High-power AlInGaN-based violet laser diodes with InGaN optical confinement layers

Applied Physics Letters

Volumn 93, Issue 9, 2008, Pages

  Lee, Sung Nam ^a   Son, J K ^b   Paek, H S ^b   Sung, Y J ^b   Kim, K S ^b   Kim, H K ^b   Kim, H ^b   Sakong, T ^b   Park, Y ^b   Ha, K H ^c   Nam, O H ^d  

^a Samsung Electro Mechanics   (South Korea)

^b Silla University   (South Korea)

^c Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

^d Korea Polytechnic University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GALLIUM NITRIDE; LADDER NETWORKS; SEMICONDUCTING GALLIUM; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; THRESHOLD CURRENT DENSITY; WELLS;

ALINGAN; INGAN QUANTUM WELLS; OPTICAL CONFINEMENT LAYERS; P-TYPE;

QUANTUM WELL LASERS;

EID: 51349126097     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2965113     Document Type: Article

References (15)

1. T. Asano, M. Takeya, T. Tojyo, T. Mizuno, S. Ikeda, K. Shibuya, T. Hino, S. Uchida, and M. Ikeda, Appl. Phys. Lett. 80, 3497 (2002).
2. T. Asano, T. Tojyo, T. Mizuno, M. Takeya, S. Ikeda, K. Shibuya, T. Hino, S. Uchida, and M. Ikeda, IEEE J. Quantum Electron. 39, 135 (2003).
3. S. Nagahama, Y. Sugimoto, T. Kozaki, and T. Mukai, Proc. SPIE 5738, 57 (2005).
4. O. H. Nam, K. H. Ha, J. S. Kwak, S. N. Lee, K. K. Choi, T. H. Chang, S. H. Chae, W. S. Lee, Y. J. Sung, H. S. Paek, J. H. Chae, T. Sakong, and Y. Park, Phys. Status Solidi C 0, 2278 (2003).
5. S. N. Lee, S. Y. Cho, H. Y. Ryu, J. K. Son, H. S. Paek, T. Sakong, T. Jang, K. K. Choi, K. H. Ha, M. H. Yang, O. H. Nam, Y. Park, and E. Yoon, Appl. Phys. Lett. 88, 111101 (2006).
6. H. Y. Ryu, K. H. Ha, S. N. Lee, T. Jang, H. K. Kim, J. H. Chae, K. S. Kim, K. K. Choi, J. K. Son, H. S. Paek, Y. J. Sung, T. Sakong, O. H. Nam, and Y. Park, Appl. Phys. Lett., 89, 031122 (2006).
7. K. S. Kim, J. K. Son, S. N. Lee, Y. J. Sung, H. S. Paek, H. K. Kim, M. Y. Yang, K. H. Ha, H. Y. Ryu, O. H. Nam, T. Jang, and Y. J. Park, Appl. Phys. Lett. 92, 101103 (2008).
8. S. N. Lee, H. S. Paek, H. Y. Ryu, J. K. Son, T. Sakong, T. Jang, K. K. Choi, Y. J. Sung, Y. H. Kim, H. K. Kim, S. H. Chae, K. H. Ha, J. H. Chae, K. S. Kim, J. S. Kwak, O. H. Nam, and Y. Park, J. Cryst. Growth 298, 695 (2007).
9. J. K. Son, J. S. Hwang, S. N. Lee, T. Sakong, H. Paek, S. Chae, H. K. Kim, O. Nam, J. Y. Kim, Y. H. Cho, and Y. Park, Phys. Status Solidi C 3, 2178 (2006).
10. M. Kuramoto, C. Sasaoka, N. Futagawa, M. Nido, and A. A. Yamaguchi, Phys. Status Solidi A 192, 329 (2002).
11. T. Akasaki, H. Gotoh, T. Saito, and T. Makimoto, Appl. Phys. Lett. 85, 3089 (2004).
12. J. K. Son, S. N. Lee, T. Sakong, H. S. Paek, O. Nam, Y. Park, J. S. Hwang, J. Y. Kim, and Y. H. Cho, J. Cryst. Growth, 287, 558 (2006).
13. H. S. Paek, T. Sakong, S. N. Lee, J. K. Son, H. Y. Ryu, O. H. Nam, and Y. Park, Physica B 376, 499 (2006).
14. Y. H. Cho, C. W. Son, J. Y. Kim, B. M. Kim, W. S. Lee, S. N. Lee, J. K. Son, O. H. Nam, and Y. J. Park, J. Korean Phys. Soc. 44, L792 (2004).
15. S. N. Lee, H. S. Paek, J. K. Son, H. Kim, K. K. Kim, K. H. Ha, O. H. Nam, and Y. Park, J. Electroceram., " Effect of Mg dopant on the degradation of InGaN multiple quantum wells in AllnGaN-based light emitting devices. " (in press).