One-dimensional nano-interconnection formation

Small

Volumn 9, Issue 18, 2013, Pages 3014-3029

  Ji, Jianlong ^b   Zhou, Zhaoying ^a   Yang, Xing ^a   Zhang, Wendong ^b   Sang, Shengbo ^b   Li, Pengwei ^b  

^a TSINGHUA UNIVERSITY   (China)

^b TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (China)

Author keywords

electrodeposition; interconnections; nanodevices; one dimensional nanomaterials; self assembly

Indexed keywords

ELECTRICAL CONTACTS; FORMATION PROCESS; INTERCONNECTIONS; NANO-DEVICES; ONE-DIMENSIONAL NANOMATERIALS; ONE-STEP METHODS; POTENTIAL MECHANISM; RECENT PROGRESS;

ELECTRODEPOSITION; NANOWIRES; SELF ASSEMBLY;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

NANOMATERIAL;

CHEMISTRY; ELECTROPLATING INDUSTRY; NANOTECHNOLOGY; PROCEDURES; ELECTRODEPOSITION; INTERCONNECTIONS; METHODOLOGY; NANODEVICES; ONE-DIMENSIONAL NANOMATERIALS; REVIEW; SELF ASSEMBLY;

ELECTROPLATING; NANOSTRUCTURES; NANOTECHNOLOGY;

ELECTRODEPOSITION; INTERCONNECTIONS; NANODEVICES; ONE-DIMENSIONAL NANOMATERIALS; SELF ASSEMBLY;

EID: 84884284589     PISSN: 16136810     EISSN: 16136829     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/smll.201201318     Document Type: Review

References (180)

