Atomic layer deposition chemistry, mechanisms and related physical properties of high permittivity dielectric oxides

Extended Abstracts of International Workshop on Gate Insulator, IWGI 2003

Volumn , Issue , 2003, Pages 106-111

  Kukli, K ^a,b  

^a UNIVERSITY OF HELSINKI   (Finland)

^b UNIVERSITY OF TARTU   (Estonia)

Author keywords

Atomic layer deposition; Bonding; Chemicals; Chemistry; Dielectric thin films; Etching; Inductors; Mechanical factors; Permittivity; Temperature distribution

Indexed keywords

ATOMIC LAYER DEPOSITION; ATOMS; BONDING; CHEMICALS; CHEMISTRY; ELECTRIC INDUCTORS; ETCHING; HAFNIUM OXIDES; PERMITTIVITY; TEMPERATURE DISTRIBUTION; THIN FILMS; ZIRCONIA;

DIELECTRIC THIN FILMS; HIGH PERMITTIVITY DIELECTRIC; MECHANICAL FACTORS; ZRO2 THIN FILMS;

CHEMICAL BONDS;

EID: 84945118974     PISSN: None     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1109/IWGI.2003.159195     Document Type: Conference Paper

References (52)

1. A. Javey, H. Kim, M. Brink, Q. Wang, A. Ural, J. Guo, P. McIntyre, P. Mceuen, M. Lundström, H. Dai, Nature Mater. 1, 241 (2002).
2. X. Zhao, D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 65, 233106 (2002).
3. M. Gutowski, J. E. Jaffe, C.-L. Liu, M. Stoker, R. I. Hegde, R. S. Rai, P. J. Tobin, Appl. Phys. Lett. 80, 1897 (2002).
4. M. Ritala, M. Leskelä, Appl. Surf. Sci. 75, 333 (1994).
5. M. Leskelä and M. Ritala, Thin Solid Films 409, 138 (2002).
6. K. Kukli, M. Ritala, T. Sajavaara, J. Keinonen, M. Leskelä, Thin Solid Films 416 (2002) 72.
7. J. Aarik, A. Aidla, A.-A. Kiisler, T. Uustare, V. Sammelselg, Thin Solid Films 340, 110 (1999).
8. K. Kukli, A. Aidla, H. Mändar, T. Uustare, K. Kukli, M. Schuisky, Appl. Surf. Sci. 173 (2001) 15.
9. H. Siimon, J. Aarik, J. Phys. D: Appl. Phys. 30, 1725 (1997).
10. K. Kukli, M. Ritala, T. Uustare, J. Aarik, K. Forsgren, T. Sajavaara, M. Leskelä, A. Hårsta, Thin Solid Films 410, 53 (2002).
11. K. Kukli, M. Ritala, J. Aarik, T. Uustare, J. Appl. Phys. 92 (2002) 1833.
12. K. Kukli, K. Forsgren, M. Ritala, M. Leskelä, J. Aarik, A. Hårsta, J. Electrochem. Soc. 148 (2001) F227.
13. A. Estève, M. D. Rouhani, L. Jeloaica, D. Estève, Comput. Mater. Sci. 27, 75 (2003).
14. I. M. Iskandarova, A.A.Knizhnik, E.A.Rykova, A.A.Bagatur'yants, B.V.Potapkin, A.A.Korkin, Microel. Eng. 69, 587 (2003).
15. J. Aarik, A. Aidla, H. Mändar, T. Uustare, V. Sammelselg, Thin Solid Films 408, 97 (2002).
16. L.R.C. Fonseca, A. Korkin, A.A.Demkov, X. Zhang, A. Knizhnik, Microel. Eng. 69, 130 (2003).
17. Y. Widjaja, C. B. Musgrave, J. Chem. Phys. 117, 1931 (2002).
18. M. Nagashima, T. Nakayama, S. Yamanaka, M. Fujikane, Y. Hayashi, T. Sekino, T. Kusunose, K. Niihara, Mater. Lett. 57, 4023 (2003).
19. S. Dueñas, H. Castán, J. Barbolla, K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, Solid-State Electr. 47, 1623 (2003).
20. S. Dueñas, H. Castán, H. Carcía, J. Barbolla, K. Kukli, J. Aarik, A. Aidla, J. Vac. Sci. Tech. A submitted.
21. S. Dueñas, H. Castán, H. Carcía, J. Barbolla, K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, Thin Solid Films, submitted.
22. R. Caruso, N. Pellegri, O. De Sanctis, M. C. Caracoche, P. C. Rivas, J. Sol-Gel Sci. Technol. 3, 241 (1004).
23. R. Srinivasan, T. R. Watkins, C. R. Hubbard, B. H. Davis, Chem. Mater. 7, 725 (1995).
