Tantalum nitride atomic layer deposition using (tert-butylimido) tris(diethylamido)tantalum and hydrazine

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 155, Issue 7, 2008, Pages

  Burton, B B ^a   Lavoie, A R ^c   George, S M ^a,b,d  

^a UNIVERSITY OF COLORADO   (United States)

^b UCB 450   (United States)

^c INTEL CORPORATION   (United States)

^d ELECTROCHEMICAL SOCIETY

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMMONIA; ATOMIC LAYER DEPOSITION; ELECTRIC CONDUCTIVITY; FILM GROWTH; FOURIER TRANSFORM INFRARED SPECTROSCOPY; GROWTH RATE; HYDRAZINE; QUARTZ CRYSTAL MICROBALANCES;

TANTALUM NITRIDE; X RAY REFLECTIVITY;

TANTALUM COMPOUNDS;

EID: 44349148903     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2908741     Document Type: Article

References (64)

1. K. Holloway, P. M. Fryer, C. C. Cabral Jr., J. M. E. Harper, and P. J. Bailey, J. Appl. Phys., 71, 5433 (1992).
2. C. K. Hu and J. M. E. Harper, Mater. Chem. Phys., 52, 5 (1997).
3. J. Torres, Appl. Surf. Sci., 91, 112 (1995).
4. H. Kim, C. Cabral, C. Lavoie, and S. M. Rossnagel, J. Vac. Sci. Technol. B, 20, 1321 (2002).
5. N. D. Cuong, N. M. Phuong, D. Kim, B. Kang, C. Kim, and S. Yoon, J. Vac. Sci. Technol. B, 24, 682 (2006).
6. H. B. Nie, S. Y. Xu, S. J. Wang, L. P. You, Z. Yang, C. K. Ong, J. Li, and T. Y. F. Liew, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process., 73, 229 (2001).
7. C. S. Shin, Y. W. Kim, D. Gall, J. E. Greene, and I. Petrov, Thin Solid Films, 402, 172 (2002).
8. X. Sun, E. Kolawa, J. Chen, J. S. Reid, and M. Nicolet, Thin Solid Films, 236, 347 (1993).
9. S. L. Cho, K. B. Kim, S. H. M. H. K. Shin, and S. D. Kim, J. Electrochem. Soc., 146, 3724 (1999).
10. R. Fix, R. G. Gordon, and D. M. Hoffman, Chem. Mater., 5, 614 (1993).
11. D. M. Hoffman, Polyhedron, 13, 1169 (1994).
12. M. Kadoshima, K. Akiyama, K. Yamamoto, H. Fujiwara, T. Yasuda, T. Nabatame, and A. Toriumi, J. Vac. Sci. Technol. B, 23, 42 (2005).
13. A. E. Kaloyeros, X. Chen, T. Stark, K. Kumar, S. C. Seo, G. G. Petterson, H. L. Frisch, B. Arkles, and J. Sullivan, J. Electrochem. Soc., 146, 170 (1999).
14. A. E. Kaloyeros, X. M. Chen, S. Lane, H. L. Frisch, and B. Arkles, J. Mater. Res., 15, 2800 (2000).
15. J. O. Olowolafe and C. J. Mogab, J. Appl. Phys., 72, 4099 (1992).
16. M. H. Tsai, S. C. Sun, H. T. Chiu, C. E. Tsai, and S. H. Chuang, Appl. Phys. Lett., 67, 1128 (1995).
17. M. H. Tsai, S. C. Sun, C. P. Lee, H. T. Chiu, C. E. Tsai, S. H. Chuang, and S. C. Wu, Thin Solid Films, 270, 531 (1995).
18. S. M. Rossnagel, A. Sherman, and F. Turner, J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 2016 (2000).
19. S. M. George, A. W. Ott, and J. W. Klaus, J. Phys. Chem., 100, 13121 (1996).
20. J. W. Elam, D. Routkevitch, P. P. Mardilovich, and S. M. George, Chem. Mater., 15, 3507 (2003).
21. M. Ritala and M. Leskela, in Handbook of Thin Film Materials, Vol. 1, Chap., H. S. Nalwa, Editor, Academic Press, San Diego (2001).
22. L. Hiltunen, M. Leskela, M. Makela, L. Niinisto, E. Nykanen, and P. Soininen, Thin Solid Films, 166, 149 (1988).
23. M. Ritala, P. Kalsi, D. Riihela, K. Kukli, M. Leskela, and J. Jokinen, Chem. Mater., 11, 1712 (1999).
24. P. Alen, M. Juppo, M. Ritala, T. Sajavaara, J. Keinonen, and M. Leskela, J. Electrochem. Soc., 148, G566 (2001).
25. H. Kim, A. J. Kellock, and S. M. Rossnagel, J. Appl. Phys., 92, 7080 (2002).
26. P. Alen, M. Juppo, M. Ritala, and M. Leskela, J. Mater. Res., 17, 107 (2002).
27. M. Juppo, M. Ritala, and M. Leskela, J. Electrochem. Soc., 147, 3377 (2000).
