Influence of atomic layer deposition parameters on the phase content of Ta2O5 films

Journal of Crystal Growth

Volumn 212, Issue 3, 2000, Pages 459-468

  Kukli, Kaupo ^a,b   Ritala, Mikko ^a   Matero, Raija ^a   Leskelä, Markku ^a  

^a UNIVERSITY OF HELSINKI   (Finland)

^b UNIVERSITY OF TARTU   (Estonia)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BOROSILICATE GLASS; CRYSTALLINE MATERIALS; DEPOSITION; EPITAXIAL GROWTH; PHASE TRANSITIONS; SEMICONDUCTOR GROWTH; SUBSTRATES; TANTALUM COMPOUNDS; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD); TANTALUM CHLORIDE; TANTALUM OXIDE;

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 0034188662     PISSN: 00220248     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0022-0248(00)00331-6     Document Type: Article

References (42)

1. Chaneliere C., Four S., Autran J.L., Devine R.A.B. Electrochem. Solid-State Lett. 2:1999;291.
2. Moon B.K., Aoyama J., Katori K. Appl. Phys. Lett. 74:1999;824.
3. Özer N., Lampert C.M. J. Sol-gel Sci. Technol. 8:1997;703.
4. Lai B.C., Lee J.Y. J. Electrochem. Soc. 146:1999;266.
5. Kukli K., Ritala M., Leskelä M. J. Electrochem. Soc. 142:1995;1670.
6. Lee C.-L., Huang L.T., Ezhilvalavan S., Tseng T.-Y. Electrochem. Solid-State Lett. 2:1999;135.
7. Chiu F.-C., Wang J.-J., Lee J.Y., Wu S.C. J. Appl. Phys. 81:1997;6911.
8. Pollard K.D., Puddephatt R.Y. Chem. Mater. 11:1999;1069.
9. Kimura H., Mizuki J., Kamiyama S., Suzuki H. Appl. Phys. Lett. 66:1995;2209.
10. Forsgren K., Hårsta A. Thin Solid Films. 343/344:1999;111.
11. Tanimoto S., Matsui M., Kamisako K., Kuroiwa K., Tarui Y. J. Electrochem. Soc. 139:1992;320.
12. Moon H.S., Lee J.S., Han S.W., Park J.W., Lee J.H., Yang S.K., Park H.H. J. Mater. Sci. 29:1994;1545.
13. Hummel H.U., Fackler R., Remmert P. Chem. Ber. 125:1992;551.
14. Suntola T. Atomic layer epitaxy. Hurle D.T.J. Handbook of Crystal Growth 3, Thin Films and Epitaxy, Part B: Growth Mechanisms and Dynamics. 1994;654 Elsevier, Amsterdam.
15. Cho H.J., Kim H.J. Appl. Phys. Lett. 72:1998;786.
16. Pessa M., Mäkelä R., Suntola T. Appl. Phys. Lett. 38:1981;131.
17. Tanimoto S., Shibata N., Kuroiwa K., Tarui Y. J. Electrochem. Soc. 141:1994;1339.
18. Kukli K., Aarik J., Aidla A., Kohan O., Uustare T., Sammelselg V. Thin Solid Films. 260:1995;135.
19. Siimon H., Aarik J. J. Phys. IV. 5:1995;C5-277.
20. Aarik J., Kukli K., Aidla A., Pung L. Appl. Surf. Sci. 103:1996;331.
21. Kanniainen T., Kattelus H., Skarp J. Electrochem. Soc. Proc. 97-31:1998;36.
22. Kukli K., Ihanus J., Ritala M., Leskelä M. Appl. Phys. Lett. 68:1996;3737.
23. Kukli K., Ihanus J., Ritala M., Leskelä M. J. Electrochem. Soc. 144:1997;300.
24. Kukli K., Aarik J., Aidla A., Siimon H., Ritala M., Leskelä M. Appl. Surf. Sci. 112:1997;236.
25. Song H.-J., Koh W., Kang S.-W. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 567:1999;469.
26. Kukli K., Ritala M., Leskelä M. J. Appl. Phys. 86:1999;5656.
27. Jensen P., Niemeyer B. Surf. Sci. 384:1997;2823.
28. Ishii M., Iwai S., Ueki T., Aoyagi Y. Thin Solid Films. 318:1998;116.
29. Ylilammi M., Ranta-aho T. Thin Solid Films. 232:1993;56.
30. Aarik J., Aidla A., Kukli K., Uustare T. J. Crystal Growth. 144:1994;116.
31. Terao N. Jpn. J. Appl. Phys. 6:1967;21.
32. Vetterl O., Hapke P., Houben L., Finger F., Carius R., Wagner H. J. Appl. Phys. 85:1999;2991.
33. Otobe M., Oda S. J. Non-Cryst. Solids. 164-166:1993;989.
34. Otobe M., Oda S. Jpn. J. Appl. Phys. 31:1992;1948.
35. Šmilauer P., Rost M., Krug J. Phys. Rev. E. 59:1999;R6263.
36. Ritala M., Leskelä M., Niinistö L., Prohaska T., Friedbacher G., Grasserbauer M. Thin Solid Films. 250:1994;72.
37. Rautanen J., Leskelä M., Niinistö L., Nykänen E., Soininen P., Utriainen M. Appl. Surf. Sci. 82/83:1994;553.
38. Ihanus J., Ritala M., Leskelä M., Prohaska T., Resch R., Friedbacher G., Grasserbauer M. Appl. Surf. Sci. 120:1997;43.
39. Aarik J., Aidla A., Uustare T., Sammelselg V. J. Crystal Growth. 148:1995;268.
40. Aarik J., Aidla A., Sammelselg V., Uustare T. J. Crystal Growth. 181:1997;259.
41. Nishimura Y., Shinkawa A., Ujita H., Tsuji M., Nakamura M. Appl. Surf. Sci. 136:1998;22.
42. Fukumoto A., Miwa K. Phys. Rev. B. 55:1997;11155.