24. K. Forsgren, A. Hårsta, J. Aarik, A. Aidla, J. Westlinder, J. Olsson, J. Electrochem. Soc. 149, F139 (2002).
25. K. Kukli, M. Ritala, J. Sundqvist, J. Aarik, J. Lu, T. Sajavaara, M. Leskelä, A. Hårsta, J. Appl. Phys. 92, 5698 (2002).
26. K. Kukli, M. Ritala, J. Ihanus, M. Leskelä, Appl. Phys. Lett. 68, 3737 (1996).
27. K. Kukli, M. Ritala, J. Ihanus, M. Leskelä, J. Electrochem. Soc. 144, 300 (1997).
28. K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, T. Sajavaara, J. Keinonen, D. C. Gilmer, R. Hegde, R. Rai, L. Prabhu, J. Mater. Sci.: Mater. Electr. 14, 361 (2003).
29. H. B. Park, M. Cho, J. Park, S.W.Lee, C. S.Hwang, J.-P. Kim, J.-H. Lee, N.-I. Lee, H.-K. Kang, J.-C. Lee, S.-J. Oh, J. Appl. Phys. 94, 3641 (2003).
30. J. Sundqvist, A. Hårsta, J. Aarik, K. Kukli, A. Aidla, Thin Solid Films 427, 147 (2003).
31. S. Ferrari, G. Scarel, C. Wiemer, M. Fanciulli, J. Appl. Phys. 92, 7675 (2002).
32. T. Yamamoto, N. Morita, N. Sugiyama, A. Karen, K. Okuno, Appl. Surf. Sci. 203-204, 516 (2003).
33. R. G. Gordon, D. Hausmann, E. Kim, J. Shepard, Chem. Vap. Deposition 9, 73 (2003).
34. K. Kukli, M. Ritala, T. Sajavaara, J. Keinonen, M. Leskelä, 8 (1002) 199.
35. J. Scaeffer, N. V. Edwards, R. Liu et al. J. Electrochem. Soc. 150, F67 (2003).
36. K. Kukli, M. Ritala, J. Lu, A. Hårsta, M. Leskelä, J. Electrochem. Soc., Submitted.
37. K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, T. Sajavaara, J. Keinonen, A. C. Jones, J. L. Roberts, Chem. Mater. 15, 1722 (2003).
38. M. Putkonen, J. Niinistö, K. Kukli, T. Sajavaara, M. Karppinen, H. Yamauchi, L. Niinistö, Chem. Vap. Deposition 9, 207 (2003).
39. T. Suntola, Thin Solid Films 216, 84 (1992).
40. V. Sammelselg, J. Karlis, A. Kikas, J. Aarik, H. Mändar, T. Uustare, NATO Science Series II: Mathemathics, Physics and Chemistry (2002), Eds. M. Kotrla et al., Atomistic Aspects of Epitaxial Growth, pp. 583-591.
41. M. L. Green, M.-Y.Ho, B. Busch, G. D. Wilk, T. Sorsch, T. Conard, B. Brijs, W. Vandervorst, P. I. Räisänen, D. Muller, M. Bude, J. Grazul, J. Appl. Phys. 92, 7168 (2002).
42. J. F. Conley, Jr., Y. Ono, D. J. Tweet, W. Zhuang, R Solanki, J. Appl. Phys. 932, 712 (2003).
43. R. Matero, M. Ritala, M. Leskelä, A. C. Jones, P. A. Williams, J. F. Bickley, A. Steiner, T. J. Leedham, H. O. Davies, J. Non-Cryst. Solids 303, 24 (2002).
44. K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, Chem. Vap. Deposition 6 (2000) 297.
45. M. Yashima, T. Kato, M. Kakihana, M. A. Gulgun, Y. Matsuo, M. Yoshimura, J. Mater. Res. 12, 2575 (1997).
46. K. Yamamoto, M. Asai, S. Horii, H. Miya, M. Niwa, J. Vac. Sci. Technol. A 21, 1033 (2003).
47. K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, T. Sajavaara, J. Keinonen, A. C. Jones, N. L. Tobin, Chem. Vap. Deposition, In press.
48. K. Endo, T. Tatsumi, Jpn. J, Appl. Phys. 42, L685 (2003).
49. Y.-S. Lin, R. Puthenkovilakam, J. P. Chang et al. J. Appl. Phys. 93, 5945 (2003).
50. M. Ritala, K. Kukli, A. Rahtu, P. I. Räisänen, M. Leskelä, T. Sajavaara, J. Keinonen, Science 288 (2000) 319.
51. K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, T. Sajavaara, J. Keinonen, R. I. Hegde, D. C. Gilmer, P. J. Tobin, J. Electrochem. Soc. submitted.
52. A. Rahtu, M. Ritala, Langmuir 18, 10046 (2002).