Band parameters for nitrogen-containing semiconductors

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 6, 2003, Pages 3675-3696

  Vurgaftman, I ^a   Meyer, J R ^a  

^a NAVAL RESEARCH LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM NITRIDE; ELASTICITY; ENERGY GAP; HETEROJUNCTIONS; MATHEMATICAL MODELS; PIEZOELECTRICITY; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS;

BAND GAPS;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 0141990606     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1600519     Document Type: Review

References (433)

1. J. I. Pankove, S. Bloom, and G. Harbeke, RCA Rev. 36, 163 (1975).
2. F. P. Kesamanly, Sov. Phys. Semicond. 8, 147 (1974).
3. S. C. Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. Van Overstraeten, J. Appl. Phys. 87, 965 (2000).
4. Properties of Group-III Nitrides, edited by J. H. Edgar, EMIS Datareviews Series No. 11 (INSPEC, IEE, London, 1994).
5. Landolt-Bornstein Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, edited by O. Madelung, M. Schultz, and H. Weiss, New series, Vol. 17, reprinted in Semiconductors-Basic Data, 2nd ed. (Springer, New York, 1996).
6. Landolt-Bornstein Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, edited by O. Madelung, M. Schultz, and H. Weiss, New series, Vol. 17, reprinted in Semiconductors-Basic Data, 2nd ed. (Springer, New York, 1996).
7. F. A. Ponce and D. P. Bour, Nature (London) 386, 351 (1997).
8. GaN and Related Materials, edited by S. J. Pearton (Gordon and Breach, New York, 1997).
9. Group III Nitride Semiconductor Compounds, edited by B. Gil (Clarendon, Oxford 1998).
10. GaN, edited by J. I. Pankove and T. D. Moustakas (Academic, New York, 1998), Vol. 1.
11. L) = 1.7 eV.
12. The Blue Laser Diode, edited by S. Nakamura and G. Fasol (Springer, Berlin, 1997).
13. H. Jones, The Theory of Brillouin Zones and Electronic States in Crystals (North-Holland, Amsterdam, 1960).
14. F. Bassani and G. Pastori Parravicini, Electronic States and Optical Transitions in Solids (Pergamon, New York, 1975).
15. G. L. Bir and G. Pikus, Symmetry and Strain-Induced Effects in Semiconductors (Wiley, New York, 1974).
16. P. Y. Yu and M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors, 2nd ed. (Springer, Berlin, 1999).
17. S. L. Chuang, Physics of Optoelectronic Devices (Wiley, New York, 1995).
18. R. Pässler, Phys. Status Solidi B 216, 975 (1999).
19. P. E. Van Camp, V. E. Van Doren, and J. T. Devreese, Phys. Rev. B 44, 9056 (1991).
20. R. Dingle, D. D. Sell, S. E. Stokowski, and M. Ilegems, Phys. Rev. B 4, 1211 (1971).
21. M. Ilegems, R. Dingle, and R. A. Logan, J. Appl. Phys. 43, 3797 (1972).
22. O. Lagerstedt and B. Monemar, J. Appl. Phys. 45, 2266 (1974).
23. B. Monemar, Phys. Rev. B 10, 676 (1974).
24. C. Guenaud, E. Deleporte, M. Voos, C. Delalande, B. Beaumont, M.Leroux, P. Gibart, and J. P. Faurie, MRS Internet J. Nitride Semicond.Res. 2, 10 (1997).
25. W. Shan, T. J. Schmidt, X. H. Yang, S. J. Hwang, J. J. Song, and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 66, 985 (1995).
26. W. Shan, X. C. Xie, J. J. Song, and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 67, 2512 (1995).
27. B. Gil, O. Briot, and R.-L, Aulombard, Phys. Rev. B 52, R17028 (1995).
28. G. D. Chen, M. Smith, J. Y. Lin, H. X. Jiang, S.-H. Wei, M. A. Khan, and C. J. Sun, Appl. Phys. Lett. 68, 2784 (1996).
29. C. Merz, M. Kunzer, U. Kaufmann, I. Akasaki, and H. Amano, Semi-cond. Sci. Technol. 11, 712 (1996).
30. M. O. Manasreh, Phys. Rev. B 53, 16425 (1996).
31. J. S. Im, A. Moritz, F. Steuber, V. Haerle, F. Scholz, and A. Hangleiter, Appl. Phys. Lett. 70, 631 (1997).
32. A. Shikanai, T. Azuhata, T. Sota, S. Chichibu, A. Kuramata, K. Horino, and S. Nakamura, J. Appl. Phys. 81, 417 (1997).
