Two-Terminal nanoelectromechanical devices based on germanium nanowires

Nano Letters

Volumn 9, Issue 5, 2009, Pages 1824-1829

  Andzane, Jana ^a   Petkov, Nikolay ^b,c   Livshits, Aleksandrs I ^a   Boland, John J ^d   Holmes, Justin D ^b,d   Erts, Donats ^a,d  

^a UNIVERSITY OF LATVIA   (Latvia)

^b UNIVERSITY COLLEGE CORK   (Ireland)

^c UNIVERSITY COLLEGE CORK   (Ireland)

^d TRINITY COLLEGE DUBLIN   (Ireland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

1D NANOSTRUCTURES; ADHESION FORCES; APPLIED VOLTAGES; BISTABLE DEVICES; FAILURE CONDITIONS; GERMANIUM NANOWIRES; HIGH VOLTAGE DEVICES; IN-SITU TEM; NANOELECTROMECHANICAL DEVICES; POTENTIAL APPLICATIONS; STM TECHNIQUE; SURFACE OXIDE LAYER;

ELECTRIC WIRE; GERMANIUM; MECHANICAL STABILITY; NANOWIRES;

CARBON NANOTUBES;

EID: 66449099313     PISSN: 15306984     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl8037807     Document Type: Article

References (52)