1. N. S. Ramgir, Y. Yang, M. Zacharias, Small 2010, 6, 1705.
2. a) N. M. Kiasari, P. Servati, IEEE Electron Device Letters 2011, 32, 982
3. b) P. C. Chen, S. Sukcharoenchoke, K. Ryu, L. G. de Arco, A. Badmaev, C. Wang, C. Zhou, Adv. Mater. 2010, 22, 1900
4. c) H. Jin, D. A. Heller, M. Kalbacova, J. H. Kim, J. Zhang, A. A. Boghossian, N. Maheshri, M. S. Strano, Nat. Nanotechnology 2010, 5, 302
5. d) R. M. Penner, MRS Bulletin 2010, 35, 771.
6. a) J. Sun, Q. Tang, A. Lu, X. Jiang, Q. Wan, Nanotechnology 2009, 255202
7. b) V. Sazonova, Y. Yaish, H. Üstünel, D. Roundy, T. A. Arias, P. L. McEuen, Nature 2004, 431, 284
8. c) S. J. Tans, A. R. M. Verschueren, C. Dekker, Nature 1998, 393, 49.
9. a) A. Bachtold, P. Hadley, T. Nakanishi, C. Dekker, Science 2001, 294, 1317
10. b) A. Javey, H. Kim, M. Brink, Q. Wang, A. Ural, J. Guo, P. McIntyre, P. McEuen, M. Lundstrom, H. Dai, Nat. Mater. 2002, 1, 241.
11. a) C. Zhou, J. Kong, E. Yenilmez, H. Dai, Science 2000, 290, 1552
12. b) Z. Chen, J. Appenzeller, Y. M. Lin, J. Sippel-Oakley, A. G. Rinzler, J. Tang, S. J. Wind, P. M. Solomon, P. Avouris, Science 2006, 311, 1735
13. c) V. Derycke, R. Martel, J. Appenzeller, P. Avouris, Nano Lett. 2001, 1, 453
14. d) A. Javey, Q. Wang, A. Ural, Y. Li, H. Dai, Nano Lett. 2002, 2, 929
15. e) T. W. Tombler, C. Zhou, L. Alexseyev, J. Kong, H. Dai, L. Liu, C. S. Jayanthi, M. Tang, S. Y. Wu, Nature 2000, 405, 769
16. f) J. Andzane, N. Petkov, A. I. Livshits, J. J. Boland, J. D. Holmes, D. Erts, Nano Lett. 2009, 9, 1824
17. g) C. Ke, H. D. Espinosa, Small 2006, 2, 1484
18. h) Y. W. Heo, L. C. Tien, Y. Kwon, D. P. Norton, S. J. Pearton, B. S. Kang, F. Ren, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 2274
19. i) P. Nguyen, H. T. Ng, T. Yamada, M. K. Smith, J. Li, J. Han, M. Meyyappan, Nano Lett. 2004, 4, 651
20. j) W. I. Park, J. S. Kim, G. C. Yi, H. J. Lee, Adv. Mater. 2005, 17, 1393
21. k) L. V. Thong, L. T. N. Loan, N. Van Hieu, Sens. Actuat. B 2010, 150, 112
22. l) J. D. Prades, R. Jimenez-Diaz, F. Hernandez-Ramirez, S. Barth, A. Cirera, A. Romano-Rodriguez, S. Mathur, J. R. Morante, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 123110
23. m) A. Barreiro, R. Rurali, E. R. Hernández, J. Moser, T. Pichler, L. Forrõ, A. Bachtold, Science 2008, 320, 775.
24. a) Z. Li, Y. Chen, X. Li, T. I. Kamins, K. Nauka, R. S. Williams, Nano Lett. 2004, 4, 245
25. b) N. N. Mishra, W. C. Maki, E. Cameron, R. Nelson, P. Winterrowd, S. K. Rastogi, B. Filanoski, G. K. Maki, Lab Chip 2008, 8, 868
26. c) Z. Gao, A. Agarwal, A. D. Trigg, N. Singh, C. Fang, C. H. Tung, Y. Fan, K. D. Buddharaju, J. Kong, Anal. Chem. 2007, 79, 3291
27. d) Y. L. Bunimovich, Y. S. Shin, W. S. Yeo, M. Amori, G. Kwong, J. R. Heath, J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 16323
28. e) J. Liu, J. Goud, P. M. Raj, M. Iyer, Z. Wang, R. R. Tummala, in Electronic Components and Technology Conference, 2007. ECTC' 07. Proceedings. 57th, 2007, 1971