33. C. F. Li, Y. S. Huang, L. Malikova, and F. H. Pollak, Phys. Rev. B 55, 9251 (1997).
34. K. Reimann, M. Steube, D. Froelich, and S. J. Clarke, J. Cryst. Growth 189/190, 652 (1998).
35. D. G. Chtchekine, Z. C. Feng, S. J. Chua, and G. D. Gilliland, Phys. Rev. B 63, 125211 (2001).
36. A. V. Rodina, M. Dietrich, A. Göldner, L. Eckey, A. Hoffmann, Al. L. Efros, M. Rosen, and B. K. Meyer, Phys. Rev. B 64, 115204 (2002).
37. B. Monemar, J. P. Bergman, I. A. Buyanova, W. Li, H. Amano, and I. Akasaki, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 2 (1996).
38. M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. Asif Khan, C. J. Sun, Q. Chen, and J. W. Yang, J. Appl. Phys. 79, 7001 (1996).
39. D. C. Reynolds, D. C. Look, W. Kim, O. Aktas, A. Botchkarev, A. Salvador, H. Morkoc, and D. N. Talwar, J. Appl. Phys. 80, 594 (1996).
40. J. F. Muth, J. H. Lee, I. K. Shmagin, R. M. Kolbas, H. C. Casey, Jr., B. P. Keller, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 71, 2572 (1997).
41. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, J. Appl. Phys. 79, 2784 (1996).
42. H. Teisseyre, P. Perlin, T. Suski, I. Grzegory, S. Porowski, J. Jun, A.Pietraszko, and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 76, 2429 (1994).
43. J. Petalas, S. Logothetidis, S. Boultadakis, M. Alouani, and J. M. Wills, Phys. Rev. B 52, 8082 (1995).
44. A. Salvador, G. Liu, W. Kim, O. Aktas, A. Botchkarev, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 67, 3322 (1995).
45. A. S. Zubrilov, Yu. V. Melnik, A. E. Nikolaev, M. A. Jacobson, D. K. Nelson, and V. A. Dmitriev, Semiconductors 33, 1067 (1999) [Fiz. Tekh.Poluprovodn. (S.-Peterburg) 33, 1173 (1999)].
46. A. S. Zubrilov, Yu. V. Melnik, A. E. Nikolaev, M. A. Jacobson, D. K. Nelson, and V. A. Dmitriev, Semiconductors 33, 1067 (1999) [Fiz. Tekh.Poluprovodn. (S.-Peterburg) 33, 1173 (1999)].
47. D. C. Reynolds, J. Hoelscher, C. W. Litton, and T. C. Collins, J. Appl. Phys. 92, 5596 (2002).
48. D. Brunner, H. Angerer, E. Bustarret, F. Freudenberg, R. Hoepler, R. Dimitrov, O. Ambacher, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 82, 5090 (1997).
49. N. E. Christensen and I. Gorczyca, Phys. Rev. B 50, 4397 (1994).
50. S. Logothetidis, J. Petalas, M. Cardona, and T. D. Moustakas, Phys. Rev. B 50, 18017 (1994).
51. T. Yang, S. Nakajima, and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 5912 (1995).
52. Z. Yang and Z. Xu, Phys. Rev. B 54, 17577 (1996).
53. Y. C. Yeo, T. C. Chong, and M. F. Li, J. Appl. Phys. 83, 1429 (1998).
54. B. Bouhafs, F. Litimein, Z. Dridi, and P. Ruterana, Phys. Status Solidi B 236, 61 (2003).
55. M. Suzuki, T. Uenoyama, and A. Yanase, Phys. Rev. B 52, 8132 (1995).
56. A. S. Barker, Jr. and M. Illegems, Phys. Rev. B 7, 743 (1973).
57. B. Rheinlander and H. Neumann, Phys. Status Solidi B 64, K123 (1974).
58. V. G. Sidorov, L. S. Sveshkova, M. D. Shagalov, and Yu. K. Shalabutov, Sov. Phys. Semicond. 10, 1309 (1976).
59. B. K. Meyer, D. Volm, A. Graber, H. C. Alt, T. Detchprohm, A. Amano, and I. Akasaki, Solid State Commun. 95, 597 (1995).
60. A. M. Witowski, K. Pakula, J. M. Baranowski, M. L. Sadowski, and P.Wyder, Appl. Phys. Lett. 75, 4154 (1999).
61. M. Drechsler, D. M. Huffman, B. K. Meyer, T. Detchprohm, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L1178 (1995).
62. P. Perlin et al, Appl. Phys. Lett. 68, 1114 (1996).
63. Y. J. Wang, R. Kaplan, H. K. Ng, K. Doverspike, D. K. Gaskill, T. Ikedo, I. Akasaki, and H. Amono, J. Appl. Phys. 79, 8007 (1996).
64. W. Knap et al, Appl. Phys. Lett. 70, 2123 (1997).
65. A. Kasic, M. Schubert, S. Einfeldt, D. Hommel, and T. E. Tiwald, Phys. Rev. B 62, 7365 (2000).
66. S. Elhamri, R. S. Newrock, D. B. Mast, M. Ahoujja, W. C. Mitchel, J. M. Redwing, M. A. Tischler, and J. S. Flynn, Phys. Rev. B 57, 1374 (1998).
