Interfaces

Handbook of Semiconductor Technology: Electronic Structure and Properties of Semiconductors

Volumn 1, Issue , 2008, Pages 453-540

  Hull, Robert ^a   Ourmazd, Abbas Ourmazd ^b   Rau, W D ^b   Schwander, P ^b   Green, Martin L ^c   Tung, Raymond T ^c  

^a University of Virginia   (United States)

^b IHP   (Germany)

^c LUCENT TECHNOLOGIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84948993776     PISSN: None     EISSN: None     Source Type: Book    
DOI: 10.1002/9783527621842.ch8     Document Type: Chapter

References (396)

1. Akiyama, M., Kawarada, Y., Nishi, S., Ueda, T., Ka-minishi, K. (1986), Mater. Res. Soc. Proc. 67, 53.
2. Alexander, H. (1986), Dislocations in Covalent Crystals, In: "Dislocation in Solids", Vol. 7. F. Nabarro (Ed.). Amsterdam: North-Holland Publishing, pp 133-234
3. Arnaud d'Avitaya, F., Delage, S., Rosencher, E., Der-rien, J. (1985), J. Vac. Sci. Technol. B3, 770.
4. Arnaud d'Avitaya, F., Peno, A., Oberlin, J. C, Cam-pidelli, Y., Chroboczek, J. A. (1989), Appi Phys. Lett. 54, 2198.
5. Baibich, M. N., Broto, J. M., Fert, A., Nguyen Van Dau, F., Petroff, F., Eitenne, P., Creuzet, G., Friederich, A., Chazelas, J. (1988), Phys. Rev. Lett. 61, 2472.
6. Barret, C, Massies, J. (1983), J. Vac. Sci. Technol. B1, 819.
7. Baribeau, J. M. (1993), J. Appi. Phys. 74, 3805.
8. Batson, P. E., Browning, N. D., Muller, D. A. (1994), Microsc. Soc. Am. Bull. 24, 371.
9. Batstone, J. L., Gibson, J. M., Tung, R. T., Levi, A. F. J. (1988), Appi. Phys. Lett. 52, 828.
10. Baumann, F. H., Bode, M., Kim, Y., Ourmazd, A. (1982), Ultramicroscopy 47, 167.
11. Baumann, F. H., Gribelyuk, M., Kim, Y., Kisielowski, C, Maurice, J. L., Rau, W. D., Rentschier, J. A., Schwander, P., Ourmazd, A. (1995), Phys. Status Solidi (a) 150, 31.
12. Bean, J. C, Poate, J. M. (1980), Appi. Phys. Lett. 37, 643.
13. Bean, J. C, Feldman, L. C, Fiory, A. T., Nakahara, S., Robinson, I. K. (1984), J. Vac. Sci. Technol. A2, 436.
14. Biegelsen, D. K., Ponce, F. A., Smith, A. J., Tramontana, J. C. (1987), J. Appi. Phys. 61, 1856.
15. Biersack, J. P. (1987), Nucl. Instr. Methods B19, 32.
16. Bimberg, D., Christen, J., Fukunaga, T., Nakashima, H., Mars, D. E., Miller, J. N. (1987), J. Vac. Sci. Technol. B5, 1191.
17. Bode, M., Ourmazd, A., Rentschler, J. A., Hong, M., Feldman, L. C, Mannaerts, J. P. (1990), in: Proc. Mater. Res. Soc. 157: Knapp, J. A., Børgesen, P., Zuhn, R. (Eds.). Pittsburgh PA: p. 197.
18. Brillson, L. J. (Ed.) (1993), Contacts to Semiconductors. Park Ridge, NJ: Noyes.
19. Bulle-Lieuwma, C. W. T., van Ommen, A. H., Ijzen-doorn, L. J. (1989a), Appi. Phys. Lett. 54, 244.
20. Bulle-Lieuwma, C. W. T., de Jong, A. F., van Ommen, A. H., van der Veen, J. F., Vrijmoeth, J. (1989b), Appi. Phys. Lett. 55, 648.
21. Bulle-Lieuwma, C. W. T., van Ommen, A. H., Van-denhoudt, D. E., Ottenheim, J. J. M., de Jong, A. F. (1991), J. Appi. Phys. 70, 3093.
22. Byun, J. S., Kang, S. B., Kim, H. J., Park, K. H., Kim, C. Y. (1993 a), J. Appi. Phys. 72, 1508.
23. Byun, J. S., Cho, H. J., Kim, H. J., Kim, W. S., Choi, M., Chun, D. (1993b), in: VMIC Conf. Proc. 478: Santa Clara, CA: IEEE.
24. Byun, J. S., Kim, D. H., Kim, W. S., Kim, H. J. (1995), J. Appl. Phys. 78, 1725.
25. Byun, J. S., Seon, J. M., Park, J. W., Hwang, H., Kim, J. J. (1996), MRSSymp. Proc. 402, 167.
26. Cahn, J. W. (1961), Acta Met. 9, 525.
27. Cammarata, R. C, Sieradzki, K. (1989), Appl. Phys. Lett. 55, 1197.
28. Capano, M. A. (1992), Phys. Rev. B45, 11768.
29. Capasso, F" Margaritondo, G. (Ed.) (1987), Hetero-junction Band Discontinuities. Amsterdam: North Holland.
30. Chand, N., People, R., Baiocchi, F. A., Wecht, K. W., Cho, A. Y. (1986), Appl. Phys. Lett. 49, 815.
31. Chang, Y. S., Chu, J. J., Chen, L. J. (1986), Mater. Res. Soc. Proc. 54, 57.
32. Chang, K. H., Berger, P. R., Gibala, R., Bhattacharya, P. K., Singh, J., Mansfield, J. F., Clarke, R. (1988), Proc. TMS/AIME Symp. on Defects and Interfaces in Semiconductors: Rajan, K. K., Narayan, J., Ast, D. (The Metallurgical Society, Warrendale, PA), p. 157.
33. Chang-Liao, K. S., Chen, L. C. (1997), Jpn. J. Appl. Phys. 36, L604.
34. Chelikowsky, J. R. (1982), Phys. Rev. Lett. 49, 1569.
35. Chen, L. J., Cheng, H. C, Lin, W. T. (1986), Mater. Res. Soc. Proc. 54, 245.
36. Chen, K. M., Jesson, D. E., Pennycook, S. J., Thun-dat, T., Warmack, R. J. (1997), Phys. Rev. B Rapid Commun. 56, R1700.
37. Cheng, H. C, Chen, L. J., Your, T. R. (1984), Mater. Res. Soc. Proc. 25, 441.
38. Cherns, D., Anstis, G. R., Hutchison, J. L., Spence, J. C. H. (1982), Phil. Mag. A46, 849.
39. Cherns, D., Hetherington, C. J. D., Humphreys, C. J. (1984), Phil. Mag. A49, 165.
40. Chidambarrao, D., Srinivasan, G. R., Cunningham, B., Murthy, C. S. (1990), Appl. Phys. Lett. 57, 1001.
41. Chiu, K. C. R., Poate, J. M., Rowe, J. E., Sheng, T. T., Cullis, A. G. (1981), Appl. Phys. Lett. 38, 988.
42. Cho, A. Y., Dernier, P. D. (1978), J. Appl. Phys. 49, 3328.
43. Cook, H. E., Hilliard, J. E. (1969), J. Apl. Phys. 40, 2191.
44. Couteau, T., McBride, M., Riley, D., Peavey, P. (1998), Semiconductor Int. 95.
45. Cullis, A. G., Robbins, D. J., Barnett, S. J., Pidduck, A. J. (1994), J. Vac. Sci. Technol. A12, 1924.
46. d'Anterroches, C, Arnaud d'Avitaya, F. (1986), Thin Solid Films 137, 351.