29. f) K. Ramanathan, M. A. Bangar, M. Yun, W. Chen, N. V. Myung, A. Mulchandani, J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 496
30. g) A. Cusmà, A. Curulli, D. Zane, S. Kaciulis, G. Padeletti, Mater. Sci. Engin. C 2007, 27, 1158.
31. a) M. Lee, Y. Jeon, T. Moon, S. Kim, ACS Nano 2011, 5, 2629
32. b) E. Stern, J. F. Klemic, D. A. Routenberg, P. N. Wyrembak, D. B. Turner-Evans, A. D. Hamilton, D. A. LaVan, T. M. Fahmy, M. A. Reed, Nature 2007, 445, 519
33. c) N. Elfström, R. Juhasz, I. Sychugov, T. Engfeldt, A. E. Karlström, J. Linnros, Nano Lett. 2007, 7, 2608.
34. a) F. Patolsky, G. Zheng, O. Hayden, M. Lakadamyali, X. Zhuang, C. M. Lieber, PNAS 2004, 101, 14017
35. b) S. J. Kang, C. Kocabas, T. Ozel, M. Shim, N. Pimparkar, M. A. Alam, S. V. Rotkin, J. A. Rogers, Nat. Nanotechnol. 2007, 2, 230
36. c) T. P. McNicholas, L. Ding, D. Yuan, J. Liu, Nano Lett. 2009, 9, 3646.
37. J. H. He, Y. Y. Zhang, J. Liu, D. Moore, G. Bao, Z. L. Wang, J. Phys. Chem. C 2007, 111, 12152.
38. Y. Im, C. Lee, R. P. Vasquez, M. A. Bangar, N. V. Myung, E. J. Menke, R. M. Penner, M. Yun, Small 2006, 2, 356.
39. Y. Cheng, G. Yu, L. Tang, Y. Zhou, G. Zhang, J. Cryst. Growth 2011, 334, 181.
40. V. M. Guérin, J. Elias, T. T. Nguyen, L. Philippe, T. Pauporté, Phys. Chem. Chem. Phys. 2012, 14, 12948.
41. a) W. C. Kwak, S. H. Han, T. G. Kim, Y. M. Sung, Cryst. Growth Design 2010, 10, 5297
42. b) J. Mallet, M. Molinari, F. Martineau, F. Delavoie, P. Fricoteaux, M. Troyon, Nano Lett. 2008, 8, 3468.
43. B. Kannan, D. E. Williams, K. Khoshmanesh, G. A. Bowmaker, J. Travas-Sejdic, J. Electroanal. Chem. 2012, 669, 82.
44. a) J. Hu, T. W. Odom, C. M. Lieber, Acc. Chem. Res. 1999, 32, 435
45. b) Y. Xia, P. Yang, Y. Sun, Y. Wu, B. Mayers, B. Gates, Y. Yin, F. Kim, H. Yan, Adv. Mater. 2003, 15, 353.
46. a) C. Dekker, Phys. Today 1999, 52, 22
47. b) T. Nakanishi, A. Bachtold, C. Dekker, Phys. Rev. B 2002, 66, 73307.
48. F. Leonard, A. A. Talin, Nat Nano 2011, 6, 773.
49. a) Y. Ochiai, J. Fujita, S. Matsui, J. Vacuum Sci. Technol. B 1996, 14, 3887
50. b) X. Wang, C. S. Ozkan, Nano Lett. 2008, 8, 398.
51. Y. Huang, X. F. Duan, Q. Q. Wei, C. M. Lieber, Science 2001, 291, 630.
52. a) S. Jin, D. Whang, M. C. McAlpine, R. S. Friedman, Y. Wu, C. M. Lieber, Nano Lett. 2004, 4, 915
53. b) L. Mai, Y. Gu, C. Han, B. Hu, W. Chen, P. Zhang, L. Xu, W. Guo, Y. Dai, Nano Lett. 2009, 9, 826.
54. a) J. Li, V. Janout, S. L. Regen, J. Am. Chem. Soc. 2005, 128, 682
55. b) J. Park, G. Shin, J. S. Ha, Nanotechnology 2008, 19, 395303.
56. B. Amir Parviz, D. Ryan, G. M. Whitesides, IEEE Trans. Adv. Packaging 2003, 26, 233.
57. J. Lee, A. A. Wang, Y. Rheem, B. Yoo, A. Mulchandani, W. Chen, N. V. Myung, Electroanalysis 2007, 19, 2287.
58. S. Myung, M. Lee, G. T. Kim, J. S. Ha, S. Hong, Adv. Mater. 2005, 17, 2361.
59. K. J. M. Bishop, C. E. Wilmer, S. Soh, B. A. Grzybowski, Small 2009, 5, 1600.
60. K. Keshoju, H. Xing, L. Sun, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 123114.
61. S. W. Lee, M. H. Ham, J. P. Kar, W. Lee, J. M. Myoung, Microelectron. Engin. 2010, 87, 10.