67. A. Saxler et al., J. Appl. Phys. 87, 369 (2000).
68. L. W. Wong, S. J. Cai, R. Li, K. Wang, H. W. Jiang, and M. Chen, Appl. Phys. Lett. 73, 1391 (1998).
69. T. Wang, J. Bai, S. Sakai, Y. Ohno, and H. Ohno, Appl. Phys. Lett. 76, 2737 (2000).
70. D. R. Hang, C.-T. Liang, C. F. Huang, Y. H. Chang, Y. F. Chen, H. X. Jiang, and J. Y. Lin, Appl. Phys. Lett. 79, 66 (2001).
71. M. Goano, E. Bellotti, E. Ghillino, G. Ghione, and K. F. Brennan, J. Appl. Phys. 88, 6467 (2000).
72. Yu. M. Sirenko, J. B. Jeon, B. C. Lee, K. W. Kim, M. A. Littlejohn, M. A. Stroscio, and G. J. Iafrate, Phys. Rev. B 55, 4360 (1997).
73. A. A. Yamaguchi, Y. Mochizuki, H. Sunakawa, and A. Usui, J. Appl. Phys. 83, 4542 (1998).
74. A. V. Rodina and B. K. Meyer, Phys. Rev. B 64, 245209 (2001).
75. J. J. Hopfield, J. Phys. Chem. Solids 15, 97 (1960).
76. S. L. Chuang and C. S. Chang, Phys. Rev. B 54, 2491 (1996).
77. K. P. Korona, A. Wysmolek, K. Paluka, R. Stepniewski, J. M. Baranowski, I. Grzegory, B. Lucznik, M. Wroblewski, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 69, 788 (1996).
78. J. Campo, M. Julier, D. Coquillat, J. P. Lascaray, D. Scalbert, and O. Briot, Phys. Rev. B 56, R7108 (1997).
79. M. Julier, J. Campo, B. Gil, J. P. Lascaray, and S. Nakamura, Phys. Rev. B 57, R6791 (1998).
80. N. V. Edwards et al., Appl. Phys. Lett. 70, 2001 (1997).
81. S.-H. Wei and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 69, 2719 (1996).
82. G. B. Ren, Y. M. Liu, and P. Blood, Appl. Phys. Lett. 74, 1117 (1999).
83. D. J. Dugdale, S. Brand, and R. A. Abram, Phys. Rev. B 61, 12933 (2000).
84. K. Kim, W. R. L. Lambrecht, B. Segall, and M. van Schilfgaarde, Phys. Rev. B 56, 7363 (1997).
85. B. B. Kosicki, R. J. Powell, and J. C. Burgiel, Phys. Rev. Lett. 24, 1421 (1970).
86. R. D. Cunningham, R. W. Brander, N. D. Knee, and D. K. Wickenden, J. Lumin. 5, 21 (1972).
87. J.W. Orton, Semicond. Sci. Technol. 10, 101 (1995).
88. M. Steube, K. Reimann, D. Froelich, and S. J. Clarke, Appl. Phys. Lett. 71, 948 (1997).
89. P. A. Shields, R. J. Nicholas, F. M. Peeters, B. Beaumont, and P. Gibart, Phys. Rev. B 64, 081203 (2001).
90. S. Kamiyama, K. Ohnaka, M. Suzuki, and T. Uenoyama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L822 (1995).
91. K. Kim, W. R. L. Lambrecht, and B. Segall, Phys. Rev. B 53, 16310 (1996).
92. J.-M. Wagner and F. Bechstedt, Phys. Rev. B 66, 115202 (2002).
93. L. Hsu and W. Walukiewicz, Phys. Rev. B 56, 1520 (1997).
94. W. Knap et al., Appl. Phys. Lett. 80, 1228 (2002).
95. W. Shan, R. J. Hauenstein, A. J. Fischer, J. J. Song, W. G. Perry, M. D. Bremser, R. F. Davis, and B. Goldenberg, Phys. Rev. B 54, 13460 (1996).
96. S. Ghosh, P. Waltereit, O. Brandt, H. T. Grahn, and K. H. Ploog, Phys. Rev. B 65, 075202 (2002).
97. B. Gil and A. Alemu, Phys. Rev. B 56, 12446 (1997).
98. T. Ohtoshi, A. Niwa, and T. Kuroda, J. Appl. Phys. 82, 1518 (1997).
99. M. Suzuki and T. Uenoyama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1420 (1996).
100. M. Suzuki and T. Uenoyama, J. Appl. Phys. 80, 6868 (1996).
101. A. Alemu, B. Gil, M. Julier, and S. Nakamura, Phys. Rev. B 57, 3761 (1998).
102. A. A. Yamaguchi, Y. Mochizuki, C. Sasaoka, A. Kimura, M. Nido, and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 71, 374 (1997).
