Nitrogen engineering of ultrathin oxynitrides by a thermal NO/O2/NO process

Journal of Applied Physics

Volumn 84, Issue 5, 1998, Pages 2980-2982

  Gusev, E P ^a   Lu, H C ^a   Garfunkel, E ^a   Gustafsson, T ^a   Green, M L ^b   Brasen, D ^b   Lennard, W N ^c  

^a RUTGERS UNIVERSITY   (United States)

^b LUCENT TECHNOLOGIES   (United States)

^c UNIVERSITY OF WESTERN ONTARIO   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001206278     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.368435     Document Type: Article

References (37)

1. H. Hwang, W. Ting, B. Maiti, D. L. Kwong, and J. Lee, Appl. Phys. Lett. 57, 1010 (1990).
2. H. Fukuda, T. Arakawa, and S. Ohno, J. Appl. Phys. 29, L2333 (1990).
3. T. Hori, S. Akamatsu, and Y. Odake, IEEE Trans. Electron Devices 39, 118 (1992).
4. E. C. Carr and R. A. Buhrman, Appl. Phys. Lett. 63, 54 (1993).
5. D. Mathiot, A. Straboni, E. Andre, and P. Debenest, J. Appl. Phys. 73, 8215 (1993).
6. P. J. Tobin, Y. Okada, S. A. Ajuria, V. Lakhotia, W. A. Feil, and R. I. Hedge, J. Appl. Phys. 75, 1811 (1994).
7. M. Bhat, L. K. Han, D. Wristers, J. Yan, D. L. Kwong, and J. Fulford, Appl. Phys. Lett. 66, 1225 (1995).
8. S. V. Hattangady, H. Niimi, and G. Lucovsky, Appl. Phys. Lett. 66, 3495 (1995).
9. K. Krisch, M. L. Green, F. H. Baumann, D. Brasen, L. C. Feldman, and L. Manchanda, IEEE Trans. Electron Devices 43, 982 (1996).
10. T. Matsuoka, S. Taguchi, H. Ohtsuka, K. Taniguchi, C. Hamaguchi, S. Kakimoto, and K. Uda, IEEE Trans. Electron Devices 43, 1364 (1996).
11. M. Alessandri, C. Clementi, B. Crivelli, G. Ghidini, F. Pellizzer, F. Martin, M. Imai, and H. Ikegawa, Microelectron. Eng. 36, 211 (1997).
12. D. A. Buchanan and S. H. Lo, Microelectron. Eng. 36, 13 (1997).
13. M. L. Green, D. Brasen, K. W. Evans-Lutterodt, L. C. Feldman, K. Krisch, W. Lennard, H. T. Tang, L. Manchanda, and M. T. Tang, Appl. Phys. Lett. 65, 848 (1994).
14. N. S. Saks, D. I. Ma, and W. B. Fowler, Appl. Phys. Lett. 67, 374 (1995).
15. K. A. Ellis and R. A. Buhrman, Appl. Phys. Lett. 68, 1696 (1996).
16. Z. Q. Yao, H. B. Harrison, S. Dimitrijev, Y. T. Yeow, and D. Sweatman, Appl. Phys. Lett. 64, 2584 (1994).
17. R. I. Hedge, P. J. Tobin, K. G. Reid, B. Maiti, and S. A. Ajuria, Appl. Phys. Lett. 66, 2882 (1995).
18. Z. Q. Yao, J. Appl. Phys. 78, 2906 (1995).
19. H. C. Lu, E. P. Gusev, T. Gustafsson, E. Garfunkel, M. L. Green, D. Brasen, and L. C. Feldman, Appl. Phys. Lett. 69, 2713 (1996).
20. E. P. Gusev, H. C. Lu, T. Gustafsson, E. Garfunkel, M. L. Green, and D. Brasen, J. Appl. Phys. 82, 896 (1997).
21. H. C. Lu, E. P. Gusev, T. Gustafsson, M. L. Green, D. Brasen, and E. Garfunkel, Microelectron. Eng. 36, 29 (1997).
22. K. Kumar, A. I. Chou, C. Lin, P. Choudhury, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 70, 384 (1997).
23. D. Wristers, L. K. Han, T. Chen, H. H. Wang, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 68, 2094 (1996).
24. E. C. Carr, K. A. Ellis, and R. A. Buhrman, Appl. Phys. Lett. 66, 1492 (1995).
25. J. J. Ganem, S. Rigo, I. Trimaille, I. J. R. Baumvol, and F. C. Stedile, Appl. Phys. Lett. 68, 2366 (1996).
26. E. Garfunkel, E. P. Gusev, H. C. Lu, T. Gustafsson, and M. L. Green, in Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices, edited by E. Garfunkel, E. P. Gusev, and A. Y. Vul' (Kluwer, Dordrecht, 1998), p. 39.
27. H. T. Tang, W. N. Lennard, M. Zinke-Allmang, I. V. Mitchell, L. C. Feldman, M. L. Green, and D. Brasen, Appl. Phys. Lett. 64, 64 (1994).
28. E. P. Gusev, H. C. Lu, T. Gustafsson, and E. Garfunkel, Phys. Rev. B 52, 1759 (1995).
29. M. J. Hartig and P. J. Tobin, J. Electrochem. Soc. 143, 1753 (1996).
30. W. Ting, H. Hwang, J. Lee, and D. L. Kwong, J. Appl. Phys. 70, 1072 (1991).
31. M. L. Green, D. Brasen, L. C. Feldman, W. Lennard, and H. T. Tang, Appl. Phys. Lett. 67, 1600 (1995).
32. H. C. Lu, E. P. Gusev, T. Gustafsson, and E. Garfunkel, J. Appl. Phys. 81, 6992 (1997).
33. S. Dimitrijev, D. Sweatman, and H. B. Harrison, Appl. Phys. Lett. 62, 1539 (1993).
34. A. Pasquarello, M. S. Hybertsen, and R. Car, Proceedings of 43rd American Vacuum Society Symposium, San Jose, CA, 1997, p. 2.
35. W. L. Hill, E. M. Vogel, V. Misra, P. K. McLarty, and J. J. Wortman, IEEE Trans. Electron Devices 43, 15 (1996).
36. S. V. Hattangady, H. Niimi, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 3017 (1996); G. Lucovsky, in Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices, edited by E. Garfunkel, E. P. Gusev, and A. Y. Vul' (Kluwer, Dordrecht, 1998), p. 147.
37. S. V. Hattangady, H. Niimi, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 3017 (1996); G. Lucovsky, in Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices, edited by E. Garfunkel, E. P. Gusev, and A. Y. Vul' (Kluwer, Dordrecht, 1998), p. 147.