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Volumn 69, Issue 12, 1996, Pages 1728-1730

Improvement in low energy ion-induced damage with a low temperature GaAs capping layer

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EID: 0042532956     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.118011     Document Type: Article
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References (14)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.