103. A. U. Sheleg and A. V. Savastenko, Izv. Akad. Nauk SSSR, Neorg. Mater. 15, 1598 (1979).
104. A. Polian, M. Grimsditch, and I. Grzegory, J. Appl. Phys. 79, 43 (1996).
105. Y. Takagi, M. Ahart, T. Azuhata, T. Sota, K. Suzuki, and S. Nakamura, Physica B 219-220, 547 (1996).
106. R. B. Schwarz, K. Khachaturyan, and E. R. Weber, Appl. Phys. Lett. 70, 1122 (1997).
107. M. Yamaguchi, T. Yagi, T. Azuhata, T. Sota, K. Suzuki, S. Chichibu, and S. Nakamura, J. Phys.: Condens. Matter 9, 241 (1997).
108. C. Deger, E. Born, H. Angerer, O. Ambacher, M. Stutzmann, J. Hornsteiner, E. Riha, and G. Fischerauer, Appl. Phys. Lett. 72, 2400 (1998).
109. A. F. Wright, J. Appl. Phys. 82, 2833 (1997).
110. K. Shimada, T. Sota, and K. Suzuki, J. Appl. Phys. 84, 4951 (1998).
111. T. Deguchi et al., J. Appl. Phys. 86, 1860 (1999).
112. S. Yu. Davydov, Semiconductors 36, 41 (2002).
113. A. D. Bykhovski, V. V. Kaminski, M. S. Shur, Q. C. Chen, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 68, 818 (1996).
114. S. Muensit and I. L. Guy, Appl. Phys. Lett. 72, 1896 (1998).
115. I. L. Guy, S. Muensit, and E. M. Goldys, Appl. Phys. Lett. 75, 4133 (1999).
116. C. M. Lueng, H. L. W. Chan, C. Surya, W. K. Fong, C. L. Choy, P. Chow, and M. Rosamond, J. Non-Cryst. Solids 254, 123 (1999).
117. C. M. Lueng, H. W. Chan, C. Surya, and C. L. Choy, J. Appl. Phys. 88, 5360 (2000).
118. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997).
119. F. Bernardini and V. Fiorentini, Appl. Phys. Lett. 80, 4145 (2002).
120. S. Muensit, E. M. Goldys, and I. L. Guy, Appl. Phys. Lett. 75, 3965 (1999).
121. F. Bechstedt, U. Grossner, and J. Furthmüller, Phys. Rev. B 62, 8003 (2000).
122. O. Ambacher et al., J. Phys.: Condens. Matter 14, 3399 (2002).
123. M. B. Nardelli, K. Rapcewicz, and J. Bernholc, Phys. Rev. B 55, R7323 (1997).
124. S. Bloom, G. Harbeke, E. Meier, and I. B. Ortenburger, Phys. Status Solidi B 66, 161 (1974).
125. S. Strite, J. Ran, Z. Li, A. Salvador, H. Chen, D. J. Smith, W. J. Choyke, and H. Morkoc, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 1924 (1991).
126. Z. Sitar, M. J. Paisley, J. Ruan, J. W. Choyke, and R. F. Davis, J. Mater. Sci. Lett. 11, 261 (1992).
127. R. C. Powell, N.-E. Lee, Y.-W. Kim, and J. E. Greene, J. Appl. Phys. 73, 189 (1993).
128. H. Okumura, S. Yoshida, and T. Okahisa, Appl. Phys. Lett. 64, 2997 (1994).
129. G. Ramirez-Flores, H. Navarro-Contreras, A. Lastras-Martinez, R. C. Powell, and J. E. Greene, Phys. Rev. B 50, 8433 (1994).
130. W. J. Fan, M. F. Li, T. C. Chong, and J. B. Xia, J. Appl. Phys. 79, 188 (1996).
131. A. Tadjer, B. Abbar, M. Rezki, H. Aourag, and M. Certier, J. Phys. Chem. Solids 60, 419 (1999).
132. S. K. Pugh, D. J. Dugdale, S. Brand, and R. A. Abram, Semicond. Sci. Technol. 14, 23 (1999).
133. J. Menniger, U. Jahn, O. Brandt, H. Yang, and K. Ploog, Phys. Rev. B 53, 1881 (1996).
134. J. Wu, H. Yaguchi, K. Onable, and R. Ito, Appl. Phys. Lett. 71, 2067 (1997).
135. D. Xu, H. Yang, J. B. Li, D. G. Zhao, S. F. Li, S. M. Zhuang, R. H. Wu, Y. Chen, and G. H. Li, Appl. Phys. Lett. 76, 3025 (2000).
