Dielectric function and optical properties of quaternary AlInGaN alloys

Journal of Applied Physics

Volumn 110, Issue 1, 2011, Pages

  Sakalauskas, E ^a   Reuters, B ^b   Khoshroo, L Rahimzadeh ^b   Kalisch, H ^b   Heuken, M ^b,c   Vescan, A ^b   Rppischer, M ^d   Cobet, C ^d   Gobsch, G ^a   Goldhahn, R ^a,e  

^a ILMENAU UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Germany)

^b RWTH AACHEN UNIVERSITY   (Germany)

^c AIXTRON AG   (Germany)

^d LEIBNIZ INSTITUT FÜR ANALYTISCHE WISSENSCHAFTEN ISAS E V   (Germany)

^e OTTO VON GUERICKE UNIVERSITY   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM ALLOYS; ANALYTICAL MODELS; ENERGY GAP; GALLIUM NITRIDE; III-V SEMICONDUCTORS; INDIUM ALLOYS; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; OPTICAL PROPERTIES; ORGANOMETALLICS; RUTHERFORD BACKSCATTERING SPECTROSCOPY; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY; SYNCHROTRON RADIATION; WAVELENGTH DISPERSIVE SPECTROSCOPY; X RAY DIFFRACTION;

DIELECTRIC FUNCTIONS; EMPIRICAL EXPRESSION; HIGH RESOLUTION X RAY DIFFRACTION; INTER-BAND TRANSITION; METAL-ORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; PSEUDOMORPHIC GROWTH; VAN HOVE SINGULARITIES; WAVELENGTH DISPERSIVE X-RAY SPECTROSCOPIES;

GALLIUM ALLOYS;

EID: 79960515043     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3603015     Document Type: Article

References (57)