62. a) S. W. Lee, G. Jo, T. Lee, Y. G. Lee, Opt. Express 2009, 17, 17491
63. b) T. Yu, F. C. Cheong, C. H. Sow, Nanotechnol. 2004, 15, 1732
64. c) P. J. Pauzauskie, A. Radenovic, E. Trepagnier, H. Shroff, P. Yang, J. Liphardt, Nat. Mater. 2006, 5, 97.
65. H. A. Pohl, J. Appl. Phys. 1951, 22, 869.
66. P. A. Smith, C. D. Nordquist, T. N. Jackson, T. S. Mayer, B. R. Martin, J. Mbindyo, T. E. Mallouk, Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 1399.
67. R. Kretschmer, W. Fritzsche, Langmuir 2004, 20, 11797.
68. a) L. Yang, Anal. Lett. 2012, 45, 187
69. b) J. Regtmeier, R. Eichhorn, M. Viefhues, L. Bogunovic, D. Anselmetti, Electrophor. 2011, 32, 2253
70. c) U. Lei, Y. J. Lo, IET Nanobiotechnol. 2011, 5, 86.
71. L. Dong, J. Bush, V. Chirayos, R. Solanki, J. Jiao, Y. Ono, J. F. Conley, B. D. Ulrich, Nano Lett. 2005, 5, 2112.
72. a) S. Y. Lee, T. H. Kim, D. I. Suh, E. K. Suh, N. K. Cho, W. K. Seong, S. K. Lee, Appl. Phys. A 2007, 87, 739
73. b) X. F. Duan, Y. Huang, Y. Cui, J. F. Wang, C. M. Lieber, Nature 2001, 409, 66
74. c) L. Shang, T. L. Clare, M. A. Eriksson, M. S. Marcus, K. M. Metz, R. J. Hamers, Nanotechnology 2005, 16, 2846.
75. a) D. A. Brown, J. H. Kim, H. B. Lee, G. Fotouhi, K. H. Lee, W. K. Liu, J. H. Chung, Sensors 2012, 12, 5725
76. b) A. Kuzyk, Electrophoresis 2011, 32, 2307
77. c) A. Yao, M. Tassieri, M. Padgett, J. Cooper, Lab Chip 2009, 9, 2568.
78. J. Huang, R. Fan, S. Connor, P. Yang, Angew. Chem. Int. Ed. 2007, 46, 2414.
79. X. Liu, C. Lee, C. Zhou, J. Han, Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 3329.
80. a) T. Claes, S. Lars, Nanotechnology 2002, 13, 108
81. b) G. Conache, S. Gray, M. Bordag, A. Ribayrol, L. E. Fröberg, L. Samuelson, H. Pettersson, L. Montelius, J. Phys. Conference Series 2008, 100, 52051
82. c) K. Reynolds, J. Komulainen, J. Kivijakola, P. Lovera, D. Iacopino, M. Pudas, J. Vähäkangas, J. Röning, G. Redmond, Nanotechnology 2008, 19, 485301.
83. R. Mateiu, Z. J. Davis, D. N. Madsen, K. Mølhave, P. Bøggild, A. M. Rassmusen, M. Brorson, C. J. H. Jacobsen, A. Boisen, Microelectron. Engin. 2004, 73-74, 670.
84. D. Wang, C. J. Otten, W. E. Buhro, J. G. Lu, IEEE Trans. Nanotechnol. 2004, 3, 328.
85. V. Eichhorn, M. Bartenwerfer, S. Fatikow, Micro Nanosystems 2010, 2, 32.
86. L. J. Brillson, Y. Lu, J. Appl. Phys. 2011, 109, 121301.
87. J. D. Meindl, Micro, IEEE 2003, 23, 28.
88. T. V. Blank, Y. A. Gol'dberg, Semiconductors 2007, 41, 1263.
89. a) J. O. Lee, C. Park, J. J. Kim, J. Kim, J. W. Park, K. H. Yoo, J. Phys. D Appl. Phys. 2000, 33, 1953
90. b) H. Maki, M. Suzuki, K. Ishibashi, Japanese J. Appl. Phys. 2004, 43, 2027
91. c) Y. Woo, G. S. Duesberg, S. Roth, Nanotechnology 2007, 18, 095203.
92. M. Chen, X. Song, S. Liu, Z. Gan, Q. Lv, Microsystem Technologies 2012, 18, 679.
93. H. Ye, Z. Gu, T. Yu, D. H. Gracias, IEEE Trans. Nanotechnol. 2006, 5, 62.
94. Q. Cui, F. Gao, S. Mukherjee, Z. Gu, Small 2009, 5, 1246-1257.