47. Das, G. P., Blochl, P., Andersen, O. K., Christensen, N. E., Gunnarsson, O. (1989), Phys. Rev. Lett. 63, 1168.
48. Dass, M. L. A., Fraser, D. B., Wei, C. S. (1991),J. Appl. Phys. Lett. 58, 1308.
49. Deal, B. E., Grove, A. S. (1965), J. Appl. Phys. 36, 3770.
50. Deppe, G., Holonyak, N., Jr. (1988), J. Appl. Phys. 64, R93.
51. Diebold, A. C, Kump, M. R., Kopanski, J. J., Seiler, D.G. (1996), J. Vac. Sci. Technol. B14, 196.
52. Dodson, B. W., Tsao, J. Y. (1987), Appl. Phys. Lett 51, 1325.
53. Dolle, M., Gassig, U., Bay, H. L., Schuppen, A., Mantl, S. (1994), Thin Solid Films 253, 485.
54. Donner, S. K., Caffey, D. P., Winograd, N. (1989), J. Vac. Sci. Technol. B7, 742.
55. Dupuis, R. D., Bean, J. C, Brown, J. M. Macrander, A. T., Miller, R. C, Hopkins, L. C. (1986), J. Elec. Mater. 16, 69.
56. Dutta, T., Ravindra, N. M. (1992), Phys. Status Solidi 134, 447.
57. Eaglesham, D. J., Cerullo, M. (1990), Phys. Rev. Lett 64, 1943.
58. Eaglesham, D. J., Kvam, E. P., Mäher, D. M., Humphreys, C. J., Bean, J. C. (1989), Phil. Mag. A59, 1059.
59. Eaglesham, D. J., Tung, R. T., Headrick, R. L., Robinson, I. K., Schrey, F. (1990), Mater. Res. Soc. Proc. 159, 141.
60. Eaglesham, D. J., Tung, R. T., Sullivan, J. P., Schrey, F. (1993), J. Appl. Phys. 73, 4064.
61. Farrow, R. F. C., Parkin, S. S. P., Speriosu, V. S., Wilts, C.H., Beyers, R. B., Pitner, P., Woodall, J. M., Wright, S. L., Kirchner, P. D., Pettit, G. D. (1988), Mater. Res. Soc. Proc. 102, 483.
62. 2 Interface: Helms, C. R., Deal, B. E. (Eds.). NY: Plenum, p. 199.
63. Fiory, A. T., Bean, J. C, Hull, R., Nakahara, S. (1985), Phys. Rev. B31, 4063.
64. Fischer, A. E. M. J., Vlieg, E., van der Veen, J. F., Clausnitzer, M., Materlik, G. (1987), Phys. Rev. B36, 4769.
65. Fischer, R., Morkoc, H., Neumann, D. A., Zabel, H., Choi, C, Otsuka, M., Longerbone, M., Erickson, L. P. (1985), J. Appl. Phys. 60, 1640.
66. Fitzgerald, E. A., Samavedam, S. B. (1997), Thin Solid Films 294, 3.
67. Fitzgerald, E. A., Watson, G. P., Proano, R. E., Ast, D.G., Kirchner, P. D., Pettit, G. D., Woodall, J. M. (1989), J. Appl. Phys. 65, 2688.
68. Fitzgerald, E. A., Xie, Y. H., Green, M. L., Brasen, D., Kortan, A. R., Michel, J., Mie, Y. J., Weir, B. E. (1991), Appl. Phys. Lett. 59, 811.
69. Fleming, R. M., McWhan, D. B., Gossard, A. C, Wiegmann, W., Logan, R. A. (1980), J. Appl. Phys. 51, 357.
70. Foil, H. (1982), Phys. Status Solidi (a) 69, 119.
71. Fouss, P. H., Norton, H. J., Brennan, S., Fisher-Col-brie, A. (1988), Phys. Rev. Lett. 60, 600.
72. Frabboni, S., Matteucci, G., Pozzi, G., Vanzi, M. (1985), Phys. Rev. Lett. 55, 2196.
73. Gammon, D., Rudin, S., Reinecke, T. L., Katzer, T. S., Kyono, C. S. (1995), Phys. Rev. B - Cond. Matter 51, 16785.
74. Frank, F. C, Read, W. T. (1950), in: Symp. on Plastic Deformation of Crystalline Solids: Pittsburgh, PA: (Carnegie Institute of Technology), p. 44.
75. Freeouf, J. L., Rubioff, G. W., Ho, P. S., Kuan, T. S. (1979), Phys. Rev. Lett. 43, 1836.
76. Freund, L. B. (1990), J. Appl. Phys. 68, 2073.
77. Fritz, I. J., Picreaux, S. T., Dawson L. R., Drummond, T. J., Laidig, W. D., Anderson, N. G. (1985), Appl. Phys. Lett. 46, 967.
78. Fujitani, H., Asano, S. (1988), J. Phys. Soc. Jpn. 57, 2253.
79. Fujitani, H., Asano, S. (1989), Appl. Surface Sci. 41/42, 164.
80. Fujitani, H., Asano, S. (1992), Appl. Surface Sci. 56-58, 408.
81. Fukuda, H., Yasuda, M., Iwabuchi, T., Ohno, S. (1992), Appl. Surf. Sci. 60/61, 359.
82. Gammon, D., Shannabrook, B. C, Kratzer, D. S. (1991), Phys. Rev. Lett. 67, 1547.
83. George, A., Rabier, J. (1987), Revue. Phys. Appl. 22, 1941.
84. Gibson, J. M., Bean, J. C, Poate, J. M., Tung, R. T. (1982), Appl. Phys. Lett. 41, 818.
85. Gibson, J. M., Tung, R. T., Poate, J. M. (1983), MRS Symp. Proc. 14, 395.
86. Goncalves-Conto, S., Muller, E., Schmidt, K., von Kanel, H. (1996), Mater. Res. Soc. Proc. 402, 493.
87. Goodnick, S. M., Ferry, D. K., Wilmsen, C. W, Lilienthal, Z., Fathy, D., Krivanek, O. L. (1985), Phys. Rev. B32, 8171.
88. Gosling, T. J., Jain, S. C, Harker, A. H. (1994), Phys. Status Solidi (a) 146, 713.
89. Gourley, P. L., Fritz, I. J., Dawson, L. R. (1988), Appl. Phys. Lett. 52.
90. Green, M. L., Weir, B. E., Brasen, D., Hsieh, Y. F., Hi-gashi, G., Feygenson, A., Feldman, L. C, Headrick, R. L. (1991), J. Appl. Phys. 69, 745.
91. Green, M. L., Brasen, D., Evans-Lutterodt, K. W., Feldman, L. C, Krisch, K., Lennard, W., Tang, H. T., Manchanda, L., Tang, M. T. (1994), Appl. Phys. Lett. 65, 848.