1. J. S. Kwak, T. Jang, K. K. Choi, Y. J. Sung, Y. H. Kim, S. Chae, S. N. Lee, K. H. Ha, O. H. Nam, and Y. Park, Phys. Status Solidi A 201, 2649 (2004). 10.1002/pssa.v201:12
2. O. H. Nam, K. H. Ha, H. Y. Ryu, S. N. Lee, T. H. Chang, K. K. Choi, J. K. Son, J. H. Chae, S. H. Chae, H. S. Paek, Y. J. Sung, T. Sakong, H. G. Kim, H. S. Kim, Y. H. Kim, and Y. J. Park, Proc. SPIE 6133, 137 (2006).
3. S. Lee, J. K. Son, H. S. Paek, Y. J. Sung, K. S. Kim, H. K. Kim, H. Kim, T. Sakong, Y. Park, K. H. Ha, and O. H. Nam, Appl. Phys. Lett. 93, 091109 (2008). 10.1063/1.2965113
4. S. Masui, Y. Matsuyama, T. Yanamoto, T. Kozaki, S. Nagahama, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 42, L1318 (2003). 10.1143/JJAP.42.L1318
5. V. Adivarahan, A. Chitnis, J. P. Zhang, M. Shatalov, J. W. Yang, G. Simin, M. A. Khan, R. Gaska, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 79, 4240 (2001). 10.1063/1.1425453 (Pubitemid 34023360)
6. M. Shatalov, J. Zhang, A. Chitnis, V. Adivarahan, J. Yang, G. Simin, and M. Khan, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8, 302 (2002). 10.1109/2944.999185 (Pubitemid 34659061)
7. J. P. Zhang, V. Adivarahan, H. M. Wang, Q. Fareed, E. Kuokstis, A. Chitnis, M. Shatalov, J. W. Yang, G. Simin, M. A. Khan, M. Shur, and R. Gaska, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L921 (2001). 10.1143/JJAP.40.L921
8. R. Gaska and J. Zhang, Proc. SPIE 6037, 37 (2006).
9. T. Wang, H. Kuo, Z. Lee, C. Chuo, M. Tsai, C. Tsai, T. Lee, T. Lu, and J. Chi, J. Cryst. Growth 287, 582 (2006). 10.1016/j.jcrysgro.2005.10.141 (Pubitemid 43069699)
10. H. Hirayama, S. Fujikawa, N. Noguchi, J. Norimatsu, T. Takano, K. Tsubaki, and N. Kamata, Phys. Status Solidi A 206, 1176 (2009). 10.1002/pssa.200880961
11. M. Shur and R. Gaska, IEEE Trans. Electron Devices 57, 12 (2010). 10.1109/TED.2009.2033768
12. Y. Jhou, S. Chang, Y. Su, C. Chen, H. Lee, C. Liu, and Y. Lee, IET Optoelectron. 2, 42 (2008). 10.1049/iet-opt:20070020 (Pubitemid 351263143)
13. H. C. Lee, Y. K. Su, J. C. Lin, Y. C. Cheng, T. C. Li, and K. J. Chang, Solid-State Electron. 54, 488 (2010). 10.1016/j.sse.2009.12.022
14. Y. Liu, T. Egawa, H. Jiang, B. Zhang, and H. Ishikawa, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 5728 (2006). 10.1143/JJAP.45.5728 (Pubitemid 44181790)
15. T. Lim, R. Aidam, P. Waltereit, T. Henkel, R. Quay, R. Lozar, T. Maier, L. Kirste, and O. Ambacher, IEEE Electron Device Lett. 31, 671 (2010). 10.1109/LED.2010.2048996
16. N. Ketteniss, L. R. Khoshroo, M. Eickelkamp, M. Heuken, H. Kalisch, R. H. Jansen, and A. Vescan, Semicond. Sci. Technol. 25, 075013 (2010). 10.1088/0268-1242/25/7/075013
17. S. Lee, H. S. Paek, H. Kim, K. K. Kim, Y. H. Cho, T. Jang, and Y. Park, J. Cryst. Growth 310, 3881 (2008). 10.1016/j.jcrysgro.2008.05.056
18. G. Tamulaitis, K. Kazlauskas, S. Jurenas, A. Zukauskas, M. A. Khan, J. W. Yang, J. Zhang, G. Simin, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 77, 2136 (2000). 10.1063/1.1314288
19. C. H. Chen, L. Y. Huang, Y. F. Chen, H. X. Jiang, and J. Y. Lin, Appl. Phys. Lett. 80, 1397 (2002). 10.1063/1.1455147 (Pubitemid 34217621)
20. S. L. Chuang and C. S. Chang, Phys. Rev. B 54, 2491 (1996). 10.1103/PhysRevB.54.2491
21. P. Schley, R. Goldhahn, A. T. Winzer, G. Gobsch, V. Cimalla, O. Ambacher, H. Lu, W. J. Schaff, M. Kurouchi, Y. Nanishi, M. Rakel, C. Cobet, and N. Esser, Phys. Rev. B 75, 205204 (2007). 10.1103/PhysRevB.75.205204
22. P. Schley, R. Goldhahn, A. T. Winzer, G. Gobsch, V. Cimalla, O. Ambacher, M. Rakel, C. Cobet, N. Esser, H. Lu, and W. J. Schaff, Phys. Status Solidi B 243, 1572 (2006). 10.1002/pssb.v243:7
23. A. Kraus, S. Hammadi, J. Hisek, R. Bu, H. Jnen, H. Bremers, U. Rossow, E. Sakalauskas, R. Goldhahn, and A. Hangleiter, J. Cryst. Growth 323, 72 (2011).
24. R. Goldhahn, P. Schley, A. T. Winzer, G. Gobsch, V. Cimalla, O. Ambacher, M. Rakel, C. Cobet, N. Esser, H. Lu, and W. J. Schaff, Phys. Status Solidi A 203, 42 (2006). 10.1002/pssa.200563507 (Pubitemid 43129702)
25. E. Sakalauskas, H. Behmenburg, C. Hums, P. Schley, G. Rossbach, C. Giesen, M. Heuken, H. Kalisch, R. H. Jansen, J. Blsing, A. Dadgar, A. Krost, and R. Goldhahn, J. Phys. D: Appl. Phys. 43, 365102 (2010). 10.1088/0022-3727/43/ 36/365102
26. E. Sakalauskas, H. Behmenburg, P. Schley, G. Gobsch, C. Giesen, H. Kalisch, R. Jansen, M. Heuken, and R. Goldhahn, Dielectric function of Al-rich AlInN in the range 1 -18 eV, Phys. Status Solidi A (to be published).
27. C. Buchheim, R. Goldhahn, M. Rakel, C. Cobet, N. Esser, U. Rossow, D. Fuhrmann, and A. Hangleiter, Phys. Status Solidi B 242, 2610 (2005). 10.1002/pssb.v242:13
