AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors using barium strontium titanate

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 22, Issue 5, 2004, Pages 2479-2485

  Hansen, P J ^a   Shen, L ^a   Wu, Y ^a   Stonas, A ^a   Terao, Y ^a   Heikman, S ^a   Buttari, D ^a   Taylor, J R ^a   DenBaars, S P ^a   Mishra, U K ^a   York, R A ^a   Speck, J S ^a  

^a University of California   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BARIUM STRONTIUM TITANATE (BST); GATE DIELECTRICS; GATE LEAKAGE; HETEROSTRUCTURE FIELD-EFFECT TRANSISTORS (HFET);

ANNEALING; BARIUM COMPOUNDS; FIELD EFFECT TRANSISTORS; GALLIUM NITRIDE; HETEROJUNCTIONS; MAGNETRON SPUTTERING; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; PERMITTIVITY; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; TRANSCONDUCTANCE; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

ALUMINUM COMPOUNDS;

EID: 9744232171     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1800352     Document Type: Article

References (37)

1. H. C. Casey, Jr., G. G. Fountain, R. G. Alley, B. P. Keller, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 68, 1850 (1996).
2. M. Sawada, T. Sawada, Y. Yamagata, K. Imai, H. Kimura, M. Yoshino, K. Iizuka, and H. Tomozawa, J. Cryst. Growth 189-190, 706 (1998).
3. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Appl. Phys. Lett. 73, 809 (1998).
4. M. A. Khan, X. Hu, G. Sumin, A. Lunev, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 21, 63 (2000).
5. M. A. Khan, X. Hu, A. Tarakji, G. Simin, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 77, 1339 (2000).
6. G. Simin, A. Tarakji, X. Hu, A. Koudymov, J. Yang, M. A. Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Phys. Status Solidi A 188, 219 (2001).
7. P. Chen, W. Wang, S. J. Chua, and Y. D. Zheng, Appl. Phys. Lett. 79, 3530 (2001).
8. N.-Q Zhang, B. Moran, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, X. W. Wang, and T. P. Ma, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2001, 25.5.1-4 (2001).
9. S. C. Binari, K. Doverspike, G. Keiner, H. B. Dietrich, and A. E. Wickenden, Solid-State Electron. 41, 177 (1997).
10. E. Alekseev, A. Eisenbach, and D. Pavlidis, Electron. Lett. 35, 2145 (1999).
11. F. Ren, C. R. Abernathy, J. D. Mackenzie, B. P. Gila, S. J. Pearton, M. Hong, M. A. Marcus, M. J. Schurman, A. G. Baca, and R. J. Shul, Solid-State Electron. 42, 2177 (1998).
12. T. Hashizume, E. Alekseev, D. Pavlidis, K. S. Boutros, and J. Redwing, J. Appl. Phys. 88, 1983 (2000).
13. F. Ren, M. Hong, S. N. G. Chu, M. A. Marcus, M. J. Schuman, A. Baca, S. J. Pearton, and C. R. Abernathy, Appl. Phys. Lett. 73, 3893 (1998).
14. J. W. Johnson et al., Appl. Phys. Lett. 77, 3230 (2000).
15. B. P. Gila et al., Phys. Status Solidi A 188, 239 (2001).
16. L. W. Tu, W. C. Kuo, K. H. Lee, P. H. Tsao, C. M. Lai, A. K. Chu, and J. K. Sheu, Appl. Phys. Lett. 77, 3788 (2000).
17. H. Kim, S.-J. Park, and H. Hwang, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 579 (2001).
18. B. Gaffey, L. J. Guido, X. W. Wang, and T. P. Ma, IEEE Trans. Electron Devices 48, 458 (2001).
19. C. S. Hwang et al., J. Appl. Phys. 83, 3703 (1998).
20. D. E. Kotecki et al., IBM J. Res. Dev. 43, 367 (1999).
21. B. Acikel, T. R. Taylor, P. J. Hansen, J. S. Speck, and R. A. York, IEEE Microw. Wirel. Compon. Lett. 12, 1 (2002).
22. Y. Liu, B. Acikel, A. S. Nagra, T. R. Taylor, P. J. Hansen, J. S. Speck, and R. A. York, Integr. Ferroelectr. 39, 313 (2001).
23. Y.-Y. Lin, Y. Zhang, J. Singh, R. York, and U. Mishra, J. Appl. Phys. 89, 1856 (2001).
24. R. A. McKee, F. J. Walker, and M. F. Chisholm, Phys. Rev. Lett. 81, 3014 (1998).
25. K. Eisenbeiser et al., Appl. Phys. Lett. 76, 1324 (2000).
26. V. Kaushik et al., in Proceedings of the 58th Device Research Conference, Denver, CO, 2000, pp. 17-20.
27. L. Shen, S. Heikman, B. Moran, R. Coffie, N.-Q. Zhang, D. Buttari, I. P. Smorchkova, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 22, 457 (2001).
28. S. Heikman, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 81, 1 (2002).
29. T. M. Shaw, S. Trolier-McKinstry, and P. C. McIntyre, Annu. Rev. Mater. Sci. 30, 263 (2000).
30. T. R. Taylor, P. J. Hansen, B. Acikel, R. A. York, and J. S. Speck (unpublished).
31. C.-H. Chen, E. L. Hu, U. K. Mishra, J. P. Ibbetson, X. Wu, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 69, 1728 (1996).
32. E. L. Hu and C.-H. Chen, Microelectron. Eng. 35, 23 (1997).
33. E. Haberer, C.-H. Chen, A. Abare, M. Hansen, S. P. DenBaars, L. Coldren, U. K. Mishra, and E. L. Hu, Appl. Phys. Lett. 76, 3941 (2000).
34. H. Xu, N. K. Pervez, P. J. Hansen, L. Shen, S. Keller, U. K. Mishra, and R. A. York, IEEE Electron Device Lett. 25, 1 (2004).
35. Z. Wang, V. Kugler, U. Helmersson, N. Konofaos, E. K. Evanegelou, S. Nakao, and P. Jin, Appl. Phys. Lett. 79, 1513 (2001).
36. J. D. Baniecki, T. Shioga, and K. Kurihara, Integr. Ferroelectr. 46, 221 (2002).
37. B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 21, 268 (2000).