95. C. P. R. Dockendorf, M. Steinlin, D. Poulikakos, T. Y. Choi, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 193116.
96. a) B. Zhao, C. Chen, B. Yadian, P. Liu, Z. Li, D. Xu, Y. Zhang, Thin Solid Films 2009, 517, 2012
97. b) C. Chen, D. Xu, E. S. W. Kong, Y. Zhang, Electron Device Lett. IEEE 2006, 27, 852
98. c) C. Chen, Y. Lu, E. S. W. Kong, Y. Zhang, S.T. Lee, Small 2008, 4, 1313
99. d) W. Zhang, C. Chen, Y. Zhang, Microelectronics J. 2009, 40, 1681
100. e) C. Chen, L. Liu, Y. Lu, E. S.W. Kong, Y. Zhang, X. Sheng, H. Ding, Carbon 2007, 45, 436.
101. C. Chen, L. Yan, E. S. W. Kong, Y. Zhang, Nanotechnology 2006, 17, 2192.
102. a) G. Zimmermann, M. Lange, B. Cao, M. Lorenz, M. Grundmann, Phys. Status Solidi 2010, 4, 82
103. b) N. A. Melosh, A. Boukai, F. Diana, B. Gerardot, A. Badolato, P. M. Petroff, J. R. Heath, Science 2003, 300, 112.
104. a) C. S. Lao, J. Liu, P. X. Gao, L. Y. Zhang, D. Davidovic, R. Tummala, Z. L. Wang, Nano Lett. 2006, 6, 263
105. b) J. F. Lin, J. P. Bird, L. Rotkina, P. A. Bennett, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 802
106. c) T. Y. Choi, D. Poulikakos, J. Tharian, U. Sennhauser, Nano Lett. 2006, 6, 1589.
107. D. N. R. Madsen, K. Mø lhave, R. Mateiu, A. M. Rasmussen, M. Brorson, C. J. H. Jacobsen, P. Bøggild, Nano Lett. 2002, 3, 47.
108. a) T. Brintlinger, M. S. Fuhrer, J. Melngailis, I. Utke, T. Bret, A. Perentes, P. Hoffmann, M. Abourida, P. Doppelt, J. Vacuum Sci. Technol. B Microelectron. Nanometer Structures 2005, 23, 3147
109. b) V. Gopal, V. R. Radmilovic, C. Daraio, S. Jin, P. Yang, E. A. Stach, Nano Lett. 2004, 4, 2059.
110. A. Bachtold, M. Henny, C. Terrier, C. Strunk, C. Schönenberger, J. P. Salvetat, J.M. Bonard, L. Forrõ, Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 274.
111. a) D. W. Austin, A. A. Puretzky, D. B. Geohegan, P. F. Britt, M. A. Guillorn, M. L. Simpson, Chem. Phys. Lett. 2002, 361, 525
112. b) C. M. Hangarter, M. Bangar, S. C. Hernandez, W. Chen, M. A. Deshusses, A. Mulchandani, N. V. Myung, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 073104.
113. R. D. Armstrong, M. Todd, J. W. Atkinson, K. Scott, J. Appl. Electrochem. 1996, 26, 379.
114. a) E. Balaur, T. Djenizian, R. Boukherroub, J. N. Chazalviel, F. Ozanam, P. Schmuki, Electrochem. Commun. 2004, 6, 153
115. b) P. Bhatnagar, M. L. Free, Surf. Coatings Technol. 2006, 200, 6083.
116. a) C. Scheck, P. Evans, R. Schad, G. Zangari, L. Sorba, G. Biasiol, S. Heun, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 133108
117. b) A. Spiegel, L. Staemmler, M. Dobeli, P. Schmuki, J. Electrochem. Soc. 2002, 149, C432.
118. a) P. Allongue, E. Souteyrand, J. Electroanalyt. Chem. 1990, 286, 217
119. b) P. Allongue, E. Souteyrand, J. Electroanalyt. Chem. 1993, 362, 79
120. c) P. Allongue, E. Souteyrand, L. Allemand, J. Electroanalyt. Chem. 1993, 362, 89.
121. H. Cachet, M. Froment, E. Souteyrand, C. Dennig, J. Electrochem. Soc. 1992, 139, 2920.
122. P. Bindra, H. Gerischer, D. M. Kolb, J. Electrochem. Soc. 1977, 124, 1012.