136. M. Fanciulli, T. Lei, and T. D. Moustakas, Phys. Rev. B 48, 15144 (1993).
137. W. W. Chow, A. F. Wright, and J. S. Nelson, Appl. Phys. Lett. 68, 296 (1996).
138. D. Ahn, J. Appl. Phys. 79, 7731 (1996).
139. M. Suzuki and T. Uenoyama, Appl. Phys. Lett. 69, 3378 (1996).
140. L. E. Ramos, L. K. Teles, L. M. R. Scolfaro, J. L. P. Castineira, A. L. Rosa, and J. R. Leite, Phys. Rev. B 63, 165210 (2001).
141. A. T. Meney, E. P. O'Reilly, and A. R. Adams, Semicond. Sci. Technol. 11, 897 (1996).
142. T. Ohtoshi, A. Niwa, and T. Kuroda, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 4, 527 (1998).
143. S.-H. Wei and A. Zunger, Phys. Rev. B 60, 5404 (1999).
144. C. G. Van de Walle and J. Neugebauer, Appl. Phys. Lett. 70, 2577 (1997).
145. N. Binggeli, P. Ferrara, and A. Baldereschi, Phys. Rev. B 63, 245306 (2001).
146. K. Kim, W. R. L. Lambrecht, and B. Segall, Phys. Rev. B 56, 7018 (1997).
147. W. M. Yim, E. J. Stofko, P. J. Zanzucchi, J. I. Pankove, M. Ettenberg, and S. L. Gilbert, J. Appl. Phys. 44, 292 (1973).
148. P. B. Perry and R. F. Rutz, Appl. Phys. Lett. 33, 319 (1978).
149. Q. Guo and A. Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 2454 (1994).
150. R. D. Vispute, H. Wu, and J. Narayan, Appl. Phys. Lett. 67, 1549 (1995).
151. X. Tang, F. Hossain, K. Wongchotigul, and M. G. Spencer, Appl. Phys. Lett. 72, 1501 (1998).
152. T. Wethkamp, K. Wilmers, C. Cobet, N. Esser, W. Richter, O. Ambacher, M. Stutzmann, and M. Cardona, Phys. Rev. B 59, 1845 (1999).
153. E. Kuokstis et al., Appl. Phys. Lett. 81, 2755 (2002).
154. Q. Guo, M. Nishio, H. Ogawa, and A. Yoshida, Phys. Rev. B 64, 113105 (2001).
155. M. Oshikiri, F. Aryasetiawan, Y. Imanaka, and G. Kido, Phys. Rev. B 66, 125204 (2002).
156. C. Persson, B. E. Sernelius, A. Ferreira da Silva, R. Ahuja, and B. Jo-hansson, J. Phys.: Condens. Matter 13, 8915 (2001).
157. W. Shan el al., Appl. Phys. Lett. 72, 2274 (1998).
158. K. Tsubouchi, K. Sugai, and N. Mikoshiba, in 1981 Ultrasonics Symposium, edited by B. R. McAvoy (IEEE, New York, 1981), Vol. 1, p. 375.
159. L. E. McNeil, M. Grimditch, and R. H. French, J. Am, Ceram. Soc. 76, 1132 (1993).
160. V. Yu. Davydov et al., Phys. Rev. B 58, 12899 (1998).
161. E. Ruiz, S. Alvarez, and P. Alemany, Phys. Rev. B 49, 7115 (1994).
162. R. Kato and J. Hama, J. Phys.: Condens. Matter 6, 7617 (1994).
163. A. R. Hutson, U. S. Patent No. 3,090,876 (May 21, 1963).
164. K. Tsubouchi, K. Sugai, and N. Mikoshiba, Proceedings of the IEEE Ultrasonic Symposium (IEEE, New York, 1982), p. 340.
165. T. Kamiya, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 4421 (1996).
166. A. Zoroddu, F. Bernardini, P. Ruggerone, and V. Fiorentini, Phys. Rev. B 64, 045208 (2001).
167. M. Leroux, N. Grandjean, J. Massies, B. Gil, P. Lefebvre, and P. Bigenwald, Phys. Rev. B 60, 1496 (1999).
168. N. Grandjean, B. Damilano, S. Dalmasso, M. Leroux, M. Laugt, and J. Massies, J. Appl. Phys. 86, 3714 (1999).
169. J. A. Garrido, J. L. Sanchez-Rojas, A. Jimenez, E. Munoz, F. Omnes, and P. Gibart, Appl. Phys. Lett. 75, 2407 (1999).