28. F. Wang, S. Li, J. Xia, H. X. Jiang, J. Y. Lin, J. Li, and S. Wei, Appl. Phys. Lett. 91, 061125 (2007). 10.1063/1.2769958 (Pubitemid 47247089)
29. I. Gorczyca, S. P. Lepkowski, T. Suski, N. E. Christensen, and A. Svane, Phys. Rev. B 80, 075202 (2009). 10.1103/PhysRevB.80.075202
30. L. R. Khoshroo, C. Mauder, H. Behmenburg, J. Woitok, W. Zander, J. Gruis, B. Reuters, J. Schubert, A. Vescan, M. Heuken, H. Kalisch, and R. H. Jansen, Phys. Status Solidi C 6, 470 (2009). 10.1002/pssc.200880944
31. B. Reuters, E. Sakalauskas, N. Ketteniss, C. Mauder, R. Goldhahn,M. Heuken, H. Kalisch, and A. Vescan, Growth studies on quaternary AlInGaN layers for HEMT application, Electronic Materials Conference 2011, June 22-24, University of California,Santa Barbara, CA.
32. C. Cobet, R. Goldhahn, W. Richter, and N. Esser, Phys. Status Solidi B 246, 1440 (2009) 10.1002/pssb.200945200
33. J. Hopfield, J. Phys. Chem. Solids 15, 97 (1960). 10.1016/0022-3697(60) 90105-0
34. P. Misra, U. Behn, O. Brandt, H. T. Grahn, B. Imer, S. Nakamura, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 88, 161920 (2006) 10.1063/1.2198086
35. M. Cardona and N. E. Christensen, Solid State Commun. 116, 421 (2000). 10.1016/S0038-1098(00)00353-7
36. R. Goldhahn, P. Schley, A. T. Winzer, M. Rakel, C. Cobet, N. Esser, H. Lu, and W. J. Schaff, J. Cryst. Growth 288, 273 (2006). 10.1016/j.jcrysgro.2005. 12.007 (Pubitemid 43243849)
37. P. Schley, J. Rthel, E. Sakalauskas, G. Gobsch, M. Wieneke, J. Blsing, A. Krost, G. Koblmller, J. S. Speck, and R. Goldhahn, Phys. Status Solidi A 207, 1062 (2010). 10.1002/pssa.200983104
38. L. Chen, B. J. Skromme, R. F. Dalmau, R. Schlesser, Z. Sitar, C. Chen, W. Sun, J. Yang, M. A. Khan, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, and H. Jiang, Appl. Phys. Lett. 85, 4334 (2004). 10.1063/1.1818733 (Pubitemid 40001505)
39. G. Rossbach, M. Rppischer, P. Schley, G. Gobsch, C. Werner, C. Cobet, N. Esser, A. Dadgar, M. Wieneke, A. Krost, and R. Goldhahn, Phys. Status Solidi B 247, 1679 (2010). 10.1002/pssb.200983677
40. S. Ghosh, P. Waltereit, O. Brandt, H. T. Grahn, and K. H. Ploog, Phys. Rev. B 65, 075202 (2002). 10.1103/PhysRevB.65.075202
41. A. Polian, M. Grimsditch, and I. Grzegory, J. Appl. Phys. 79, 3343 (1996). 10.1063/1.361236
42. I. Vurgaftman and J. R. Meyer, J. Appl. Phys. 94, 3675 (2003). 10.1063/1.1600519
43. W. Paszkowicz, R. Cern, and S. Krukowski, Powder Diffr. 18, 114 (2003) 10.1154/1.1566957 (Pubitemid 36797284)
44. W. Paszkowicz, S. Podsiadlo, and R. Minikayev, J. Alloys Compds. 382, 100 (2004). 10.1016/j.jallcom.2004.05.036
45. R. Goldhahn, C. Buchheim, P. Schley, A. T. Winzer, and H. Wenzel, in Nitride Semiconductor Devices: Principles and Simulation, edited by, J. Piprek, (Wiley-VCH, Weinheim, 2007), p. 95.
46. S. Shokhovets, L. Spies, and G. Gobsch, J. Appl. Phys. 107, 023509 (2010). 10.1063/1.3285485
47. R. Goldhahn, Acta Phys. Pol. A 104, 123 (2003)
48. H. Yao and C. H. Yan, J. Appl. Phys. 85, 6717 (1999). 10.1063/1.370184
49. E. Sakalauskas, O. Tuna, A. Kraus, H. Bremers, U. Rossow, C. Giesen, M. Heuken, A. Hangleiter, G. Gobsch, and R. Goldhahn, Dielectric function and bowing parameters of InGaN alloys (unpublished).
50. P. Schley, R. Goldhahn, G. Gobsch, M. Feneberg, K. Thonke, X. Wang, and A. Yoshikawa, Phys. Status Solidi B 246, 1177 (2009). 10.1002/pssb.200880924
51. Y. Pan, T. Yu, Z. Yang, H. Wang, Z. Qin, X. Hu, K. Wang, S. Yao, and G. Zhang, J. Cryst. Growth 298, 341 (2007). 10.1016/j.jcrysgro.2006.10.150 (Pubitemid 46149689)
52. C. B. Soh, S. J. Chua, S. Tripathy, W. Liu, and D. Z. Chi, J. Phys.: Condens. Matter 17, 729 (2005). 10.1088/0953-8984/17/4/015 (Pubitemid 40184517)
53. J. Liu, J. Cryst. Growth 260, 388 (2004). 10.1016/j.jcrysgro.2003.09.007
54. S. Fernndez-Garrido, A. Redondo-Cubero, R. Gago, F. Bertram, J. Christen, E. Luna, A. Trampert, J. Pereiro, E. Muoz, and E. Calleja, J. Appl. Phys. 104, 083510 (2008). 10.1063/1.2999564
55. S. Fernndez-Garrido, J. Pereiro, F. Gonzlez-Posada, E. Muoz, E. Calleja, A. Redondo-Cubero, and R. Gago, J. Appl. Phys. 103, 046104 (2008). 10.1063/1.2874451 (Pubitemid 351327579)
56. E. Sakalauskas, P. Schley, J. Rthel, T. A. Klar, R. Mller, J. Pezoldt, K. Tonisch, J. Grandal, M. A. Snchez-Garca, E. Calleja, A. Vilalta-Clemente, P. Ruterana, and R. Goldhahn, Phys. Status Solidi A 207, 1066 (2010). 10.1002/pssa.200983102
57. S. Shokhovets, R. Goldhahn, G. Gobsch, S. Piekh, R. Lantier, A. Rizzi, V. Lebedev, and W. Richter, J. Appl. Phys. 94, 307 (2003). 10.1063/1.1582369