123. G. Oskam, J. G. Long, A. Natarajan, P. C. Searson, J. Phys. D Appl. Phys. 1998, 31, 1927.
124. S. Ingole, P. Aella, S. J. Hearne, S. T. Picraux, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 33103.
125. a) C. M. Hangarter, M. Bangar, S. C. Hernandez, W. Chen, M. A. Deshusses, A. Mulchandani, N. V. Myung, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 073104
126. b) C. M. Hangarter, M. Bangar, A. Mulchandani, N. V. Myung, J. Mater. Chem. 2010, 20, 3131.
127. M. Liebau, E. Unger, G. S. Duesberg, A. P. Graham, R. Seidel, F. Kreupl, W. Hoenlein, Appl. Phys. A Mater. Sci. Proc. 2003, 77, 731.
128. Y. D. Gamburg, G. Zangari, Theory and Practice of Metal Electrodeposition, Springer, New York 2011, pp. 97-122.
129. A. J. Bard, L. R. Faulkner, Electrochemical Methods: Fundamentals and Applications, Wiley, USA 2001, Ch. 4.
130. a) W. René, Electrochim. Acta 1994, 39, 1091
131. b) W. Tohru, Nano Plating-Microstructure Formation Theory of Plated Films and a Database of Plated Films, Elsevier, Oxford, UK 2004, Ch. 1.
132. M. Zhang, Z. Zhou, X. Yang, X. Ye, Z. L. Wang, Electrochem. Solid State Lett. 2008, 11, D69.
133. M. Zhang, Z. Zhou, X. Yang, X. Ye, Electrochem. Commun. 2008, 10, 1559.
134. C. A. Santini, D. J. Cott, A. Romo-Negreira, B. D. Capraro, S. R. Sanseverino, S. D. Gendt, G. Groeseneken, P. M. Vereecken, Nanotechnology 2010, 21, 245604.
135. J. Kim, W. A. Anderson, Y. J. Song, G. B. Kim, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 253101.
136. S. S. Yi, G. Girolami, J. Amano, M. Saif Islam, S. Sharma, T. I. Kamins, I. Kimukin, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 133121.
137. A. Nerowski, M. Poetschke, M. Bobeth, J. Opitz, G. Cuniberti, Langmuir 2012, 28, 7498.
138. P. S. Thapa, B. J. Ackerson, D. R. Grischkowsky, B. N. Flanders, Nanotechnology 2009, 20, 235307
139. a) G. A. Steele, G. Gotz, L. P. Kouwenhoven, Nat. Nanotechnol. 2009, 4, 363
140. b) A. K. Hüttel, G. A. Steele, B. Witkamp, M. Poot, L. P. Kouwenhoven, H. S. J. van der Zant, Nano Lett. 2009, 9, 2547
141. c) T. I. Kamins, S. Sharma, A. A. Yasseri, Z. Li, J. Straznicky, Nanotechnology 2006, 17, S291.
142. a) S. Dittmer, J. Svensson, E. E. B. Campbell, Curr. Appl. Phys. 2004, 4, 595
143. b) A. Ural, Y. Li, H. Dai, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 3464
144. c) S. Huang, B. Maynor, X. Cai, J. Liu, Adv. Mater. 2003, 15, 1651.
145. a) M. Zheng, A. Jagota, E. D. Semke, B. A. Diner, R. S. Mclean, S. R. Lustig, R. E. Richardson, N. G. Tassi, Nat. Mater. 2003, 2, 338
146. b) M. S. Arnold, A. A. Green, J. F. Hulvat, S. I. Stupp, M. C. Hersam, Nat. Nanotechnol. 2006, 1, 60
147. c) R. Krupke, F. Hennrich, H. v Löhneysen, M. M. Kappes, Science 2003, 301, 344
148. d) X. Tu, S. Manohar, A. Jagota, M. Zheng, Nature 2009, 460, 250
149. e) P. G. Collins, M. S. Arnold, P. Avouris, Science 2001, 292, 706
150. f) F. Zheng, Z. Zhou, X. Yang, Y. Tang, Y. Wu, Carbon 2010, 48, 2169
151. g) M. Zdrojek, M. J. Esplandiu, A. Barreiro, A. Bachtold, Phys. Rev. Lett. 2009, 102, 226804.
