Reduction of gold penetration through phenyl-terminated alkyl monolayers on silicon

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 116, Issue 32, 2012, Pages 17040-17047

  Popoff, Richard T W ^a   Zavareh, Azadeh A ^a   Kavanagh, Karen L ^a   Yu, Hua Zhong ^a  

^a SIMON FRASER UNIVERSITY   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALKYL MONOLAYERS; BALLISTIC CURRENT; BALLISTIC ELECTRON EMISSION MICROSCOPY; BARRIER HEIGHTS; BURIED INTERFACE; GOLD ATOMS; GOLD ELECTRODES; HYDROGEN-TERMINATED SILICON; IDEALITY FACTORS; INTERMOLECULAR INTERACTIONS; LOCAL BARRIER HEIGHTS; MERCURY DROP; MONOLAYER STRUCTURES; REVERSE-BIAS; SILICON JUNCTION; SURFACE DENSITY;

BALLISTICS; CRYSTAL ATOMIC STRUCTURE; ELECTRIC PROPERTIES; GOLD; GOLD DEPOSITS; HYDROGEN; MERCURY (METAL);

MONOLAYERS;

EID: 84865108342     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp304351b     Document Type: Article

References (64)

1. Iwai, H.; Ohmi, S. i. Microelectron. Reliab. 2002, 42, 465-491
2. Haick, H.; Cahen, D. Acc. Chem. Res. 2008, 41, 359-366
3. Haick, H.; Cahen, D. Prog. Surf. Sci. 2008, 83, 217-261
4. Popoff, R. T. W.; Kavanagh, K. L.; Yu, H. Z. Nanoscale 2011, 3, 1434-1445
5. Aswal, D. K.; Lenfant, S.; Guerin, D.; Yakhmi, J. V.; Vuillaume, D. Anal. Chim. Acta 2006, 568, 84-108
6. Boukherroub, R. Curr. Opin. Solid State Mater. Sci. 2005, 9, 66-72
7. Buriak, J. M. Chem. Rev. 2002, 102, 1271-1308
8. Fujihira, M.; Suzuki, M.; Fujii, S.; Nishikawa, A. Chem. Phys. Phys. Chem. 2006, 8, 3876-3884
9. Walsh, M. A.; Hersam, M. C. Annu. Rev. Phys. Chem. 2009, 60, 193-216
10. Li, W.; Kavanagh, K. L.; Matzke, C. M.; Talin, A. A.; Léonard, F.; Faleev, S.; Hsu, J. W. P. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 6252-6256
11. Li, W. J.; Kavanagh, K. L.; Talin, A. A.; Clift, W. M.; Matzke, C. M.; Hsu, J. W. P. J. Appl. Phys. 2007, 102, 013703
12. Haick, H.; Pelz, J. P.; Ligonzo, T.; Ambrico, M.; Cahen, D.; Cai, W.; Marginean, C.; Tivarus, C.; Tung, R. T. Phys. Status Solidi A 2006, 203, 3438-3451
13. Choi, J. Y.; Ahmed, S.; Dimitrova, T.; Chen, J. T. C.; Schroder, D. K. IEEE Trans. Electron Devics 2004, 51, 1380-1384
14. Asanuma, H.; Bishop, E. M.; Yu, H. Z. Electrochim. Acta 2007, 52, 2913-2919
15. Hiremath, R. K.; Rabinal, M. K.; Mulimani, B. G.; Khazi, I. M. Langmuir 2008, 24, 11300-11306
16. Knapp, D.; Brunschwig, B. S.; Lewis, N. S. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 12300-12307
17. Liu, Y. J.; Yu, H. Z. ChemPhysChem 2002, 3, 799-802
18. Liu, Y. J.; Yu, H. Z. ChemPhysChem 2003, 4, 335-342
19. Seitz, O.; Dai, M.; Aguirre-Tostado, F. S.; Wallace, R. M.; Chabal, Y. J. J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 18159-18167
20. Stein, N.; Korobko, R.; Yaffe, O.; Lavan, R. H.; Shpaisman, H.; Tirosh, E.; Vilan, A.; Cahen, D. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 12769-12776
21. Coll, M.; Miller, L. H.; Richter, L. J.; Hines, D. R.; Jurchescu, O. D.; Gergel-Hackett, N.; Richter, C. A.; Hacker, C. A. J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 12451-12457
22. Coll, M.; Richter, C. A.; Hacker, C. A. J. Vac. Sci. Technol. B 2009, 27, 2826-2831
23. Kuikka, M. A.; Li, W. J.; Kavanagh, K. L.; Yu, H. Z. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 9081-9088
24. Maisch, S.; Buckel, F.; Effenberger, F. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 17315-17322
25. Asanuma, H.; Noguchi, H.; Huang, Y. F.; Uosaki, K.; Yu, H. Z. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 21139-21146
26. Seitz, O.; Bocking, T.; Salomon, A.; Gooding, J. J.; Cahen, D. Langmuir 2006, 22, 6915-6922
27. Scheres, L.; Giesbers, M.; Zuilhof, H. Langmuir 2010, 26, 4790-4795
28. Popoff, R. T. W.; Asanuma, H.; Yu, H. Z. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 10866-10872