170. R. A. Hogg, C. E. Norman, A. J. Shields, M. Pepper, and M. Iizuka, Appl. Phys. Lett. 76, 1428 (2000).
171. S.-H. Park and S.-L. Chuang, Appl. Phys. Lett. 76, 1981 (2000).
172. R. Cingolani et al., Phys. Rev. B 61, 2711 (2000).
173. F. Bernardini and V. Fiorentini, Phys. Rev. B 64, 085207 (2001).
174. V. Fiorentini, F. Bernardini, and O. Ambacher, Appl. Phys. Lett. 80, 1204 (2002).
175. I. Petrov, E. Mojab, R. C. Powell, J. E. Greene, L. Hultman, and J.-E. Sundgren, Appl. Phys. Lett. 60, 2491 (1992).
176. M. P. Thompson, G. W. Auner, T. S. Zheleva, K. A. Jones, S. J. Simko, and J. N. Hilfiker, J. Appl. Phys. 89, 3331 (2001).
177. M. Cardona and N. E. Christensen, Solid State Commun. 116, 421 (2000).
178. K. Karch and F. Bechstedt, Phys. Rev. B 56, 7404 (1997).
179. K. Osamura, S. Naka, and Y. Murakami, J. Appl. Phys. 46, 3432 (1975).
180. N. Puychevrier and M. Menoret, Thin Solid Films 36, 141 (1976).
181. V. A. Tyagai, A. M. Evstigneev, A. N. Krasiko, A. F. Andreeva, and V. Ya. Malakhov, Sov. Phys. Semicond. 11, 1257 (1977) [Fiz. Tekh. Polupro-vodn. (S.-Peterburg) 11, 2142 (1977)].
182. V. A. Tyagai, A. M. Evstigneev, A. N. Krasiko, A. F. Andreeva, and V. Ya. Malakhov, Sov. Phys. Semicond. 11, 1257 (1977) [Fiz. Tekh. Polupro-vodn. (S.-Peterburg) 11, 2142 (1977)].
183. T. L. Tansley and C. P. Foley, J. Appl. Phys. 59, 3241 (1986).
184. K. L. Westra and M. J. Brett, Thin Solid Films 192, 227 (1990).
185. T. Inushima, V. V. Mamutin, V. A. Vekshin, S. V. Ivanov, T. Sakon, M. Motokawa, and S. Ohoya, J. Cryst. Growth 227-228, 481 (2001).
186. V. Yu. Davydov et al., Phys. Status Solidi B 229, R1 (2002).
187. J. Wu, W. W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager, III, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff, Y. Saito, and Y. Nanishi, Appl. Phys. Lett. 80, 3967 (2002).
188. T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Harima, and E. Kurimoto, Appl. Phys. Lett. 81, 1246 (2002).
189. B. R. Nag, Phys. Status Solidi B 233, R8 (2002).
190. V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, V. V. Emtsev, F. Bechstedt, A. V. Mudryi, and E. E. Haller, Phys. Status Solidi B 233, R10 (2002).
191. V. Yu. Davydov et al., Phys. Status Solidi B 230, R4 (2002).
192. T. Inushima, T. Yaguchi, A. Nagase, A. Iso, T. Shiraishi, and S. Ooya, Proceedings of 7th International Conference on InP and Related Materials, 1995, p. 187.
193. A. Kasic, M. Schubert, Y. Saito, Y. Nanishi, and G. Wagner, Phys. Rev. B 65, 115206 (2002).
194. T. Inushima, T. Shiraishi, and V. Y. Davydov, Solid State Commun. 110, 491 (1999).
195. J. Wu, W. Walukiewicz, W. Shan, K. M. Yu, J. W. Ager, III, E. E. Haller, H. Lu, and W. J. Schaff, Phys. Rev. B 66, 201403 (2002).
196. S. Strite and H. Morkoc, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
197. K. P. O'Donnell, R. W. Martin, and P. G. Middleton, Phys. Rev. Lett. 82, 237 (1999).
198. L. K. Teles, J. Furthmüller, L. M. R. Scolfaro, A. Tabata, J. R. Leite, F. Bechstedt, T. Frey, D. J. As, and K. Lischka, Physica E (Amsterdam) 13, 1086 (2002).
199. A. F. Wright and J. S. Nelson, Appl. Phys. Lett. 66, 3051 (1995).
200. K. Kassali and N. Bouarissa, Solid-State Electron. 44, 501 (2000).
201. O. Brandt, J. R. Müllhauser, B. Yang, H. Yang, and K. H. Ploog, Physica E (Amsterdam) 2, 532 (1998).
202. M. Ferhat, J. Furthmüller, and F. Bechstedt, Appl. Phys. Lett. 80, 1394 (2002).
203. M. Ferhat and F. Bechstedt, Phys. Rev. B 65, 075213 (2002).
204. T. Nagatomo, T. Kuboyama, H. Minamino, and O. Omoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 28, L1334 (1989).
205. N. Yoshimoto, T. Matsuoka, and A. Katsui, Appl. Phys. Lett. 59, 2251 (1991).
206. S. Nakamura, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 705 (1995).
207. W. Li, P. Bergman, I. Ivanov, W.-X. Ni, H. Amano, and I. Akasa, Appl. Phys. Lett. 69, 3390 (1996).
208. R. Goldhahn, J. Scheiner, S. Shokhovets, T. Frey, U. Kohler, D. J. As, and K. Lischka, Appl. Phys. Lett. 76, 291 (2000).