152. Y. Li, D. Mann, M. Rolandi, W. Kim, A. Ural, S. Hung, A. Javey, J. Cao, D. Wang, E. Yenilmez, Q. Wang, J. F. Gibbons, Y. Nishi, H. Dai, Nano Lett. 2004, 4, 317.
153. Y. Yao, Q. Li, J. Zhang, R. Liu, L. Jiao, Y. T. Zhu, Z. Liu, Nat. Mater. 2007, 6, 293.
154. E. Joselevich, C. M. Lieber, Nano Lett. 2002, 2, 1137.
155. D. Grimm, A. Grüneis, C. Kramberger, M. Rümmeli, T. Gemming, B. Büchner, A. Barreiro, H. Kuzmany, R. Pfeiffer, T. Pichler, Chem. Phys. Lett. 2006, 428, 416.
156. A. B. Artyukhin, M. Stadermann, R. W. Friddle, P. Stroeve, O. Bakajin, A. Noy, Nano Lett. 2006, 6, 2080.
157. a) R. Seidel, M. Liebau, G. S. Duesberg, F. Kreupl, E. Unger, A. P. Graham, W. Hoenlein, W. Pompe, Nano Lett. 2003, 3, 965
158. b) J. Kong, H. T. Soh, A. M. Cassell, C. F. Quate, H. Dai, Nature 1998, 395, 878.
159. a) M. S. Islam, Proc. SPIE 2004, 5593, 101
160. b) M. S. Islam, S. Sharma, T. I. Kamins, R. S. Williams, Nanotechnology 2004, 15, L5
161. c) M. Saif Islam, S. Sharma, T. I. Kamins, R. Stanley Williams, Appl. Phys. A Mater. Sci. Proc. 2005, 80, 1133.
162. M. Tabib-Azar, M. Nassirou, R. Wang, S. Sharma, T. I. Kamins, M. S. Islam, R. S. Williams, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 113102.
163. I. Talukdar, B. Ozturk, B. N. Flanders, T. D. Mishima, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 221907
164. B. Ozturk, B. N. Flanders, D. R. Grischkowsky, T. D. Mishima, Nanotechnology 2007, 18, 175707
165. P. S. Thapa, D. J. Yu, J. P. Wicksted, J. A. Hadwiger, J. N. Barisci, R. H. Baughman, B. N. Flanders, Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 033104
166. C. D. Cheng, R. K. Gonela, Q. Gu, D. T. Haynie, Nano Lett. 2005, 5, 175.
167. B. Ozturk, I. Talukdar, B. N. Flanders, Nanotechnology 2007, 18, 365302
168. J. K. Kawasaki, C. B. Arnold, Nano Lett. 2011, 11, 781.
169. a) M. Hyun, S. Choi, Y. W. Lee, S. H. Kwon, S. W. Han, J. Kim, Electroanalysis 2011, 23, 2030
170. b) H. Martin, P. Carro, A. H. Creus, S. Gonzalez, R. C. Salvarezza, A. J. Arvia, J. Phys. Chem. B 1999, 103, 3900.
171. a) J. Fan, Z. Zhou, X. Yang, W. Liu, J. Li, Z. Wang, Electrochem. Solid State Lett. 2012, 15, E7
172. b) M. Zhang, X. Yang, Z. Zhou, X. Ye, Electrochem. Commun. 2013, 27, 133.
173. a) E. B. Budevski, G. T. Staikov, W. J. Lorenz, Electrochemical Phase Formation and Growth: An Introduction to the Initial Stages of Metal Deposition, Wiley-VCH, Germany 2008, Ch. 2
174. b) E. W. Dickson, M. H. Jacobs, D. W. Pashley, Philos. Magazine 1965, 11, 575.
175. K. G. Libbrecht, V. M. Tanusheva, Phys. Rev. Lett. 1998, 81, 176.
176. N. Ranjan, H. Vinzelberg, M. Mertig, Small 2006, 2, 1490.
177. T. H. Lin, C. W. Lin, H. H. Liu, J. T. Sheu, W. H. Hung, Chem. Commun. 2011, 47, 2044.
178. T. J. Morrow, M. Li, J. Kim, T. S. Mayer, C. D. Keating, Science 2009, 323, 352.
179. S. B. Cronin, Y. M. Lin, O. Rabin, M. R. Black, J. Y. Ying, M. S. Dresselhaus, P. L. Gai, J. P. Minet, J. P. Issi, Nanotechnology 2002, 13, 653.
180. Y. Lu, H. F. Ji, Electrochem. Commun. 2008, 10, 222.