 275 (1999).
26. V. Pankov, J. C. Alonso, and A. Ortiz, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 3166 (1999).
27. J. C. Alonso, E. Pichardo, V. Pankov, and A. Ortiz, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 2827 (2000).
28. S. P. Kim and C. K. Choi, Thin Solid Films 379, 259 (2000).
29. S. P. Kim, C. K. Choi, Y. Park, and I. Chung, Appl. Phys. Lett. 79, 185 (2001).
30. H. Kitoh, M. Muroyama, M. Sasaki, M. Iwasawa, and H. Kimura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1464 (1996).
31. T. Homma, J. Electrochem. Soc. 143, 1084 (1996).
32. S. M. Yun, H. Y. Chang, K. M. Lee, D. C. Kim, and C. K. Choi, J. Electrochem. Soc. 145, 2576 (1998).
33. J. C. Alonso, E. Pichardo, L. Rodriguez-Fernandez, J. C. Cheang-Wong, and A. Ortiz, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 507 (2001).
34. M.-J. Shapiro, D. Dobuzinsky, T. Matsuda, and S. V. Nguyen, Thin Solid Films 270, 503 (1995).
35. A. Demkov et al., Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 579, 255 (2000).
36. P. R. McCurdy, K. H. Bogart, N. F. Dalleska, and E. R, Fisher, Rev. Sci. Instrum. 68, 1684 (1997).
37. J. Zhang and E. R. Fisher, J. Phys. Chem. B (in press).
38. K. H. A. Bogart, J. P. Cushing, and E. R. Fisher, J. Phys. Chem. B 101, 10016 (1997).
39. K. H. A. Bogart, J. P. Cushing, and E. R. Fisher, Chem. Phys. Lett. 267, 377 (1997).
40. M. L. Steen, C. I. Butoi, and E. R. Fisher, Langmuir 17, 8156 (2001).
41. W. M. M. Kessels, P. R. McCurdy, K. L. Williams, G. R. Barker, V. A. Venturo, and E. R. Fisher, J. Phys. Chem. B 106, 2680 (2002).
42. M. L. Steen, K. R. Kull, and E. R. Fisher, J. Appl. Phys. 92, 55 (2002).
43. E. R. Fisher, Plasma Sources Sci. Technol. 11, A105 (2002).
44. C. I. Butoi, M. L. Steen, J. R. D. Peers, and E. R. Fisher, J. Phys. Chem. B 105, 5957 (2001).
45. P. R. McCurdy, C. I. Butoi, K. L. Williams, and E. R. Fisher, J. Phys. Chem. B 103, 6919 (1999).
46. C. I. Butoi, N. M. Mackie, P. R. McCurdy, J. R. D. Peers, and E. R. Fisher, Plasmas Polym. 4, 77 (1999).
47. C. I. Butoi, N. M. Mackie, K. L. Williams, N. E. Capps, and E. R. Fisher, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 2685 (2000).
48. K. L. Williams, C. I. Butoi, and E. R. Fisher, J. Vac. Sci. Technol. A 21, 1688 (2003).
49. K. L. Williams and E. R. Fisher, J. Vac. Sci. Technol. A 21, 1024 (2003).
50. K. L. Williams, I. T. Martin, and E. R. Fisher, J. Am. Soc. Mass Spectrom. 13, 518 (2002).
51. K. H. A. Bogart, N. F. Dalleska, G. R. Bogart, and E. R. Fisher, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 476 (1995).
52. P. R. McCurdy, J. M. Truitt, and E. R. Fisher, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 2475 (1999).
53. A. E. Lefohn, N. M. Mackie, and E. R. Fisher, Plasmas Polym. 3, 197 (1998).
54. S. J. Davis and S. G. Hadley, Phys. Rev. A 14, 1146 (1976).
55. V. M. Khanna, G. Besenbru, and J. L. Margrave, J. Chem. Phys. 46, 2310 (1967).
56. J. Zhang, K. L. Williams, and E. R. Fisher, J. Phys. Chem. A 107, 593 (2003).
57. P. Ho, W. G. Breiland, and R. J. Buss, J. Chem. Phys. 91, 2627 (1989).
58. N. Selamoglu, J. A. Mucha, D. E. Ibbotson, and D. L. Flamm, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 1345 (1989).
59. S. P. Mukherjee and P. E. Evans, Thin Solid Films 14, 105 (1972).
60. V. M. Bermudez, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 3478 (1992).
61. N. M. Mackie, N. F. Dalleska, D. G. Castner, and E. R. Fisher, Chem. Mater. 9, 349 (1997).
62. F. Fracassi, R. d'Agostino, and P. Favia, J. Electrochem. Soc. 139, 2636 (1992).
63. C. S. Pai and C. P. Chang, J. Appl. Phys. 68, 793 (1990).
64. C. P. Chang, C. S. Pai, and J. J. Hsieh, J. Appl. Phys. 67, 2119 (1990).
65. M. Tuszewski, J. T. Scheuer, and J. A. Tobin, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 839 (1995).
66. G. Bruno, P. Capezzuto, G. Cicala, and F. Cramarossa, J. Mater. Res. 4, 366 (1989).
67. G. Bruno, P. Capezzuto, and G. Cicala, J. Appl. Phys. 69, 7256 (1991).
68. G. Cicala, G. Bruno, and P. Capezzuto, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 2762 (1998).
69. L. A. Zazzera and J. F. Moulder, J. Electrochem. Soc. 136, 484 (1989).
70. S. R. Kasi, M. Liehr, and S. Cohen, Appl. Phys. Lett. 58, 2975 (1991).
71. R. A. Haring and M. Liehr, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 802 (1992).
72. M. A. Lieberman and A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and Material Processing (Wiley, New York, 1994).
73. H. F. Winters and J. W. Coburn, Surf. Sci. Rep. 14, 162 (1992).
74. D. L. Flamm, V. M. Donnelly, and J. A. Mucha, J. Appl. Phys. 52, 3633 (1981).
75. J. A. Mucha, V. M. Donnelly, D. L. Flamm, and L. M. Webb, J. Phys. Chem. 85, 3529 (1981).