Compositional and mechanistic aspects of ultrathin oxynitride film growth on Si(100)

Microelectronic Engineering

Volumn 36, Issue 1-4, 1997, Pages 29-32

  Lu, H C ^a   Gusev, E P ^a   Gustafsson, T ^a   Brasen, D ^b   Green, M L ^b   Garfunkel, E ^a  

^a RUTGERS UNIVERSITY   (United States)

^b NOKIA RESEARCH CENTER   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPOSITION EFFECTS; FILM GROWTH; INTERFACES (MATERIALS); NITROGEN OXIDES; OXIDATION; SEMICONDUCTING SILICON; COMPOSITION; NITRIDING; RUTHERFORD BACKSCATTERING SPECTROSCOPY; ULTRATHIN FILMS;

MEDIUM ENERGY ION SCATTERING (MEIS); OXYNITRIDATION; OXYNITRIDES; SILICON OXYNITRIDE;

ULTRATHIN FILMS; DIELECTRIC FILMS;

EID: 0031150218     PISSN: 01679317     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0167-9317(97)00010-5     Document Type: Article

References (26)

1. H. Fukuda, T. Arakawa, and S. Ohno, Jpn. J. Appl. Phys. 29, L2333 (1990).
2. H. Hwang, W. Ting, B. Maiti, D. L. Kwong, and J. Lee, Appl. Phys. Lett. 57, 1010 (1990).
3. E. C. Carr and R. A. Buhrman, Appl. Phys. Lett. 63, 54 (1993).
4. M. L. Green, D. Brasen, K. W. Evans-Lutterodt, L. C. Feldman, K. Krisch, W. Lennard, H. T. Tang, L. Manchanda, and M. T. Tang, Appl. Phys. Lett. 65, 848 (1994).
5. P. J. Tobin, Y. Okada, S. A. Ajuria, V. Lakhotia, W. A. Feil, and R. I. Hedge, J. Appl. Phys. 75, 1811 (1994).
6. 2 Interface - 3; edited by H. Z. Massoud, E. H. Poindexter, and C. R. Helms (The Electrochemical Soc., Pennington, NJ, 1996), p. 49.
7. H. C. Lu, E. P. Gusev, T. Gustafsson, E. Garfunkel, M. L. Green, D. Brasen, and L. C. Feldman, Appl. Phys. Lett. 69, 2713 (1996).
8. H. C. Lu, E. P. Gusev, E. Garfunkel, and T. Gustafsson, Jour. Appl. Phys., submitted.
9. E. P. Gusev, H. C. Lu, T. Gustafsson, E. Garfunkel, M. L. Green, and D. Brasen, Appl. Phys. Lett., submitted.
10. H. C. Lu, E. P. Gusev, T. Gustafsson, E. Garfunkel, M. L. Green, and D. Brasen, to be published.
11. M. Bhat, L. K. Han, D. Wristers, J. Yan, D. L. Kwong, and J. Fulford, Appl. Phys. Lett. 66, 1225 (1995).
12. H.-S. Tao, E. P. Gusev, H. C. Lu, T. E. Madey, T. Gustafsson, E. Garfunkel, and J. Rowe, to be published.
13. Z. H. Lu, R. J. Hussey, M. J. Graham, R. Cao, and S. P. Tay, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2882 (1996).
14. H. Du, R. E. Tressler, and K. E. Spear, J. Electrochem. Soc. 136, 3210 (1989).
15. B. E. Deal and A. S. Grove, J. Appl. Phys. 36, 3770 (1965).
16. E. C. Carr, K. A. Ellis, and R. A. Buhrman, Appl. Phys. Lett. 66, 1492 (1995).
17. N. S. Saks, D. I. Ma, and W. B. Fowler, Appl. Phys. Lett. 67, 374 (1995).
18. M. Hartig and P. J. Tobin, J. Electrochem. Soc. 143, 1753 (1996).
19. K. A. Ellis and R. A. Buhrman, Appl. Phys. Lett. 68, 1696 (1996).
20. S. I. Raider, R. A. Gdula, and J. R. Petrak, Appl. Phys. Lett. 27, 150 (1975).
21. E. P. Gusev, H. C. Lu, T. Gustafsson, and E. Garfunkel, Phys. Rev. B 52, 1759 (1995).
22. H. C. Lu, T. Gustafsson, E. P. Gusev, and E. Garfunkel, Appl. Phys. Lett. 67, 1742 (1995).
23. M. Copel, R. M. Tromp, H. J. Timme, K. Penner, and T. Nakao, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 462 (1996).
24. D. Wristers, L. K. Han, T. Chen, H. H. Wang, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 68, 2094 (1996).
25. I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, J. J. Ganem, I. Trimaille, and S. Rigo, Appl. Phys. Lett. 69, 2385 (1996).
26. Z. Q. Yao, J. Appl. Phys. 78, 2906 (1995).