Moisture stability and structure relaxation processes in plasma-deposited SiOF films

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 17, Issue 6, 1999, Pages 3166-3171

  Pankov, V ^a   Alonso, J C ^a   Ortiz, A ^a  

^a UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉXICO   (Mexico)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0033410698     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.582111     Document Type: Article

References (30)

1. M. Yoshimura, S. Koizumi, and K. Shimokawa, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 2915 (1997).
2. T. Tamura, J. Sakai, M. Satoh, Y. Inoue, and H. Yoshitaka, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 1627 (1997).
3. M. K. Bhan, J. Huang, and D. Cheung, Thin Solid Films 308-309, 507 (1997).
4. T. Usami, K. Shimokawa, and M. Yoshimaru, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 408 (1994).
5. W. S. Yoo, R. Swope, and D. Mordo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 267 (1997).
6. M. Yoshimaru, S. Koizumi, and K. Shimokawa, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 2908 (1997).
7. T. Tamura, J. Sakai, Y. Inoue, M. Satoh, and H. Yoshitaka, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 2411 (1998).
8. M. T. Weise, S. C. Selbrede, L. J. Arias, and D. Carl, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1399 (1997).
9. H. Kudo, R. Shinohara, S. Takeishi, N. Awaji, and M. Yamada, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1583 (1996).
10. H. Yang and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 1525 (1998).
11. W. T. Tseng, Y. T. Hsieh, C. F. Lin, M. S. Tsai, and M. S. Feng, J. Electrochem. Soc. 144, 1100 (1997).
12. G. Lucovsky and H. Yang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 1368 (1997).
13. J. A. Theil, D. V. Tsu, M. W. Watkins, S. S. Kim, and G. Lucovsky. J. Vac. Sci. Technol. A 8, 1374 (1990).
14. S. M. Han and E. S. Aydil, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 2893 (1997).
15. V. Pankov, J. C. Alonso, and A. Ortiz, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 6135 (1998).
16. R. A. B. Devine, R. Dupree, I. Farnan, and J. J. Capponi, Phys. Rev. B 35, 2560 (1987).
17. F. L. Galeener, R. A. Barrio, E. Martinez, and R. J. Elliott, Phys. Rev. Lett. 53, 2429 (1984).
18. W. A. Pliskin, J. Vac. Sci. Technol. 14, 1064 (1977).
19. N. Hirashita, S. Tokitoh, and H. Uchida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 32, 1787 (1993).
20. A. Brunet-Bruneau, J. Rivory, B. Rafin, J. Y. Robic, and P. Chaton, J. Appl. Phys. 82, 1330 (1997).
21. D. V. Tsu, B. N. Davidson, and G. Lucovsky, Phys. Rev. B 40, 1795 (1989).
22. Y. Nakasaki, H. Miyajima, R. Katsumata, and N. Hayasaka, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 2545 (1997).
23. J. C. Alonso, R. Vazques, A. Ortiz, V. Pankov, and E. Andrade, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 3211 (1998).
24. V. Pankov, J. C. Alonso, and A. Ortiz, J. Appl. Phys. 86, 275 (1999).
25. M. D. Newton and G. V. Gibbs, Phys. Chem. Miner. 6, 221 (1980).
26. M. J. Shapiro, S. V. Nguyen, T. Matsuda, and D. Dobuzinsky, Thin Solid Films 270, 503 (1995).
27. Y. Nakasaki, H. Miyajima , R. Katsmata, and N. Hayasaka, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 2533 (1997).
28. M. S. Haque, H. A. Naseem, and W. D. Brown, J. Electrochem. Soc. 144, 3265 (1997).
29. Y. Nakasaki, H. Miyajima, R. Katsumata, and N. Hayasaka, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 5259 (1997).
30. F. L. Galeener, J. Non-Cryst. Solids 49, 53 (1982).