Depletion-mode ZnO nanowire field-effect transistor

Applied Physics Letters

Volumn 85, Issue 12, 2004, Pages 2274-2276

  Heo, Y W ^a   Tien, L C ^a   Kwon, Y ^a   Norton, D P ^a   Pearton, S J ^a   Kang, B S ^a   Ren, F ^a  

^a University of Florida   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHANNEL CONDUCTIVITY; CHANNEL MOBILITY; NANOWIRES; SITE SELECTIVE MOLECULAR-BEAM EPITAXY;

CARRIER CONCENTRATION; ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY; GATES (TRANSISTOR); LEAKAGE CURRENTS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MOSFET DEVICES; PHOTOCURRENTS; SATURATION (MATERIALS COMPOSITION); SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SINGLE CRYSTALS; SURFACES; THRESHOLD VOLTAGE; TRANSCONDUCTANCE; TRANSPORT PROPERTIES; ULTRAVIOLET RADIATION; ZINC OXIDE;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 7044222794     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1794351     Document Type: Article

References (38)

1. R. L. Hoffman, J. Appl. Phys. 95, 5813 (2004).
2. Y. Ohya, T. Niwa, T. Ban, and Y. Takahashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 297 (2001).
3. Y. Kwon, Y. Li, Y. W. Heo, M. Jones, P. H. Holloway, D. P. Norton, Z. V. Park, and S. Li, Appl. Phys. Lett. 84, 2685 (2004).
4. S. Masuda, K. Kitamura, Y. Okumura, and S. Miyatake, S. Appl. Phys. 93, 1624 (2003).
5. R. L. Hoffman, B. J. Norris, and J. F. Wager, Appl. Phys. Lett. 82, 733 (2003).
6. P. F. Carcia, R. S. McLean, M. H. Reilly, and G. Nunes, Jr., Appl. Phys. Lett. 82, 1117 (2003).
7. P. F. Carcia, R. S. McLean, M. H. Reilly, I. Malajovich, K. O. Sharp, S. Agrawal, and G. Nunes, Jr., Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 769, H7.2.1 (2003).
8. J. F. Wager, Science 300, 1245 (2003).
9. K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Science 300, 1269 (2003).
10. J. Nishii, F. M. Hossain, S. Takagi, T. Aita, K. Saikusa, Y. Ohmaki, I. Ohkubo, S. Kishimoto, A. Ohtomo, T. Fukumura, F. Matsukura, Y. Ohno, H. Koinuma, H. Ohno, and M. Kawasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L347 (2003).
11. H. Ohta and H. Hosono, Mater. Today 7, 42 (2004).
12. R. L. Hoffman, J. Appl. Phys. 95, 5813 (2004).
13. Y. Ohya, T. Niwa, T. Ban, and Y. Takahashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 297 (2001).
14. Y. Kwon, Y. Li, Y. W. Heo, M. Jones, P. H. Holloway, D. P. Norton, Z. V. Park, and S. Li, Appl. Phys. Lett. 84, 2685 (2004).
15. S. Masuda, K. Kitamura, Y. Okumura, and S. Miyatake, J. Appl. Phys. 93, 1624 (2003).
16. R. L. Hoffman, B. J. Norris, and J. F. Wager, Appl. Phys. Lett. 82, 733 (2003).
17. P. F. Carcia, R. S. McLean, M. H. Reilly, and G. Nunes, Jr., Appl. Phys. Lett. 82, 1117 (2003).
18. P. F. Carcia, R. S. McLean, M. H. Reilly, I. Malajovich, K. G. Sharp, S. AgrawaI, and G. Nunes, Jr., Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 769, H7.2.1 (2003).
19. J. F. Wager, Science 300, 1245 (2003).
20. K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Science 300, 1269 (2003).
21. J. Nishii, F. M. Hossain, S. Takagi, T. Aita, K. Saikusa, Y. Ohmaki, I. Ohkubo, S. Kishimoto, A. Ohtomo, T. Fukumura, F. Matsukura, Y. Ohno, H. Koinuma, H. Ohno, and M. Kawasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L347 (2003).
22. H. Ohta and H. Hosono, Mater. Today 7, 42 (2004).
23. See, for example, Proceedings of the 3rd International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics, Tokyo, Japan, 10-11 April 2003, edited by H. Hosono, D. S. Ginley, N. Ichinose, and Y. Shigesato [Hun Solid Films 445, 155 (2003)].
24. See, for example, Proceedings of the 3rd International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics, Tokyo, Japan, 10-11 April 2003, edited by H. Hosono, D. S. Ginley, N. Ichinose, and Y. Shigesato [Hun Solid Films 445, 155 (2003)].
25. Q. Wan, Q. H. Li, Y. J. Chen, T. H. Wang, X. L. He, J. P. Li, and C. L. Lin, Appl. Phys. Lett. 84, 3654 (2004).
26. Q. Wan, Q. H. Li, Y. J. Chen, T. H. Wang, X. L. He, X. G. Gao, and J. P. Li, Appl. Phys. Lett. 84, 3654 (2004).
27. K. Keem, H. Kim, G. T. Kim, I. S. Lee, B. Min, K. Cho, M. Y. Sung, and S. Kim, Appl. Phys. Lett. 84, 4376 (2004).
28. D. C. Look, Mater. Sci. Eng., B 80, 383 (2001).
29. M. Wraback, H. Shen, S. Liang, C. R. Gorla, and Y. Lu, Appl. Phys. Lett. 76, 507 (1999)
30. C. R. Gorla, N. W. Emanetoglu, S. Liang, W. E. Mayo, Y. Lu, M. Wraback, and H. Shen, J. Appl. Phys. 85, 2595 (1999).
31. S. Krishnamoorthy, A. A. Iliadis, A. Inumpudi, S. Choopun, R. D. Vispute, and T. Venkatesan, Solid-State Electron. 46, 1631 (2002).
32. S. J. Pearton, D. P. Norton, K. Ip, Y. W. Heo, and T. Steiner, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 932 (2004).
33. Z. L. Wang, Mater. Today 7, 26 (2004).
34. Q. H. Li, Q. Wan, Y. X. Liang, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 84, 4556 (2004).
35. K. Keem, H. Kim, G. T. Kim, J. S. Lee, B. Min, K. Cho, M. Y. Sung, and S. Kim, Appl. Phys. Lett. 84, 4376 (2004).
36. B. H. Kind, H. Yan B. Messer, M. Law, and P. Yang, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 158 (2002).
37. Y. W. Heo, V. Varadarjan, M. Kaufman, K. Kim, D. P. Norton, F. Ren, and P. H. Fleming, Appl. Phys. Lett. 81, 3046 (2002).
38. D. P. Norton, Y. W. Heo, M. P. Ivill, K. Ip, S. J. Pearton, M. F. Chisholm, and T. Steiner, Mater. Today 7, 34 (2004).