ZnO nanorod logic circuits

Advanced Materials

Volumn 17, Issue 11, 2005, Pages 1393-1397

  Park, Won Il ^a   Kim, Jin Suk ^a   Yi, Gyu Chul ^a   Lee, Hu Jong ^a  

^a Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONCENTRATION (PROCESS); CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ELECTRODES; LOGIC GATES; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MOSFET DEVICES; NANOSTRUCTURED MATERIALS; OHMIC CONTACTS; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SINGLE CRYSTALS; TRANSCONDUCTANCE; ZINC OXIDE;

ELECTRONIC CIRCUITS; SCHOTTKY GATES; SEMICONDUCTING OXIDE NANORODS; TRANSISTOR CHANNELS;

LOGIC CIRCUITS;

EID: 20444449735     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200401732     Document Type: Article

References (32)

1. Z. W. Pan, Z. R. Dai, Z. L. Wang, Science 2001, 297, 1947.
2. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, P. Yang, Science 2001, 292, 1897.
3. W. I. Park, G. -C. Yi, M. Kim, S. J. Pennycook, Adv. Mater. 2003, 15, 526.
4. Z. R. Tian, J. A. Voigt, J. Liu, B. Mckenzie, M. J. Mcdermott, M. A. Rodriguez, H. Konishi, H. Xu, Not. Mater. 2003, 2, 821.
5. B. H. Park, B. S. Kang, S. D. Bu, T. W. Non, J. Lee, W. Jo, Nature 1999, 401, 682.
6. K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, Science 2003, 300, 1269.
7. H. Ohta, H. Hosono, Mater. Today 2004, 7, 42.
8. Y. Matsumoto, M. Murakami, T. Shono, T. Hasegawa, T. Fukumura, M. Kawasaki, P. Ahmet, T. Chikyow, S. Koshihara, H. Koinuma, Science 2001, 291, 854.
9. M. S. Arnold, Ph. Avouris, Z. W. Pan, Z. L. Wang, J. Phys. Chem. B. 2003, 107, 659.
10. C. Li, B. Lei, D. Zhang, X. Liu, S. Han, T. Tang, M. Rouhanizadeh, T. Hsiai, C. Zhou, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 4014.
11. R. L. Huffman, B. J. Norris, J. F. Wager, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 733.
12. W. I. Park, J. S. Kim, G.-C. Yi, M. H. Bae, H.-J. Lee, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5052.
13. Y. W. Heo, L. C. Tien, D. P. Norton, S. J. Pearton, B. S. Kang, F. Ren, J. R. LaRoche, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 3107.
14. W. I. Park, D. H. Kim, S.-W. Jung, G.-C. Yi, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 4232.
15. B. J. Coppa, R. F. Davis, R. J. Nemanich, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 400.
16. H. Sheng, S. Muthukumar, N. W. Emanetoglu, Y. Lu, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 2132.
17. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed., Wiley, New York 1981, Ch. 2-3.
18. R. C. Neville, C. A. Mead, J. Appl. Phys. 1970, 41, 3795.
19. G. D. J. Smit, S. Rogge, T. M. Klapwijk, Appl. Phys. Lett. 2003, 80, 2568.
20. Ph. Avouris, I.-W. Lyo, Y. Hasegawa, J. Vac. Sci. Technol. A 1993, 11, 1725.
21. W. I. Park, G.-C. Yi, J.-W. Kim, S.-M. Park, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 4358.
22. J.-R. Kim, H. Oh, H. M. So, J.-J. Kim, J. Kim, C. J. Lee, S. C. Lyu, Nanotechnology 2002, 13, 701.
23. D. A. Figueredo, M. P. Zurakowski, S. S. Elliott, W. J. Anklam, S. R. Sloan, Appl. Phys. Lett. 2001, 52, 1395.
24. M. A. Khan, J. N. Kuznia, A. R. Bhattarai, D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 1993, 62, 1786.
25. R. Gaska, M. S. Shut, X. Hu, J. W. Yang, A. Tarakji, G. Simin, A. Khan, J. Deng, T. Werner, S. Rumyantsev, N. Pala, Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 769.
26. P. G. Neudeck, M. S. Carpenter, M. R. Melloch, J. A. Cooper, IEEE Electron. Device Lett. 1991, 12, 553.
27. Y. Huang, X. Duan, Y. Cui, L. J. Lauhon, K.-H. Kim, C. M. Lieber, Science 2001, 294, 1313.
28. A. Bachtold, P. Hadley, T. Nakanishi, C. Dekker, Science 2001, 294, 1317.
29. A. Javey, Q. Wang, A. Ural, Y. Li, H. Dai, Nano Lett. 2002, 2, 929.
30. R. H. Katz, Contemporary Logic Design, Benjamin/Cummings, Redwood City, California 1994, Appendix B.
31. D. Whang, S. Jin, Y. Wu, C. M. Lieber, Nano Lett. 2003, 3, 1255.
32. S. Zhu, Y. Zhu, N. Ming, Science 1997, 278, 843.