92. Green, M. L., Brasen, D., Feldman, L. C, Lennard, W., Tang, H. T. (1995), Appl. Phys. Lett. 67, 1600.
93. Green, M. L., Brasen, D., Sapjeta, J., Sorsch, T. W., Timp, G., Gusev, E. P., Lu, H. C, Garfunkel, E., Gustafsson, T. (1998), in: Semiconductor Silicon 1998: Huff, H. R., Goesele, U. Tsuya, H. (Eds.). Pennington, NJ: Electrochemical Society, Vol. 98-101, p. 745.
94. Grinfeld, M. A. (1993), Interface Sei. 1, 237.
95. Grunthaner, F. J., Grunthaner, P. J. (1986), Mater. Sci. Rep. 1, 65.
96. Guido, L. J., Holonyak, N, Jr., Hsieh, K. C, Baker, J. E. (1989), Appl. Phys. Lett. 54, 262.
97. Guivarc'h, A., Guerin, R., Secoue, M. (1987), Electron. Lett. 23, 1004.
98. Guivarc'h, A., Secoue, M., Guenais, B. (1988), Appl. Phys. Lett. 52, 948.
99. Guivarc'h, A., Caulet, J., LeCorre, A. (1989), Electron. Lett. 25, 1050.
100. Gurvitch, M., Levi, A. F. J., Tung, R. T., Nakahara, S. (1987), Appl. Phys. Lett. 51, 311.
101. Gusev, E. P., Lu, H. C, Gustafsson, T., Garfunkel, E. (1995), Phys. Rev. B52, 1759.
102. Gusev, E. P., Lu, H. C., Gustafsson, T., Garfunkel, E., Green, M. L., Brasen, D. (1997), J. Appl. Phys. 82, 896.
103. Gusev, E. P., Lu, H. C, Garfunkel, E., Gustafsson, T., Green, M. L., Brasen, D., Lennard, W. N. (1998), J. Appi. Phys. 84, 2980.
104. Hagen, W., Strunk, H. (1978), Appi Phys. 17, 85.
105. Haight, R., Feldman, L. C. (1982), J. Appl. Phys. 53, 4884.
106. Hamann, D. R. (1988a), Phys. Rev. Lett. 60, 313.
107. Hamann, D. R. (1988 b), in: Metallization and Metal-Semiconductor Interfaces: Batra, I. P. (Ed.). NY: Plenum, p. 195.
108. Harame, D. L., Comfort, J. H., Cressler, J. D., Crabbe, E. F., Sun, J. Y. C, Meyerson, B. S., Tice, T. (1995), IEEE Trans. Elee. Dev. 42, 455.
109. Harbison, J. P., Sands, T., Tabatabaie, N., Chan, W. K., Florez, L. T., Keramidas, V. G. (1988), Appl. Phys. Lett 53, 1717.
110. Harris, J. S., Jr., Koch, S. M., Rosner, S. J. (1987), Mater. Res. Soc. 91, 3.
111. Hattorf, T. (1995 a), CRC Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 20, 339.
112. Hattorf, T. (1995 b), Solid State Technol. (May), S7.
113. Hauenstein, R. J., Schlesinger, T. E., McGill, T. C, Hunt, B. D. Schowalter, L. J. (1985), Appl. Phys. Lett. 47, 853.
114. Heggie, M., Jones, R., Umerski, A. (1993), Phys. Status Solidi (a) 138, 383.
115. Hellman, F, Tung, R. T. (1988), Phys. Rev. B37, 10786.
116. 2 Interface. NY: Plenum.
117. 2 Interface. NY: Plenum.
118. Henz, J., Ospelt, M., von Kanel, H. (1987), Solid State Commun. 63, 445.
119. Henz, J., Ospelt, M., von Kanel, H. (1989), Surface Sci. 211/212, 716.
120. Hess, H. F., Betzig, E., Harris, T. D., Pfeiffer, L. D., West, K. W. (1994), Science 256, 1740.
121. Higgs, V., Kittler, M. (1993), Appl. Phys. Lett. 63, 2085.
122. Higgs, V., Norman, C. E., Lightowers, E. C, Kight-ley, P. (1990), in: Proc. 20th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors: Anastassakis, E. M., Joan-nopoulus, J. D. (Eds.). Singapore: World Scientific, Vol. 1, pp. 706-709.
123. Higgs, V, Goulding, M., Brinklow, A., Kightley, P. (1992a), Appl. Phys. Lett. 60, 1369.
124. Higgs, V, Lightowlers, E. C, Tajbakhsh, S., Wright, P. J. (1992b), Appl. Phys. Lett. 61, 1087.
125. Himpsel, F. J., McFeely, F. R., Taleb-Ibrahimi, A., Yarmoff, J. A., Hollinger, G. (1988), Phys. Rev. B38, 6084.
126. Hirth, J. P., Lothe, J. (1982), Theory of Dislocations, 2nd ed. New York: Wiley.
127. Hori, T. (1993), Microelectron. Eng. 22, 245.
128. Hori, T. (1997), Gate Dielectrics and MOS ULSI: Principles, Technologies and Applications. Berlin: Springer.
129. Houghton, D. C. (1991), J. .Appl. Phys. 70, 2136.
130. Houghton, D. C, Gibbings, C. J., Tuppen, C. G., Lyons, M. H., Halliwell, M. A. G. (1990), Appl. Phys. Lett. 56, 460.
131. Hsia, S. L., Tan, T. Y., Smith, P., McGuire, G. E. (1991), J. Appl. Phys. 70, 7579.
132. Hsia, S. L., Tan, T. Y, Smith, P., McGuire, G. E. (1992), J. Appl. Phys. 72, 1864.
133. Hsu, J. W. P., Fitzgerald, E. A., Xie, Y. H., Silverman, P. J. (1994), Appl. Phys. Lett. 65, 344.
134. Huang, Y. M., Spence, J. C. H., Sankey, O. F. (1995), Phys. Rev. Lett. 74, 3392.
135. Hull, R., Bean, J. C, Cerdeira, F., Fiory, A. T., Gibson, J. M. (1986), Appl. Phys. Lett. 48, 56.
136. Hull, R., Bean, J. C. (1989a), J. Vac. Sei. Tech. A7, 2580.
137. Hull, R., Bean, J. C. (1989b), Appl. J. Phys. Lett. 54, 925.
138. Hull, R., Bean, J. C. (1993), Phys. Status Solidi (a) 138, 533.
139. Hull, R., Fischer-Colbrie, A. (1987), Appl. Phys. Lett. 50, 851.
140. Hull, R., Bean, J. C, Buescher, C. (1989a), J. Appl. Phys. 66, 5837.
141. Hull, R., Bean, J. C, Leibenguth, R. E., Werder, D. J. (1989b), J. Appl. Phys. 65, 4123.
142. Hull, R., White, A. E., Short, K. T., Bonar, J. M. (1990), J. Appl. Phys. 68, 1629.
143. Hull, R., Bean, J. C, Bahnck, D., Peticolas, L. J., Short, K. T., Unterwald, F. C. (1991 a), J. Appl. Phys. 70, 2052.
144. Hull, R., Bean, J. C, Higashi, G. S., Green, M. L., Peticolas, L., Bahnck, D., Brasen, D. (1991 b), Appl. Phys. Lett. 60, 1488.
