The composition of ultrathin silicon oxynitrides thermally grown in nitric oxide

Journal of Applied Physics

Volumn 82, Issue 2, 1997, Pages 896-898

  Gusev, E P ^a   Lu, H C ^a   Gustafsson, T ^a   Garfunkel, E ^a   Green, M L ^b   Brasen, D ^b  

^a RUTGERS UNIVERSITY   (United States)

^b LUCENT TECHNOLOGIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000776142     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.365858     Document Type: Article

References (39)

1. H. Fukuda, T. Arakawa, and S. Ohno, Jpn. J. Appl. Phys. 1 29, L2333 (1990).
2. H. Hwang, W. Ting, B. Maiti, D. L. Kwong, and J. Lee, Appl. Phys. Lett. 57, 1010 (1990).
3. M. Bhat, G, W. Yoon, J. Kim, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 64, 2116 (1994).
4. M. Bhat, L. K. Han, D. Wristers, J. Van, D. L. Kwong, and J. Fulford, Appl. Phys. Lett. 66, 1225 (1995).
5. E. C. Carr and R. A. Buhrman, Appl. Phys. Lett. 63, 54 (1993).
6. S. Dimitrijev, D. Sweatman, and H. B. Harrison, Appl. Phys. Lett. 62, 1539 (1993).
7. M. L. Green, D. Brasen, K. W. Evans-Lutterodt, L. C. Feldman, K. Krisch, W. Lennard, H. T. Tang, L. Manchanda, and M. T. Tang, Appl. Phys. Lett. 65, 848 (1994).
8. M. L. Green, in Advances in Rapid Thermal and Integrated Processing, edited by F. Roozeboom (Plenum, New York, 1995), p. 193.
9. R. I. Hedge, P. J. Tobin, K. G. Reid, B. Maiti, and S. A. Ajuria, Appl. Phys. Lett. 66, 2882 (1995).
10. P. J. Tobin, Y. Okada, S. A. Ajuria, V. Lakhotia, W. A. Feil, and R. I. Hedge, J. Appl. Phys. 75, 1811 (1994).
11. D. Wristers, L. K. Han, T. Chen, H. H. Wang, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 68, 2094 (1996).
12. H. C. Lu, E. P. Gusev, T. Gustafsson, E. Garfunkel, M. L. Green, D. Brasen, and L. C. Feldman, Appl. Phys. Lett. 69, 2713 (1996).
13. I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, J. J. Ganem, I. Trimaille, and S. Rigo, J. Electrochem. Soc. 143, 2938 (1996).
14. K. A. Ellis and R. A. Buhrman, Appl. Phys. Lett. 68, 1696 (1996).
15. E. A. Irene, Q. Liu, W. M. Paulson, P. J. Tobin, and R. I. Hedge, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 1697 (1996).
16. Z. H. Lu, S. P. Tay, R. Cao, and P. Pianetta, Appl. Phys. Lett. 67, 2836 (1995).
17. N. S. Saks, D. I. Ma, and W. B. Fowler, Appl. Phys. Lett. 67, 374 (1995).
18. H. T. Tang, W. N. Lennard, M. Zinke-Allmang, I. V. Mitchell, L. C. Feldman, M. L. Green, and D. Brasen, Appl. Phys. Lett. 64, 64 (1994).
19. Z. Q. Yao, J. Appl. Phys. 78, 2906 (1995).
20. S. V. Hattangady, H. Niimi, and G. Lucovsky, Appl. Phys. Lett. 66, 3495 (1995).
21. D. Landheer, Y. Tao, D. X. Xu, G. I. Sproule, and D. A. Buchanan, J. Appl. Phys. 78, 1818 (1995).
22. F. H. P. M. Habraken and A. E. T. Kuiper, Mater. Sci. Eng. R. Rep. 12, 123 (1994).
23. W. L. Hill, E. M. Vogel, V. Misra, P. K. McLarty, and J. J. Wortman, IEEE Trans. Electron Devices 43, 15 (1996).
24. A. Gupta, Y. Li, E. Gusev, and E. Garfunkel (to be published).
25. M. Hartig and P. J. Tobin, J. Electrochem. Soc. 143, 1753 (1996).
26. E. P. Gusev, H. C. Lu, T. Gustafsson, and E. Garfunkel, Phys. Rev. B 52, 1759 (1995).
27. H. C. Lu, T. Gustafsson, E. P. Gusev, and E. Garfunkel, Appl. Phys. Lett. 67, 1742 (1995).
28. E. P. Gusev, H. C. Lu, T. Gustafsson, and E. Garfunkel, Appl. Surf. Sci. 104/105, 329 (1996).
29. H. C. Lu, E. P. Gusev, E. Garfunkel, and T. Gustafsson, J. Appl. Phys. 81, 6992 (1997).
30. M. L. Green, D. Brasen, L. C. Feldman, W. Lennard, and H. T. Tang, Appl. Phys. Lett. 67, 1600 (1995).
31. W. Ting, H. Hwang, J. Lee, and D. L. Kwong, J. Appl. Phys. 70, 1072 (1991).
32. S. I. Raider, R. A. Gdula, and J. R. Petrak, Appl. Phys. Lett. 27, 150 (1975).
33. J. A. Aboaf, J. Electrochem. Soc. 118, 1370 (1971).
34. E. H. Poindexter and W. L. Warren, J. Electrochem. Soc. 142, 2508 (1995).
35. I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, J. J. Ganem, I. Trimaille, and S. Rigo, Appl. Phys. Lett. 69, 2385 (1996).
36. B. E. Deal and A. S. Grove, J. Appl. Phys. 36, 3770 (1965).
37. E. C. Carr, K. A. Ellis, and R. A. Buhrman, Appl. Phys, Lett. 66, 1492 (1995).
38. M. D. Wiggins, R. J. Baird, and P. Wynblatt, J. Vac. Sci. Technol. 18, 965 (1981).
39. 2O, the gas phase decomposition of NO at high temperatures is very slow with a decay time often much longer than the characteristic time for oxynitridation experiments. See Ref. 24 and R. J. Wu and C. T. Yeh, Int. J. Chem. Kinetics 28, 89 (1996).