29. Kondo, M.; Mates, T. E.; Fischer, D. A.; Wudl, F.; Kramer, E. J. Langmuir 2010, 26, 17000-17012
30. Hiremath, R. K.; Mulimani, B. G.; Rabinal, M. K.; Khazi, I. M. J. Phys.: Condens. Matter 2007, 19, 446003
31. Wasserman, S. R.; Whitesides, G. M.; Tidswell, I. M.; Ocko, B. M.; Pershan, P. S.; Axe, J. D. J. Am. Chem. Soc. 1989, 111, 5852-5861
32. Palomaki, P. K. B.; Krawicz, A.; Dinolfo, P. H. Langmuir 2011, 27, 4613-4622
33. Yu, H. Z.; Morin, S.; Wayner, D. D. M.; Allongue, P.; de Villeneuve, C. H. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 11157-11161
34. Fujiwara, H. Spectroscopic Ellipsometry: Principles and Applications; John Wiley & Sons, Inc.: Chichester, U.K., 2007.
35. Rhoderick, E. H.; Williams, R. H. Metal-Semiconductor Contacts, 2 nd ed.; Clarendon Press: Oxford, U. K., 1988.
36. Sze, S. M.; K., N. K. Physics of Semiconductor Devices, 3 rd ed.; John Wiley & Sons, Inc.: Hoboken, NJ, 2007.
37. Bhushan, B.; Pan, Y. L. Langmuir 2011, 27, 9425-9429
38. Bell, L. D.; Kaiser, W. J. Phys. Rev. Lett. 1988, 61, 2368-2371
39. Kaiser, W. J.; Bell, L. D. Phys. Rev. Lett. 1988, 60, 1406-1409
40. Hacker, C. A.; Richter, C. A.; Gergel-Hackett, N.; Richter, L. J. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 9384-9392
41. Linford, M. R.; Fenter, P.; Eisenberger, P. M.; Chidsey, C. E. D. J. Am. Chem. Soc. 1995, 117, 3145-3155
42. Mischki, T. K.; Donkers, R. L.; Eves, B. J.; Lopinski, G. P.; Wayner, D. D. M. Langmuir 2006, 22, 8359-8365
43. Zharnikov, M.; Küller, A.; Shaporenko, A.; Schmidt, E.; Eck, W. Langmuir 2003, 19, 4682-4687
44. Scheres, L.; Arafat, A.; Zuilhof, H. Langmuir 2007, 23, 8343-8346
45. Wallart, X.; de Villeneuve, C. H.; Allongue, P. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 7871-7878
46. Puniredd, S. R.; Assad, O.; Haick, H. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 13727-13734
47. Cicero, R. L.; Linford, M. R.; Chidsey, C. E. D. Langmuir 2000, 16, 5688-5695
48. Böcking, T.; Salomon, A.; Cahen, D.; Gooding, J. J. Langmuir 2007, 23, 3236-3241
49. Wayner, D. D. M.; Wolkow, R. A. J. Chem. Soc., Perkin Trans. 2 2002, 23-34
50. Thieblemont, F.; Seitz, O.; Vilan, A.; Cohen, H.; Salomon, E.; Kahn, A.; Cahen, D. Adv. Mater. 2008, 20, 3931-3936
51. Sieval, A. B.; Linke, R.; Zuilhof, H.; Sudholter, E. J. R. Adv. Mater. 2000, 12, 1457-1460
52. Smeu, M.; Wolkow, R. A.; Guo, H. J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 11019-11026
53. Shukla, A. D.; Strawser, D.; Lucassen, A. C. B.; Freeman, D.; Cohen, H.; Jose, D. A.; Das, A.; Evmenenko, G.; Dutta, P.; van der Boom, M. E. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 17505-17511
54. Hunger, R.; Jaegermann, W.; Merson, A.; Shapira, Y.; Pettenkofer, C.; Rappich, J. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 15432-15441
55. Ponpon, J. P.; Siffert, P. J. Appl. Phys. 1978, 49, 6004-6011
56. Hallen, H. D.; Fernandez, A.; Huang, T.; Buhrman, R. A.; Silcox, J. J. Vac. Sci. Technol. B 1991, 9, 585-589
57. Gorostiza, P.; de Villeneuve, C. H.; Sun, Q. Y.; Sanz, F.; Wallart, X.; Boukherroub, R.; Allongue, P. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 5576-5585
58. Faucheux, A.; Gouget-Laemmel, A. C.; de Villeneuve, C. H.; Boukherroub, R.; Ozanam, F.; Allongue, P.; Chazalviel, J. N. Langmuir 2006, 22, 153-162
59. Ng, A.; Ciampi, S.; James, M.; Harper, J. B.; Gooding, J. J. Langmuir 2009, 25, 13934-13941
60. Boukherroub, R.; Morin, S.; Bensebaa, F.; Wayner, D. D. M. Langmuir 1999, 15, 3831-3835
61. Liu, Y. J.; Navasero, N. M.; Yu, H. Z. Langmuir 2004, 20, 4039-4050
62. Kirczenow, G. Phys. Rev. B 2007, 75, 035401
63. Richter, C. A.; Hacker, C. A.; Richter, L. J. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 21836-21841
64. Scott, A.; Hacker, C. A.; Janes, D. B. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 14021-14026