145. Hull, R., Bean, J. C, Weir, B., Peticolas, L. J., Bahnck, D., Feldman, L. C. (1992), Mater. Res. Soc. Proc. 263, 403.
146. Hull, R., Bean, J. C, Peticolas, L. J., Bahnck, D., Weir, B. E., Feldman, L. C. (1993), Appl. Phys. Lett. 61, 2802.
147. Hull, R., Bean, J. C, Peticolas, L. J., Weir, B. E., Prab-hakaran, K., Ogino, T. (1994), Appl. Phys. Lett. 65, 327.
148. Hunt, B. D., Schowalter, L. J., Lewis, N., Hall, E. L., Hauenstein, R. J., Schlesinger, T. E., McGill, T. C, Okamoto, M., Hashimoto, S. (1986), Mater. Res. Soc. Proc. 54, 419.
149. Hunt, B. D., Lewis, N., Schowalter, L. J., Hall, E. L., Turner, L. G. (1987), Mater. Res. Soc. Proc. 77, 351.
150. Hwang, H., Ting, W., Maiti, B., Kwong, D. L., Lee, J. (1990), Appl. Phys. Lett. 57, 1010.
151. Ichinose, H" Ishida, Y, Furuta, T., Sakaki, H. (1987), J. Electron Microsc. 36, 82.
152. Imai, M., Sumino, K. (1983), Phil. Mag. A47, 599.
153. Irene, E. (1993), Thin Solid Films 233, 96.
154. Ishiwara, H., Hikosaka, K., Furukawa, S. (1979), J. Appl. Phys. 50, 5302.
155. Ishizaka, A., Shiraki, Y. (1984), Jpn. J. Appl. Phys. 23, L499.
156. Ismail, K. (1996), Solid State Phenom. 47-18, 409.
157. Ithoh, M., Kinoshita, M., Ajioka, T., Itoh, M., Inada, T. (1989), Appl. Surface Sci. 41/42, 262.
158. Jesson, D. E. (1998), Phys. Rev. Lett. 80, 5156.
159. Jesson, D. E., Pennycook, S. J., Baribeau, J. M., Houghton, D. C. (1993), Phys. Rev. Lett. 71, 1744.
160. Jesson, D. E., Chen, K. M., Pennycook, S. J., Thun-dat, T., Warmack, R. J. (1995), Science 268, 1161.
161. Jimenez, J. R. Hsiung, L. M., Rajan, K., Schowalter, L. J., Hashimoto, S., Thompson, R. D. Iyer, S. S. (1990), Appl. Phys. Lett. 57, 2811.
162. Jones, R. (1979), J. Phys. Coli. 40, C6-33.
163. Jones, R., Oberg, S., Marklund, S. (1981), Phil. Mag. 43B, 839.
164. Jones, R., Umerski, A., Sitch, P., Heggie, M. I., Oberg, S. (1993), Phys. Status Solidi (a) 138, 369.
165. Jonker, B. T., Krebs, J. J., Prinz, G. A., Quadri, S. B. (1987), J. Cryst. Growth 81, 524.
166. Kaatz, F. H., Siegal, M. P., Graham, W. R., Van der Spiegel, J., Santiago, J. J. (1990a), Thin Solid Films 184, 325.
167. Kaatz, F. H., Van der Spiegel, J., Graham, W. R. (1990b), J. Appl. Phys. 69, 514.
168. Kakibayashi, H., Nagata, F. (1986), Jpn. J. Appl. Phys. 25, 1644.
169. Kamat, S. V,Hirth, J. P. (1990), J. Appl. Phys. 67, 6844.
170. Kambe, K., Lehmpfuhl, G., Fujimoto, F. (1974), Z. Naturforsch. 29, 1034.
171. Kamins, T. I., Carr, E. C, Williams, R. S., Rosner, S. J. (1997), J. Appl. Phys. 81, 211.
172. Kasper, E., Herzog, H. J., Kibbel, H. (1975), Appl. Phys. 8, 199.
173. Kasper, E., Kibbel, H., Presting, H. (1989), in: Silicon Molecular Beam Epitaxy: Kasper, E., Parker, E. H. C. (Eds.). Amsterdam: North-Holland.
174. Kern, W. (1990), J. Electrochem. Soc. 137, 1887.
175. Kern, W., Puotinen, D. A. (1970), RCA Rev 31, 187.
176. Kiely, C. J., Cherns, D. (1988), Phil. Mag. A59, 1.
177. Kim, Y., Ourmazd, A., Bode, M., Feldman, R. D. (1989), Phys. Rev. Lett. 63, 636.
178. Kim, Y., Ourmazd, A., Feldman, R. D. (1990a), J. Vac. Sci. Technol. A8, 1116.
179. Kim, Y., Ourmazd, A., Malik, R. J., Rentschier, J. A. (1990b), in: Proc. Mater. Res. Soc. 159: Bringans, R. D., Feenstra, R. M., Gibson, J. M. (Eds.). Pittsburgh, PA: Materials Research Society, p. 352.
180. Kisielowski, C, Schwander, P., Baumann, F. H., Seibt, J., Kim, Y., Ourmazd, A. (1995), Ultramicroscopy 58, 131.
181. Kleiman, R. N., O'Malley, M. L., Baumann, F. H., Garno, J. P., Timp, G. L. (1997), IEDM Tech. Dig., 691.
182. Knall, J., Romano, R. T., Biegelsen, D. K., Bringans, R. D., Chui, H. C, Harris, J. S., Jr., Treat, D. W., Bour, D. P. (1994), J. Appl. Phys. 76, 2697.
183. Knapp, J. A., Picraux, S. T. (1986), Appl. Phys. Lett. 48, 466.
184. Kosowsky, S. D., Pershan, P. S., Krisch, K. S., Bevk, J., Green, M. L., Brasen, D., Feldman, L. C, Roy, P. K. (1997), Appl. Phys. Lett. 70, 3119.
185. Krakow, W. (1982), Thin Solid Films 93, 109.
186. Krebs, J. J., Jonker, B. T., Prinz, G. A. (1987), J. Appl. Phys. 61, 2596.
187. Krisch, K., Green, M. L., Baumann, F. H., Brasen, D., Feldman, L. C, Manchanda, L. (1996), IEEE Trans. Electron. Dev. 43, 982.
188. Krishnamurthy, M., Drucker, J. S., Venables, J. A. (1991), J. Appl. Phys. 69, 6461.
189. Kuan, T. S., Iyer, S. S. (1991), Appl. Phys. Lett. 59, 2242.
190. Kvam, E. P. (1990), Phil. Mag. Lett. 62, 167.
191. Lafontaine, H., Houghton, D. C, Bahierathan, B., Pe-rovic, D. D., Baribeau, J. M. (1996), in: Proc. Symp. on Evolution of Epitaxial Structure and Morphology: Zungwill, A., Jesson, D., Chambliss, D., Clarke R. (Eds.). Pittsburgh, PA: Materials Research Society, p. 413.