209. L. Bellaiche and A. Zunger, Phys. Rev. B 57, 4425 (1998).
210. A. F. Wright, K. Leung, and M. van Schilfgaarde, Appl. Phys. Lett. 78, 189 (2001).
211. M. D. McCluskey, C. G. Van de Walle, C. P. Master, L. T. Romano, and N. M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 72, 2725 (1998).
212. P. R. C. Kent, G. L. W. Hart, and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 81, 4377 (2002).
213. T. Takeuchi, H. Takeuchi, S. Sota, H. Sakai, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L177 (1997).
214. C. Wetzel, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, H. Katoh, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 73, 1994 (1998).
215. W. Shan et al., J. Appl. Phys. 84, 4452 (1998).
216. C. A. Parker, J. C. Roberts, S. M. Bedair, M. J. Reed, S. X. Liu, N. A. El-Masry, and L. H. Robins, Appl. Phys. Lett. 75, 2566 (1999).
217. H. P. D. Schrenk, P. de Mierry, M. Laugt, F. Omnes, M. Leroux, B. Beaumont, and P. Gibart, Appl. Phys. Lett. 75, 2587 (1999).
218. M. E. Aumer, S. F. LeBoeuf, F. G. McIntosh, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 75, 3315 (1999).
219. B. Schineller, P. H. Lim, O. Schön, H. Protzmann, M. Heuken, and K. Heime, Phys. Status Solidi B 216, 311 (1999).
220. L. Siozade, J. Leymarie, P. Disseix, A. Vasson, M. Mihailovic, N. Grandjean, M. Leroux, and J. Massies, Solid State Commun. 115, 575 (2000).
221. S. Pereira, M. R. Correia, T. Monteiro, E. Pereira, E. Alves, A. D. Sequeira, and N. Franco, Appl. Phys. Lett. 78, 2137 (2001).
222. P. Perlin, I. Gorczyca, T. Suski, P. Wisniewski, S. Lepkowski, N. E. Christensen, A. Svane, M. Hansen, and S. P. DenBaars, Phys. Rev. B 64, 115319 (2001).
223. F. Scholz, J. Off, A. Sohmer, V. Sygnow, A. Dörnen, and O. Ambacher, J. Cryst. Growth 189-190, 8 (1998).
224. J. Wagner, A. Ramakrishnan, D. Behr, M. Maier, N. Herres, M. Kunzer, H. Ogloh, and K.-H. Bachem, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G2.8 (1999).
225. F. B. Naranjo, M. A. Sanchez-Garcia, F. Calle, E. Calleja, B. Jenichen, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 80, 231 (2002).
226. F. B. Naranjo, S. Fernandez, M. A. Sanchez-Garcia, F. Calle, E. Calleja, A. Trampert, and K. H. Ploog, Mater. Sci. Eng., B 93, 131 (2002).
227. P. Ryan, C. McGuinness, J. E. Downes, K. E. Smith, D. Doppalapudi, and T. D. Moustakas, Phys. Rev. B 65, 205201 (2002).
228. J. D. Beach, H. Al-Thani, S. McCray, R. T. Collins, and J. A. Turner, J. Appl. Phys. 91, 5190 (2002).
229. M.-H. Kim, J.-K. Gho, I.-H, Lee, and S.-J. Park, Phys. Status Solidi A 176, 269 (1999).
230. K. P. O'Donnell, J. F. W. Mosselmans, R. W. Martin, S. Pereira, and M. E. White, J. Phys.: Condens. Matter 13, 6977 (2001).
231. J.-Chr. Holst et al., Appl. Phys. Lett. 76, 2832 (2000).
232. L. K. Teles, J. Furthmüller, L. M. R. Scolfaro, J. R. Leite, and F. Bech-stedt, Phys. Rev. B 63, 085204 (2001).
233. L. Bellaiche, T. Mattila, L.-W. Wang, S.-H. Wei, and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 74, 1842 (1999).
234. S. Stepanov, W. N. Wang, B. S. Yavich, V. Bougrov, Y. T. Rebane, and Y. G. Shreter, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 6, 6 (2001).
235. J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager, III, E. E. Haller, H. Lu, and W. J. Schaff, Appl. Phys. Lett. 80, 4741 (2002).
