Comparison of HfO2 films grown by atomic layer deposition using HfCl4 and H2O or O3 as the oxidant

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 5, 2003, Pages 3641-3647

  Park, Hong Bae ^a   Cho, Moonju ^a   Park, Jaehoo ^a   Lee, Suk Woo ^a   Hwang, Cheol Seong ^a   Kim, Jong Pyo ^b   Lee, Jong Ho ^b   Lee, Nae In ^b   Kang, Ho Kyu ^b   Lee, Jong Cheol ^c   Oh, Se Jung ^c  

^a Seoul National University   (South Korea)

^b SAMSUNG Electronics   (South Korea)

^c Seoul National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITANCE; DEPOSITION; HAFNIUM COMPOUNDS; HIGH RESOLUTION ELECTRON MICROSCOPY; OXIDATION; RAPID THERMAL ANNEALING; SEMICONDUCTOR GROWTH; SILICON WAFERS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION;

ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD);

THIN FILMS;

EID: 0141633668     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1599980     Document Type: Article

References (21)

1. L. F. Schneemeyer, R. B. van Dover, and R. M. Fleming, Appl. Phys. Lett. 75, 1967 (1999).
2. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
3. W. Zhu, T. P. Ma, T. Tamagawa, Y. Di, J. Kim, R. Carruthers, M. Gibson, and T. Furukawa, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 463 (2001).
4. H.-J. Cho, C. S. Kang, K. Onishi, S. Gopalan, R. Nieh, R. Choi, E. Dharmarajan, and J. C. Lee, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet, 655 (2001).
5. P. M. Zeitzoff, R. W. Murto, and H. R. Huff, Solid State Technol. 45, 71 (2002).
6. A. Nakajima, T. Kidera, H. Ishii, and S. Yokoyama, Appl. Phys. Lett. 81, 2824 (2002).
7. B. K. Park, J. Park, M. Cho, C. S. Hwang, K. Oh, Y. Han, and D. Y. Yang, Appl. Phys. Lett. 80, 2368 (2002).
8. M. Cho, J. Park, H. B. Park, C. S. Hwang, J. Jeong, and K. S. Hyun, Appl. Phys. Lett. 81, 334 (2002).
9. R. S. Johnson, G. Lucovski, and I. Baumvol, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 1353 (2001).
10. D.-G. Park, H.-J. Cho, K.-Y. Lim, C. Lim, I.-S. Yeo, J.-S. Roh, and J. W. Park, J. Appl. Phys. 89, 6275 (2001).
11. I. S. Jeon, J. Park, D. Eom, C. S. Hwang, H. J. Kim, C. J. Park, H. Y. Cho, J.-H. Lee, N.-I. Lee, and H.-K. Rang, Appl. Phys. Lett. 82, 1066 (2003).
12. M. Cho, J. Park, H. B. Park, C. S. Hwang, J. Jeong, K. S. Hyun, Y. W. Kim, C. Oh, and H. S. Kang, Appl. Phys. Lett. 81, 3630 (2002).
13. P. S. Lasaght, B. Fordan, G. Bersuker, P. J. Chen, R. W. Murto, and H. R. Huff, Appl. Phys. Lett. 82, 1266 (2003).
14. J. B. Kim, D. R. Kwon, K. Chakrabarti, and C. Lee, J. Appl. Phys. 92, 6739 (2002).
15. K. H. Hwang, S. J. Choi, J. D. Lee, Y. S. You, Y. K. Kim, H. S. Kim, C. L. Song, and S. I. Lee, ALD Symposium, Monterey, CA, 14 May 2001.
16. E. M. Vogel, W. K. Henson, C. A. Richter, and J. S. Suehle, IEEE Trans. Electron Devices 47, 601 (2000).
17. R. S. Johnson, J. G. Hong, C. Hinkle, and G. Lucovski, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1126 (2002).
18. B. Crivelli et al., Presented at the Symposium Materials Research of the Society, Boston, MA, December 2-6, 2002.
19. M. Cho, H. B. Park, J. Park, C. S. Hwang, J. C. Lee, S. J. Oh, J. Jeong, and K. S. Hyun, J. Appl. Phys. 94, 2563 (2003).
20. H. B. Park, M. Cho, J. Park, C. S. Hwang, J. C. Lee, and S. J. Oh, J. Appl. Phys. 94, 1898 (2003).
21. M.-H. Cho, Y. S. Roh, C. N. Whang, K. Jeong, S. W. Nahm, D.-H. Ko, J. H. Lee, N. I. Lee, and K. Fujihara, Appl. Phys. Lett. 81, 472 (2002).