192. Landgren, G., Ludeke, R. (1981), Solid State Commun. 37, 127.
193. Le Corre, A., Caulet, J., Guivarc'h, A. (1989), Appl. Phys. Lett. 55, 2298.
194. Lee, C. H., He, H., Lamelas, F., Vavra, W., Uher, C, Clarke, R. (1989), Phys. Rev. Lett. 62, 653.
195. LeGoues, F. K., Krakow, W., Ho, P. S. (1986), Phil. Mag. A53, 833.
196. LeGoues, F. K., Liehr, M., Renier, M. (1987), Mater. Res. Soc. Proc. 94, 121.
197. LeGoues, F. K., Meyerson, B. S., Morar, J. F. (1991), Phys. Rev. Lett. 66, 2903.
198. Lichte, H. (1997), in: Handbook of Microscopy: Amelincks, S., van Dyck, D., van Landuyt, J., van Tendeloo, G. (Eds.). Weinheim: VCH.
199. Liliental-Weber, Z., Weber, E. R., Washburn, J., Liu, T. Y., Kroemer, H. (1987), in: Proc. Mater. Res. Soc. 91: Fan, J. C. C, Phillips, J. M., Tsaur, B.-Y. (Eds.). Pittsburgh, PA: Materials Research Society, p. 91.
200. Lin, T. L., Fathauer, R. W., Grunthaner, P. J. (1988), Appl. Phys. Lett. 52, 804.
201. Lockwood, D. J., Baribeau, J. M., Labbe, H. J. (1992), Can J. Phys. 70, 852.
202. Loretto, D., Gibson, J. M., Yalisove, S. M. (1989), Phys. Rev. Lett. 63, 298.
203. Lu, H. C, Gusev, E. P., Gustafsson, T., Green, M. L., Brasen, D., Garfunkel, E. (1997), Microelectron. Eng. 36, 29.
204. Lu, T. M., Bai, P., Yapsir, A. S., Chang, P. H., Shaff-ner, T. J. (1989), Phys. Rev. B39, 9584.
205. Ludeke, R., Chang, L. L., Esaki, L. (1913) Appl. Phys. Lett. 23, 201.
206. Ludeke, R., Landgren, G., Chang, L. L. (1980), Vide. Couches Minces, Suppl. 201, 579.
207. Ludeke, R., Chiang, T. C, Eastman, D. E. (1982), J. Vac. Sci. Technol. 21, 599.
208. Luryi, S., Suhir, E. (1986), Appl. Phys. Lett. 49, 140.
209. Ma, T. P. (1997), Appl. Surf. Sci 117/118, 259.
210. Maex, K., Vanhellemont, J., Petersson, S., Lauwers, A. (1991), Appl. Surf. Sci. 53, 273.
211. Mantl, S., Bay, H. L. (1992), Appl. Phys. Lett. 61, 267.
212. Marra, W. C, Eisenberger, P., Cho, A. Y. (1979), J. Appl. Phys. 50, 6927.
213. Massies, J., Delescluse, P., Etienne, P., Linh, N. T. (1982), Thin Solid Films 90, 113.
214. Massoud, H. Z., Plummer, J. D., Irene, E. A. (1985), J. Electrochem. Soc. 132, 2693.
215. 2 Interface III. Pennington, NJ: Electrochem-ical Society.
216. Matthews, J. W., Blakeslee, A. E. (1974,1975,1976). J. Cryst. Growth 27, 118.
217. Matthews, J. W., Blakeslee, A. E., Mader, S. (1976), Thin Solid Films 33, 253.
218. Matyi, R. J., Shichijo, H., Tsai, H. L. (1988), J. Vac. Sci. Technol. B6, 699.
219. Maurice, J. L., Schwander, P., Baumann, F. H., Ourmazd, A. (1997), Ultramicroscopy 68, 149.
220. McCartney, M., Smith, D. J., Hull, R., Bean, J. C, Voelkl, E., Frost, B. (1994), Appl. Phys. Lett. 65(20), 2603.
221. Miles, R. H., McGill, T. C, Chow, P. P., Johnson, D. C. Hauenstein, R. J., Nieh, C. W., Strathman, M. D. (1988), Appl. Phys. Lett. 52, 916.
222. Miller, R. C, Tu, C. W., Sputz, S. K., Kopf, R. F. (1986), Appl. Phys. Lett. B49, 1245.
223. Missous, M., Rhoderick, E. H., Singer, K. E. (1986), J. Appl. Phys. 59,3189.
224. Mizuki, J., Akimoto, K., Hirosawa, I., Hirose, K., Mi-zutani, T., Matsui, J. (1988), J. Vac. Sci. Technol. B6, 31.
225. Mullins, W. W. (1957), J. Appl. Phys. 28, 1315.
226. Munkholm, A., Brennan, S., Comin, F., Ortega, L. (1995), Phys. Rev. Lett. 75, 4254.
227. National Technology Roadmap for Semiconductors (1997), 3rd ed. Semiconductor Industry Association.
228. Neddermeyer, H. (1996), Rep. Prog. Phys. 59, 701.
229. Nemanich, R. J., Helms, C. R., Hirose, M., Rubloff, G. W. (Eds.) (1992), Chemical Surface Preparation, Passivation and Cleaning for Semiconductor Growth and Processing, Vol. 259. Pittsburgh, PA: MRS.
230. Nguyen, N. V, Chandler-Horowitz, D., Amirtharaj, P. M., Pellegrino, J. G. (1994), Appl. Phys. Lett. 64, 2688.
231. Nishino, S., Powell, J. A., Will, H. A. (1983), Appl. Phys. Lett. 42, 460.
232. Nix, W. A., Noble, D. B., Turlo, J. F. (1990), Proc. Mater. Res. Soc. 188, 315.
233. Noble, D. B., Hoyt, J. L., Gibbons, J. F., Scott, M. P., Ladermann, S. S., Rosner, S. J., Kamins, T. I. (1989), Appl. Phys. Lett. 55, 1978.
234. Noble, D. B., Hoyt, J. L., King, C. A., Gibbons, J. F. (1990), Appl. Phys. Lett. 56, 51.
235. Offenberg, M., Liehr, M., Rubloff, G. W. (1991), J. Vac. Sci. Technol. A9, 1058.
236. Ogale, S. B., Madhukar, A., Voillot, F., Thomsen, M., Tang, W. C, Lee, T. C, Kim, J. Y., Chen, P. (1987), Phys. Rev. B36, 1662.
237. Ogawa, S., Fair, J. A., Dass, M. L. A., Jones, E. C, Kouzaki, T., Cheung, N. W., Fräser, D. B. (1993), Ext. Abs. SSDM' 93, p. 195.
238. Ohmi, T. (1993), Proc. IEEE 81, 716.
239. Ohmi, T., Miyashita, M., Itano, M., Imaoka, T., Ka-wanabe, I. (1992), IEEE Trans. Electron. Dev. 39, 537.
240. Okada, Y, Tobin, P. J., Ajuria, S. A. (1994), IEEE Trans. Electron. Dev. 41, 1608.
241. Okumura, H., Yoshida, I., Misawa, S., Yoshida, S. (1987), J. Vac. Sci. Technol. B5, 1622.
242. Olsen, G. H., Abrahams, M. S., Buiocchi, G. J., Zamerowski, T. J. (1975), J. Appl. Phys. 46, 1643.
243. Ospelt, M., Henz, J., Flepp, L., von Kanel, H. (1988), Appl. Phys. Lett. 52, 227.
244. Ou, H. J., Tsen, S. C. Y., Tsen, K. T., Cowley, J. M., Chyi, J. I., Salvador, A., Morkoc, H. (1989), Appl. Phys. Lett. 54, 1454.