28. J. D. Kwon, J. S. Park, H. C. Lee, and S. W. Kang, Electrochem. Solid-State Lett., 9, G282 (2006).
29. W. F. A. Besling, M. L. Ignacimouttou, A. Humbert, M. Mellier, and J. Torres, Microelectron. Eng., 76, 60 (2004).
30. N. J. Bae, K. I. Na, H. I. Cho, K. Y. Park, E. Boo, J. H. Bae, and J. H. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 45, 9072 (2006).
31. D. K. Kim, B. H. Kim, H. G. Woo, D. H. Kim, and H. K. Shin, J. Nanosci. Nanotechnol., 6, 3392 (2006).
32. J. S. Park, M. J. Lee, C. S. Lee, and S. W. Kang, Electrochem. Solid-State Lett., 4, C17 (2001).
33. J. S. Park, H. S. Park, and S. W. Kang, J. Electrochem. Soc., 149, C28 (2002).
34. O. Straten, Y. Zhu, K. Dunn, E. T. Eisenbraun, and A. E. Kaloyeros, J. Mater. Res., 19, 447 (2004).
35. HSC Chemistry, 5.11 ed., Outokumpu Research Oy, Pori, Finland (2002).
36. J. W. Elam, M. D. Groner, and S. M. George, Rev. Sci. Instrum., 73, 2981 (2002).
37. F. H. Fabreguette, Z. A. Sechrist, J. W. Elam, and S. M. George, Thin Solid Films, 488, 103 (2005).
38. X. Du and S. M. George, Sens. Actuators B, Submitted.
39. J. D. Ferguson, A. W. Weimer, and S. M. George, Thin Solid Films, 371, 95 (2000).
40. J. D. Ferguson, A. W. Weimer, and S. M. George, Thin Solid Films, 413, 16 (2002).
41. J. D. Ferguson, A. W. Weimer, and S. M. George, Chem. Mater., 16, 5602 (2004).
42. J. Y. Yun, M. Y. Park, and S. W. Rhee, J. Electrochem. Soc., 146, 1804 (1999).
43. R. Kelly, Nucl. Instrum. Methods, 149, 553 (1978).
44. P. Sigmund, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B, 27, 1 (1987).
45. A. Arranz and C. Palacio, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process., 81, 1405 (2005).
46. C. Palacio, J. M. Sanz, and J. M. Martinezduart, Thin Solid Films, 124, 243 (1985).
47. D. K. Kim, H. Lee, D. Kim, and Y. K. Kim, J. Cryst. Growth, 283, 404 (2005).
48. C. Stampfl and A. J. Freeman, Phys. Rev. B, 67, 064108 (2003).
49. L. Yu, C. Stampfl, D. Marshall, T. Eshrich, V. Narayanan, J. M. Rowell, N. Newman, and A. J. Freeman, Phys. Rev. B, 65, 245110 (2002).
50. K. Hieber, Thin Solid Films, 24, 157 (1974).
51. J. P. A. M. Driessen, J. Schoonman, and K. F. Jensen, J. Electrochem. Soc., 148, G178 (2001).
52. L. H. Dubois, B. R. Zegarski, and G. S. Girolami, J. Electrochem. Soc., 139, 3603 (1992).
53. J. R. Durig, C. Zheng, T. K. Gounev, W. A. Herrebout, and B. J. Veken, J. Phys. Chem. A, 110, 5674 (2006).
54. C. F. Lien, Y. F. Lin, Y. S. Lin, M. T. Chen, and J. L. Lin, J. Phys. Chem. B, 108, 18261 (2004).
55. Y. G. Borod'ko and A. E. Shilov, Russ. Chem. Rev., 38, 355 (1969).
56. H. Huber, E. P. Kundig, M. Moskovits, and G. A. Ozin, J. Am. Chem. Soc., 95, 332 (1973).
57. D. Sellmann, A. Hille, A. Rosler, F. W. Heinemann, M. Moll, G. Brehm, S. Scneider, M. Reither, B. A. Hess, and W. Bauer, Chem.-Eur. J., 10, 819 (2004).
58. P. J. Linstrom, W. G. Mallard, and S. E. Stein, NIST Chemistry WebBook, NIST Standard Reference Database, Vol. 69, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, MD (2006).
59. J. A. Prybyla, C. M. Chiang, and L. H. Dubois, J. Electrochem. Soc., 140, 2695 (1993).
60. C. M. Truong, P. J. Chen, J. S. Corneille, W. S. Oh, and D. W. Goodman, J. Phys. Chem., 99, 8831 (1995).
61. J. S. Becker, S. Suh, S. L. Wang, and R. G. Gordon, Chem. Mater., 15, 2969 (2003).
62. H. T. Chiu and S. H. Chuang, J. Mater. Res., 8, 1353 (1993).
63. E. L. Crane, H. T. Chiu, and R. G. Nuzzo, J. Phys. Chem. B, 105, 3549 (2001).
64. Y. W. Yang, J. B. Wu, J. L. Wang, Y. F. Lin, and H. T. Chiu, Surf. Sci., 600, 743 (2006).