1. Ekinci, K. L.; Roukes, M. L. Rev. Sci. Instrum. 2005, 76, 061101.
2. He, R.; Feng, X. L.; Roukes, M. L.; Yang, P. Nano Lett. 2008, 8, 1756.
3. Verbridge, S. S.; Craighead, H. G.; Parpia, J. M. Appl. phys. Lett. 2008, 92, 013112.
4. Huang, M. H.; Zorman, C. A.; Mehregany, M.; Roukes, M. L. Nature (London) 2003, 421, 496.
5. Sazonova, V.; Yaish, Y.; Ustunel, H.; Roundy, D.; Arias, T. A.; McEuen, P. L. Nature (London) 2004, 431, 284.
6. Husain, A.; Hone, J.; Ch. Postma, H. W.; Huang, X. M. H.; Drake, T.; Barbie, M.; Scherer, A.; Roukes, M. L. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 1240.
7. Li, M.; Mayer, T. S.; Sioss, J. A.; Keating, C. D.; Bhiladvala, R. B. Nano Lett. 2007, 7, 3281.
8. Feng, X. L.; He, R.; Yang, P.; Roukes, M. L. Nano Lett. 2007, 7, 1953.
9. Kim, P.; Lieber, C. M. Science 1999, 126, 2148.
10. Akita, S.; Nakayama, Y.; Mizooka, S.; Takano, Y.; Okawa, T.; Miyatake, Y.; Yamanaka, S.; Tsuji, S. M.; Nosaka, T. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 1691.
11. Lee, S.; Lee, D.; Morjan, R.; Jhang, S.; Sveningsson, M.; Nerushev, O.; Park, Y.; Campbell, E. Nano Lett. 2004, 4, 2027.
12. Hwang, H. J.; Kang, J. W. Physica E 2005, 27, 163.
13. Ziegler, K. J.; Lyons, D. M.; Holmes, J. D.; Erts, D.; Polyakov, B.; Olin, H.; Olsson, E.; Svensson, K. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 4074.
14. Viasnoff, V.; Meller, A.; Isambert, H. Nano Lett. 2006, 6, 101.
15. Chen, Z.; Tong, L.; Wu, Z.; Liu, Z. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 103116.
16. Jang, J. E.; Cha, S. N.; Choi, Y. J.; Kang, D. J.; Butle, T. P.; Hasko, D. G.; Jung, J. E.; Kim, J. M.; Amaratunga, G. A. J. Nat. Nanotechnol. 2008, 3,26.
17. Jang, W. W.; Lee, J. O.; Joon, J. B.; Kim, M. S.; Lee, J. M.; Kim, S. M.; Cho, K. H.; Kim, D. W.; Park, D.; Lee, W. S. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 103110.
18. Ke, C.; Espinosa, H. D. Small 2006, 2, 1484.
19. Jang, J. E.; Cha, S. N.; Choi, Y.; Gehan, A. J.; Amaratunga, A. J.; Kang, D. J.; Hasko, H. G.; Jung, J. E.; Kim, J. M. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 163114.
20. Rueckes, T.; Kim, K.; Joslevich, E.; Tseng, G. Y.; Cheung, C.-L.; Lieber, C. M. Science 2000, 289,94.
21. Ilic, B.; H. Craighead, G.; Krylov, S.; Senaratne, W.; Ober, C.; Neuzil, P. J. Appl. Phys. 2004, 95, 3694.
22. Ekinci, K. L.; Huang, X. M. H.; Roukes, M. L. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 4469.
23. Ekinci, K. L.; Yang, Y. T.; Roukes, M. L. J. Appl. Phys. 2004, 95, 2682.
24. Yang, Y. T.; Callegari, C.; Feng, X. L.; Ekinci, K. L.; Roukes, M. L. Nano Lett. 2006, 6, 583.
25. Ilic, B.; Yang, Y.; Craighead, H. G. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 2604.
26. Lee, C.; Radhakrishnan, R.; Chen, C. C.; Li, J.; Thillaigovindan, J.; Balasubramanian, N. J. Lightwave Technol. 2008, 26, 839.
27. Roukes, M. L. Phys. World 2001, 14,25.
28. Cho, A. Science 2003, 299,36.
29. Armour, A. D.; Blencowe, M. P.; Schwab, K. C. Phys. Rev. Lett. 2002, 88, 148301.
30. Melosh, N. A.; Boukai, A.; Diana, F.; Gerardot, B.; Badolato, A.; Petroff, P. M.; Heath, J. R. Science 2003, 300, 112.
31. Kinaret, J.; Nord, T.; Viefers, S. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 1287.
32. Li, X. Q.; Koo, S. M.; Richter, C. A.; Edelstein, M. D.; Bonevich, J. E.; Kopanski, J. J.; Suehle, J. S.; Vogel, E. M. IEEE Trans. Nanotechnol. 2007, 6, 256.
33. Ryan, K. M.; Erts, D.; Olin, H.; Morris, M. A.; Holmes, J. D. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 6284.
34. Dequesnes, M.; Rotkin, S. V.; Aluru, N. R. Nanotechnology 2002, 13, 120.
35. Bulashevich, K. A.; Rotkin, S. V. JETP Lett. (Engl. Transl.) 2002, 75, 205.
36. Dujardin, E.; Derycke, V.; Goffman, M. F.; Lefevre, R.; Bourgoin, J. P. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 193107.
37. Holmes, J. D.; Johnston, K. P.; Doty, R. C.; Korgel, B. A. Science 2002, 287, 1471.
38. Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices; Wiley-Interscience: New York, 1981.
39. Moore, G. E. Electronics 1965, 38,84.
40. Erts, D.; Olin, H.; Ryen, L.; Olsson, E.; Tholen, A. Phys. Rev.B: Condens. Mater. Phys. 2000, 61, 12725.
41. Erts, D.; Lohmus, A.; Lohmus, R.; Olin, H. Appl. Phys. A 2001, 72, S71.
42. Ngo, L. T.; Almecija, D.; Sader, J. E.; Daly, B.; Petkov, N.; Holmes, J. D.; Erts, D.; Boland, J. J. Nano Lett. 2006, 6, 2964.
43. Lantz, M. A.; O'Shea, S. J.; Welland, M. E. Phys. Rev. B: Condens. Mater. Phys. 1997, 56, 15345.
44. Erts, D.; Lohmus, A.; Lohmus, R.; Olin, H.; Pokropivny, A. V.; Ryen, L.; Svensson, K. Appl. Surf. Sci. 2002, 188, 460.
45. Maugis, D. Contact Adhesion and Rupture of Elastic Solids; Springer: Berlin, 2000.
46. Carpick, R. W.; Ogletree, D. F.; Salmeron, M. J. Colloid Interface Sci. 1999, 211, 395.
47. Timoshenko, S.; Goodier, J. Theory of Elasticity; McGraw-Hill: New York, 1970.
48. Johnson, K. L.; Kendall, K.; Roberts, A. D. Proc. R. Soc. London, Ser. A 1971, 324, 301.
49. Derjaguin, B. V.; Muller, V. M.; Toporov, Y. P. J. J. Colloid Interface Sci. 1975, 53, 314.
50. Tabor, D.; Winterton, R. H. S. Proc. R. Soc. London, Ser. A 1975, 312, 435.
51. Maugis, D. J. Colloid Interface Sci. 1992, 150, 243.
52. Agrait, N.; Rubio, G.; Vieira, S. Langmuir 1996, 12, 4505.