245. Ourmazd, A. (1989), J. Cryst. Growth 98, 72.
246. Ourmazd, A. (1993), Mater. Sci. Rep. 9, 201.
247. Ourmazd, A., Rentschler, J. A., Taylor, D. W. (1986), Phys. Rev. Lett. 57, 3073.
248. Ourmazd, A., Tsang, W. T., Rentschler, J. A., Taylor, D. W. (1987 a), Appl. Phys. Lett. 50, 1417.
249. Ourmazd, A., Taylor, D. W., Rentschler, J. A., Bevk, J. (1987 b), Phys. Rev. Lett. 53, 743.
250. Ourmazd, A., Taylor, D. W., Cunningham, J., Tu, C. W. (1989a), Phys. Rev. Lett. 62, 933.
251. Ourmazd, A., Taylor, D. W., Bode, M., Kim, Y. (1989 b), Science 246, 1571.
252. Ourmazd, A., Baumann, F. H., Bode, M., Kim, Y. (1990), Ultramicroscopy 34, 237.
253. Palmstrom, C. J., Tabatabaie, N., Allen, S. J., Jr. (1988), Apt Phys. Lett. 53, 2608.
254. Palmstrom, C. J., Fimland, B. O., Sands, T., Garrison, K. C, Bartynski, R. A. (1989a), J. Appl. Phys. 65, 4753.
255. Palmstrom, C. J., Garrison, K. C, Mounier, S., Sands, T., Schwartz, C. L., Tabatabaie, N., Allen, S. J., Jr., Gilchrist, H. L., Miceli, P. F. (1989b), J. Vac. Sci. Technol. B7, 747.
256. Palmstrom, C. J., Mounier, S., Finstad, T. G., Miceli, P. F. (1990), Appl. Phys. Lett. 56, 382.
257. Park, K. H., Jin, H. S., Luo, L., Gibson, W. M., Wang, G. C, Lu, T. M. (1988), Mater. Res. Soc. Proc. 102, 271.
258. Park, K. H., Smith, G. A., Rajan, K., Wang, G. C. (1990), Met. Trans. 21A, 2323.
259. Pearton, S. J., Kuo, C. (Eds.) (1997), MRS Bulletin Special Issue GaN and Related Materials for Device Applications, Vol. 22, No. 2. Pittsburgh, PA: Materials Research Society.
260. Perovic, D. D. (1997), Physica A 239, 11.
261. Perovic, D. D., Houghton, D. C. (1992), Mater. Res. Soc. Proc. 263, 391.
262. Petroff, P. M., Cibert, J., Gossard, A. C, Dolan, G. J., Tu, C. W. (1987), J. Vac. Sci. Technol. B5, 1204.
263. Petroff, P. M., Medeiros-Ribera, G. (1996), MRS Bull. 21, 50.
264. Pond, R. C, Cherns, D. (1985), Surface Sci. 152/153, 1197.
265. Prinz, G. A. (1985), Phys. Rev. Lett. 54, 1051.
266. Prinz, G. A., Krebs, J. J. (1981), Appl. Phys. Lett. 39, 397.
267. Prinz, G. A., Krebs, J. J. (1982), J. Appl. Phys. 53, 2087.
268. Prinz, G. A., Ferrari, J. M., Goldenberg, M. (1982), Appl. Phys. Lett. 40, 155.
269. Rabedeau, T. A., Tidwell, I. M, Pershan, P. S., Berk, J., Freer, B. S. (1991), Appl. Phys. Lett. 59, 3422.
270. Rajan, K., Denhoff, M. (1987), J. Appl. Phys. 62, 1710.
271. Rau, W. D., Baumann, F. H., Vuong, H. H., Heinemann, B., Höppner, W., Rafferty, C. S., Rücker, H., Schwander, P., Ourmazd, A. (1998), 1EDM Tech. Dig., 713.
272. Rau, W. D., Schwander, P., Baumann, F. H., Höppner, W., Ourmazd, A. (1999), Phys. Rev. Lett., submitted.
273. Rees, N. V., Matthai, C. C. (1988), J. Phys. C21, L981.
274. Renaud, G., Fouss, P. H., Ourmazd, A., Bevk, J., Freer, B. S., Hahn, P. O. (1991), Appl. Phys. Lett. 58, 1044.
275. Reynolds, D. C, Bajaj, K. K., Litton, C. W., Yu, P. W., Singh, J., Masselink, W. T., Fisher, R., Morkoç, H. (1985), Appl. Phys. Lett. 46,51.
276. Richter, H. J., Smith, R. S., Herres, N., Seelmann-Eggebert, M., Wennekers, P. (1988), Appl. Phys. Lett. 53, 99.
277. Robinson, I. K., Tung, R. T., Feidenhans'l, R. (1988), Phys. Rev. B38, 3632.
278. Rochet, F., Rigo, S., Froment, M., d'Anterroches, C, Maillot, C, Roulet, H., Dufour, G. (1986), Adv. Phys. 35, 339.
279. Rosencher, E., Delage, S., Campidelli, Y., Arnaud d'Avitaya, F. (1984), Electron. Lett. 20, 762.
280. Rosencher, E., Delage, S., Arnaud d'Avitaya, F. (1985), J. Vac. Sci. Technol. B3, 762.
281. Ross, F. M., Hull, R., Bahnck, D., Bean, J. C, Peticolas, L. J., King, C. A. (1993), Appl. Phys. Lett. 62, 1426.
282. Rouviere, J. L., Kim, Y., Cunningham, J., Rentschler, J. A., Ourmazd, A. (1992), Phys. Rev. Lett. 68, 2798.
283. Saitoh, S., Ishiwara, H., Furukawa, S. (1980), Appl. Phys. Lett. 37, 203.
284. Saitoh, S., Ishiwara, H., Asano, T., Furukawa, S. (1981), Jpn. J. Appl. Phys. 20, 1649.
285. Sakaki, H., Nöda, T., Hirakawa, K., Tanaka, M., Mat-susue, T. (1987), Appl. Phys. Lett. 51, 1934.
286. Saks, N. S., Ma, D. I., Fowler, W. B. (1995), Appl. Phys. Lett. 67, 374.
287. Samavedam, S. B., Fitzgerald, E. A. (1997), J. Appl. Phys. 81, 3108.
288. Sands, T. (1988), Appl. Phys. Lett. 52, 197.
289. Sands, T., Harbison, J. P., Tabatabaie, N., Chan, W. K., Gilchrist, H. L., Cheeks, T. L., Florez, L. T., Ke-ramidas, V. G. (1990), Surface Sci. 228, 1.
290. Sapjeta, I, Boone, T., Rosamilia, J. M., Silverman, P. J., Sorsch, T. W., Timp, G., Weir, B. E. (1997), in: Science and Technology of Semiconductor Surface Preparation, Vol. 471: Highashi, M. H. G. Raghavan, S., Verhaverbeke, S. (Eds.). Pittsburgh, PA: Materials Research Society, p. 203.
