Novel dislocation structure and surface morphology effects in relaxed Ge/Si-Ge(graded)/Si structures

Journal of Applied Physics

Volumn 81, Issue 7, 1997, Pages 3108-3116

  Samavedam, Srikanth B ^a   Fitzgerald, E A ^a  

^a Massachusetts Institute of Technology   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001308387     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.364345     Document Type: Article

References (32)

1. E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, D. Monroe, P. J. Silverman, J. M. Kuo, A. R. Kortan, F. A. Thiel and B. E. Weir, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1807 (1992).
2. F. Schäffler, D. Tobben, H. R. Herzog, G. Abstreiter, and B. Hollander, Semicond. Sci. Technol. 7, 260 (1992).
3. K. Ismail, J. O. Chu, and B. S. Meyerson, Appl. Phys. Lett. 64, 3124 (1994).
4. J. W. Mathews, J. Vac. Sci. Technol. 12, 126 (1975).
5. R. Hull and J. C. Bean, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 17, 507 (1992).
6. E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, M. L. Green, D. Brasen, A. R. Kortan, J. Michel, Y. J. Mill, and B. E. Weir, Appl. Phys. Lett. 59, 811 (1991).
7. J. W. P. Hsu, E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, P. J. Silverman, and M. J. Cardillo, Appl. Phys. Lett. 61, 1293 (1992).
8. S. Yu. Shiryaev, F. Jensen, and J. W. Petersen, Appl. Phys. Lett. 64, 3305 (1994).
9. K. H. Chang, R. Gibala, D. J. Srolovitz, P. K. Bhattacharya, and J. F. Mansfield, J. Appl. Phys. 67, 4093 (1990).
10. E. A. Fitzgerald, D. G. Ast, P. D. Kirchner, G. D. Pettit, and J. M. Woodall, J. Appl. Phys. 63, 693 (1988).
11. S. Kishino, M. Ogirima, and K. Kurata, J. Electrochem. Soc. 119, 618 (1972).
12. T. Nishioka, Y. Itoh, A. Yamamoto, and M. Yamaguchi, Appl. Phys. Lett. 51, 1928 (1987).
13. M. A. Lutz, R. M. Feenstra, F. K. LeGoues, P. M. Mooney, and J. O. Chu, Appl. Phys. Lett. 66, 724 (1995).
14. A. G. Cullis, D. J. Robbins, S. J. Barnett, and A. J. Pidduck, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 1924 (1994).
15. M. Albrecht, S. Christiansen, J. Michler, W. Dorch, and H. P. Strunk, Appl. Phys. Lett. 67, 1232 (1995).
16. D. E. Jesson, S. J. Pennycook, J.-M. Baribeau, and D. C. Houghton, Phys. Rev. Lett. 71, 1744 (1993).
17. J. M. Hedges and J. W. Mitchell, Philos. Mag. 44, 223 (1953).
18. L. B. Freund, J. Appl. Phys. 68, 2073 (1990).
19. E. A. Fitzgerald and S. B. Samavedam (unpublished).
20. Y. H. Xie, G. H. Gilmer, C. Roland, P. J. Silverman, S. K. Buratto, J. Y. Cheng, E. A. Fitzgerald, A. R. Kortan, S. Schuppler, M. A. Marcus, and P. H. Citrin, Phys. Rev. Lett. 73, 3006 (1994).
21. G. P. Watson, E. A. Fitzgerald, B. Jalali, Y.-H. Xie, and B. E. Weir, J. Appl. Phys. 75, 263 (1994).
22. V. T. Gillard, W. D. Nix, and L. B. Freund, J. Appl. Phys. 76, 7280 (1994).
23. E. A. Fitzgerald, Mater. Sci. Rep. 7, 87 (1991).
24. L. B. Freund, A. Bower, and J. C. Ramirez, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 130, 139 (1989).
25. A. G. Cullis, A. J. Pidduck, and M. T. Emeny, Phys. Rev. Lett. 75, 2368 (1995).
26. L. Csepregi, E. F. Kennedy, and J. W. Mayer, J. Appl. Phys. 49, 3906 (1978).
27. P. Kightley, P. J. Goodhew, R. R. Bradley, and P. D. Augustus, J. Cryst. Growth 112, 359 (1991).
28. E. P. Kvam and S. B. Samavedam, JOM 46, 47 (1994).
29. S. Amelinckx, Acta Metall. 6, 34 (1958).
30. P. J. Goodhew, J. Phys. Chem. Solids 55, 1107 (1994).
31. K. H. Chang, P. K. Bhattacharya, and R. Gibala, J. Appl. Phys. 66, 2993 (1989).
32. F. C. Frank, Proc. Phys. Soc. 159 (1955).