291. Schaller, R. R. (1997), IEEE Spectrum 34, 52.
292. Schmid, E. (1931), Z. Elektrochem. 37, 447.
293. Schwander, P., Kisielowski, C, Seibt, M., Baumann, F. H., Kim, Y., Ourmazd, A. (1993), Phys. Rev. Lett. 71, 4150.
294. Schwander, P., Rau, W. D., Ourmazd, A. (1998), J. Micros. 190, 171.
295. Schwarz, K. (1997), Phys. Rev. Lett. 78, 4785.
296. Semiconductor Silicon (1998), Pennington, NJ: Electrochemical Society.
297. Shiau, F. Y., Cheng, H. C, Chen, L. J. (1984), Appl. Phys. Lett. 45, 524.
298. Shintani, K., Fujita, K. (1994), J. Appl. Phys. 75, 7842.
299. Sieber, B., Farvacque, J. L., Miri, A. (1993), Phys. Status Solidi (a) 138, 673.
300. Siegal, M. P., Kaatz, F. H., Graham, W. R., Santiago, J. J., van der Spiegel, J. (1989), J. Appl. Phys. 66, 2999.
301. Sofield, C. J., Stoneham, A. M. (1995), Semic. Sci. Technol. 10, 215.
302. Spence, J. C. H. (1988), Experimental High-Resolution Electron Microscopy, 2nd ed. Oxford: Oxford University Press.
303. Spencer, B. J., Voorhees, P. W., Davis, S. H. (1991), Phys. Rev. Lett. 67, 3696.
304. Srolovitz, D. J. (1989), Acta Met. 37, 621.
305. Stach, E. (1998), Ph.D. Thesis, University of Virginia.
306. Stach, E., Hull, R., Tromp, R., Reuter, M., Copel, M., LeGoues, F., Bean, J. (1998), J. Appl. Phys. 83, 1931.
307. Stranski, I. N., Von Krastanow, L. (1939), Akad. Wiss. Lit. Mainz Math.-Natur. Kl. IIb 146, 797.
308. Sullivan, J. P., Tung, R. T., Pinto, M. R., Graham, W. R. (1991), J. Appl. Phys. 70, 7403.
309. Sullivan, J. P., Tung, R. T., Schrey, F. (1992), J. Appl. Phys. 72, 478.
310. Sullivan, J. P., Eaglesham, D. J., Schrey, F., Graham, W. R., Tung, R. T. (1993), J. Vac. Sci. Technol. B11, 1564.
311. Suzuki, Y., Okamoto, H. (1985), J. Appl. Phys. 58, 3456.
312. Svensson, S. P., Landgren, G., Andersson, T. G. (1983), J. Appl. Phys. 54, 4474.
313. Tamargo, M. C, Hull, R., Greene, L. H., Hayes, J. R., Cho, A. Y. (1985), Appl. Phys. Lett. 46, 569.
314. Tabatabaie, N., Sands, T., Harbison, J. P., Gilchrist, H. L., Keramidas, V. G. (1988), Appl. Phys. Lett. 53, 2528.
315. Tanaka, N.,Mihama, K. (1988), Ultramicroscopy 26, 37.
316. Tanaka, M., Sakaki, H., Yoshino, J. (1986), Jpn. J. Appl. Phys. 25, L155.
317. Tang, M. T., Evans-Lutterodt, K. W., Higashi, G. S., Boone, T. (1993), Appl. Phys. Lett. 62, 3144.
318. Taniguchi, K., Tanaka, M., Hamaguchi, C, Imai, K. (1990), J. Appl. Phys. 67, 2195.
319. Teichert, C, Lagally, M. G., Peticolas, L. J., Bean, J. C, Tersoff, J. (1996), Phys. Rev. B53, 16334.
320. Temkin, H., Gershoni, D. G., Chu, S. N. G., Vanden-berg, J. M., Hamm, R. A., Panish, M. B. (1989), Appl. Phys. Lett. 55, 1668.
321. Tersoff, J., LeGoues, F. K. (1994), Phvs. Rev. Lett. 72, 3570.
322. Tersoff, J., Tromp, R. M. (1994), Phys. Rev. Lett. 70, 2782.
323. Tersoff, J., Teichert, C, Lagally, M. G. (1996), Phys. Rev. Lett. 76, 1675.
324. Thomsen, M, Madhukar, A. (1987), J. Cryst. Growth 84, 98.
325. Timp, G., Agarwal, A., Baumann, F., Boone, T., Bu-onanno, M., Cirelli, R., Donnelly, V., Foad, M., Grant, D., Green, M. L., Gossman, H., Jackson, J., Jacobson, D., Kleiman, R., Kornbilt, A., Klemens, F., Lee, L. T. C, Mansfield, W., Moccio, S., Murre-li, A., O'Malley, M., Rosamilia, J., Sapjeta, J., Sil-verman, P., Sorsch, T., Tai, K. W., Tennant, D., Weir, B. (1997), IEDM Tech. Dig., 930.
326. Tonomura, A. (1987), Rev. Mod. Physics 59(3), 639.
327. Tsao, J. Y., Dodson, B. W. (1988), Appl. Phys. Lett. 53, 848.
328. Tu, W, Miller, R. C, Wilson, B. A., Petroff, P. M., Harris, T. D., Kopf, R. F., Sputz, S. K., Lamont, M. G. (1987), J. Cryst. Growth 81, 159.
329. Tung, R. T. (1984), Phys. Rev. Lett. 52, 461.
330. Tung, R. T. (1987), J. Vac. Sci. Technol. A5, 1840.
331. Tung, R. T. (1989), J. Vac. Sci. Technol. A7, 599.
332. Tung, R. T. (1991), Phys. Rev. B44, 13626.
333. Tung, R. T. (1992), in: Materials Interfaces: Atomic-level Structure and Properties: Wolf, D., Yip, S. (Eds.). London: Chapman and Hall, p. 550.
334. Tung, R. T. (1996 a), Appl. Phys. Lett. 61, 3461.
335. Tung, R. T. (1996b), Mater. Res. Soc. 427, 481.
336. Tung, R. T., Batstone, J. L. (1988 a), Appl. Phys. Lett. 52, 648.
337. Tung, R. T., Batstone, J. L. (1988b), Appl. Phys. Lett. 52, 1611.
338. Tung, R. T., Inoue, K. (1997), Inst. Phys. Conf. Ser. 157, 487.
339. Tung, R. T., Schrey, F. (1988), Mater. Res. Soc. Proc. 122, 559
340. Tung, R. T., Schrey, F. (1989 a), Appl. Phys. Lett. 55, 256.
341. Tung, R. X, Schrey, F. (1989 b), Appl. Phys. Lett. 54, 852.
342. Tung, R. T., Schrey, F. (1989c), Phys. Rev. Lett. 63, 1277.
343. Tung, R. T., Schrey, F. (1995), Appl. Phys. Lett. 67, 2164.
344. Tung, R. T., Schrey, F. (1996), Mater. Res. Soc. Proc. 402, 173.
345. Tung, R. T., Poate, J. M., Bean, J. C, Gibson, J. M., Jacobson, D. C. (1982 a), Thin Solid Films 93, 11.
346. Tung, R. T., Gibson, J. M., Bean, J. C, Poate, J. M., Jacobson, D. C. (1982 b), Appl. Phys. Lett. 40, 684.
347. Tung, R. T., Gibson, J. M., Poate, J. M. (1983 a), Appl. Phys. Lett. 42, 888.
348. Tung, R. T., Gibson, J. M., Poate, J. M. (1983b), Phys. Rev. Lett. 50, 429.
349. Tung, R. T., Nakahara, S., Boone, T. (1985), Appl. Phys. Lett. 46, 895.
350. Tung, R. T., Levi, A. F. J., Gibson, J. M. (1986a), Appl. Phys. Lett. 48, 635.
351. Tung, R. T., Gibson, J. M., Levi, A. F. J. (1986b), Appl. Phys. Lett. 48, 1264.
352. Tung, R. T., Ng, K. K., Gibson, J. M., Levi, A. F. J. (1986c), Phys. Rev. B33, 7077.
353. Tung, R. T., Batstone, J. L., Yalisove, S. M. (1988), Mater. Res. Soc. Proc. 102, 265.
354. Tung, R. T., Eaglesham, D. J., Schrey, F, Sullivan, J. P. (1993a), J. Appl. Phys. 73, 8250.
355. Tung, R. T., Eaglesham, D. J., Schrey, F., Sullivan, J. P. (1993b), Mater. Res. Soc. Proc. 281, 641.
356. Tuppen, C. G., Gibbings, C. J. (1990), J. Appl. Phys. 68, 1526.
357. Tuppen, C. G., Gibbings, C. J., Hockly, M. (1989), J. Cryst. Growth 94, 392.
358. Tuppen, C. G., Gibbings, C. J., Hockly, M., Roberts, S. G. (1990), Appl. Phys. Lett. 56, 54.
359. Tuppen, C. G., Gibbings, C. J., Hockly, M. (1991), Proc. Mater. Res. Soc. 220, 187.
360. Twigg, M. E. (1990), J. Appl. Phys. 68, 5109.
361. Van de Walle, G. F. A., Van Ijzendoorn, L. J., Van Gorkum, A. A., Van den Heuvel, R. A., Theunissed, A. M. L., Gravestein, J. (1990), Thin Solid Films 183, 183.
362. van den Hoek, P. J., Ravenek, W., Baerends, E. J. (1988), Phys. Rev. Lett. 60, 1743.
363. Van der Merwe, J. H., Ball, C. A. B. (1975), in: Epitaxial Growth, Part b: Matthews, J. W. (Ed.). New York: Academic, p. 493.
364. Van Loenen, E. J., Fischer, A. E. M., van der Veen, J. F., LeGoues, F. (1985a), Surface Sci. 154, 52.
365. van Loenen, E. J., Frenken, J. W. M., van der Veen, J. F., Valeri, S. (1985b), Phys. Rev. Lett. 54, 827.
366. Vandenberg, J. M., Hamm, R. A., Parish, M. B., Temkin, H. (1987), J. Appl. Phys. 62, 1278.
367. Vandenberg, J. M., Parish, M. B., Temkin, H., Hamm, R. A. (1988), Appl. Phys. Lett. 53, 1920.
368. Vandenberg, J. M., Parish, M. B., Hamm, R. A., Temkin, H. (1990), Appl. Phys. Lett. 56, 910.
369. von Kanel, H., Graf, T., Henz, J., Ospelt, M., Wächter, P. (1987), J. Cryst. Growth 81, 470.
370. von Kanel, H., Kafader, U., Sutter, P., Onda, N., Sirringhaus, H., Muller, E., Kroll, U., Schwarz, C, Goncalves-Conto, S. (1994), Mater. Res. Soc. Proc. 320, 73.
371. Wang, W. I. (1983), J. Vac. Sci. Technol. B1, 574.
372. Warwick, A., Jan, W. Y., Ourmazd, A., Harris, T. D. (1990), Appl. Phys. Lett. 56, 2666.
373. Weber, E., Alexander, H. (1977), Inst. Phys. Conf. Ser. 31, 266.
374. Weber, W.; Brox, M. (1993), MRS Bull. 12, 36.
375. Weisbuch, C, Dingle, R., Gossard, A. C, Wiegmann, W. (1981), Solid State Commun. 38, 709.
376. Whaley, G. J., Cohen, P. I. (1990), Appl. Phys. Lett. 57, 144.
377. White, A. E., Short, K. T., Dynes, R. C, Garno, J. P., Gibson, J. M. (1987), Appl. Phys. Lett. 50, 95.
378. White, A. E., Short, K. T., Dynes, R. C, Gibson, J. M, Hull, R. (1988), Mater. Res. Soc. Proc. 100/107, 3.
379. Whitehouse, C. R., Cullis, A. G., Barnett, S. J., Usher, B. F., Clark, G. F., Keir, A. M., Tanner, B. K., Lunn, B., Hogg, J. C. H., Johnson, A. D., Lacey, G., Spirkl, W., Hagston, W. E., Jefferson, J. H., Ashu, R, Smith, G. W., Martin, T. (1995), J. Cryst. Growth 150, 85.
380. Willis, J. R., Jain, S. C, Bullough, R. (1990), Phil. Mag. A62, 115.
381. Wristers, D., Han, L. K., Chen, T., Wang, H. H., Kwong, D. L. (1996), Appl. Phys. Lett. 68, 2094.
382. Wunsch, K. M., Wachtel, E. (1982), Z. Metallkd. 73, 311.
383. Xie, Q., Madhukar, A., Chen, P., Kobayashi, N. P. (1995a), Phys. Rev. Lett. 75, 2542.
384. Xie, Y. H., Gilmer, G. H., Roland, C, Silverman, P. J., Buratto, S. K., Cheng, J. Y., Fitzgerald, E. A., Kortan, A. R., Schulpper, S., Marcus, M. A., Citrin, P. H. (1995b), Phys. Rev. Lett. 74, 4963.
385. Yalisove, S. M., Tung, R. T., Loretto, D. (1989a), J. Vac. Sci. Technol. A7, 599.
386. Yalisove, S. M., Eaglesham, D. J., Tung, R. T. (1989b), Appl. Phys. Lett. 55, 2075.
387. Yamishita, Y, Maeda, K., Fujita, K., Usami, N., Suzuki, K., Fukatsu, S., Mera, Y., Shiraki, Y. (1993), Phil. Mag. Lett. 67, 165.
388. Yapsir, A. S., Bai, P., Lu, T. M. (1988a), Appl. Phys. Lett. 53, 905.
389. Yapsir, A. S., Choi, C. H., Yang, S. N., Lu, T. M., Madden, M., Tracy, B. (1988b), Mater. Res. Soc. Proc. 116, 465.
390. Yu, I., Phillips, J. M., Batstone, J. L., Hensel, J. C, Cerullo, M. (1988), Mater. Res. Soc. EA-18, 11.
391. Zegenhagen, J., Kayed, M. A., Huang, K. G., Gibson, W. M., Phillips, J. C, Schowalter, L. J., Hunt, B. D. (1987a), Appl. Phys. A44, 365.
392. Zegenhagen, J., Huang, K. G., Hunt, B. D., Schowalter, L. J. (1987b), Appl. Phys. Lett. 51, 1176.
393. Zhu, J. G., Carter, C. B., Palmstrom, C. J., Garrison, K. C. (1989), Appl. Phys. Lett. 55, 39.
394. Thin Films: Heteroepitaxial Systems. Liu W. K., Santos M. B. (Ed.). (World Scientific Press, Singapore 1999).
395. Materials Fundamentals of Molecular Beam Epitaxy. Tsao, J. Y. (Academic Press, Boston 1993).
396. Germanium Silicon: Physics and Materials. Kull R., Bean J. C. (Ed.) (Academic Press, San Diego, 1999).