236. S. K. Pugh, D. J. Dugdale, S. Brand, and R. A. Abram, J. Appl. Phys. 86, 3768 (1999).
237. A. Al-Yacoub and L. Bellaiche, Appl. Phys. Lett. 79, 2166 (2001).
238. A. Al-Yacoub, L. Bellaiche, and S.-H. Wei, Phys. Rev. Lett. 89, 057601 (2002).
239. J. Hagen, R. D. Metcalfe, D. Wickenden, and W. Clark, J. Phys. C 11, L143 (1978).
240. S. Yoshida, S. Misawa, and S. Gonda, J. Appl. Phys. 53, 6844 (1982).
241. M. A. Khan, R. A. Skogman, R. G. Schulze, and M. Gershenzon, Appl. Phys. Lett. 43, 492 (1983).
242. M. R. H. Khan, Y. Koide, H. Itoh, N. Sawaki, and I. Akasaki, Solid State Commun. 60, 509 (1986).
243. Y. Koide, H. Itoh, M. R. H. Khan, K. Hiramatu, and I. Akasaki, J. Appl. Phys. 61, 4540 (1987).
244. S. R. Lee, A. F. Wright, M. H. Crawford, G. A. Petersen, J. Han, and R. M. Biefeld, Appl. Phys. Lett. 74, 3344 (1999).
245. G. Yu, H. Ishikawa, M. Umeno, T. Egawa, J. Watanabe, T. Jimbo, and T. Soga, Appl. Phys. Lett. 72, 2202 (1998).
246. O. Ambacher, R. Dimitrov, D. Lentz, T. Metzger, W. Rieger, and M. Stutzmann, J. Cryst. Growth 170, 335 (1997).
247. B. V. Baranov, V. B. Gutan, and U. Zhumakulov, Sov. Phys. Semicond. 16, 819 (1982).
248. M. D. Bremser, W. G. Perry, T. Zheleva, N. V. Edwards, O. H. Nam, N. Parikh, D. E. Aspnes, and R. F. Davis, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 8 (1996).
249. T. Huang and J. S. Harris, Jr., Appl. Phys. Lett. 72, 1158 (1998).
250. G. A. Korkotashvili, A. N. Pikhtin, I. G. Pichugin, and A. M. Tsaregorodtsev, Sov. Phys. Semicond. 18, 913 (1984).
251. T. Wethkamp, K. Wilmers, N. Esser, W. Richter, O. Ambacher, H. Angerer, G. Jungk, R. L. Johnson, and M. Cardona, Thin Solid Films 313, 745 (1998).
252. W Shan et al., Appl. Phys. Lett. 72, 2274 (1998).
253. D. Korakakis, H. M. Ng, M. Misra, W. Grieshaber, and T. D. Moustakas, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 10 (1996).
254. A. Y. Polyakov, M. Shin, J. A. Freitas, M. Skowronski, D. W. Greve, and R. G. Wilson, J. Appl. Phys. 80, 6349 (1996).
255. G. Steude, D. M. Hofmann, B. K. Meyer, H. Amano, and I. Akasaki, Phys. Status Solidi B 205, R7 (1998).
256. D. K. Wickenden, C. B. Bargeron, W. A. Bryden, J. Miragliotta, and T. J. Kistenmacher, Appl. Phys. Lett. 65, 2024 (1994).
257. A. S. Zubrilov, D. V. Tsvetkov, V. I. Nikolaev, and I. P. Nikitina, Semiconductors 30, 1069 (1996).
258. T. J. Ochalski, B. Gil, P. Lefebvre, N. Granjean, M. Leroux, J. Massies, S. Nakamura, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 74, 3353 (1999).
259. W. Shan, J. W. Ager, III, K. M. Yu, W. Walukiewicz, E. E. Haller, M. C. Martin, W. R. McKinney, and W. Yang, J. Appl. Phys. 85, 8505 (1999).
260. B. K. Meyer, G. Steude, A. Göldner, A. Hoffmann, H. Amano, and I. Akasaki, Phys. Status Solidi B 216, 187 (1999).
261. F. Omnes, N. Marenco, B. Beaumont, Ph. de Mierry, E. Monroy, F. Calle, and E. Munoz, J. Appl. Phys. 86, 5286 (1999).
262. L. Bergman, X.-B. Chen, D. McIlroy, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 81, 4186 (2002).
263. S. A. Nikishin, N. N. Faleev, A. S. Zubrilov, V. G. Antipov, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 76, 3028 (2000).
264. S. Nikishin et al., J. Vac. Sci. Technol. B 19, 1409 (2001).
265. M. Holtz, T. Prkofyeva, M. Seon, K. Copeland, J. Vanbuskirk, S. Williams, S. A. Nikishin, V. Tretyakov, and H. Temkin, J. Appl. Phys. 89, 7977 (2001).
266. D. G. Ebling, L. Kirste, K. W. Benz, N. Teofilov, K. Thonke, and R. Sauer, J. Cryst. Growth 227-228, 453 (2001).
267. H. Jiang, G. Y. Zhao, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, and M. Umeno, J. Appl. Phys. 89, 1046 (2001).
268. J. Wagner, H. Obloh, M. Kunzer, M. Maier, K. Köhler, and B. Johs, J. Appl. Phys. 89, 2779 (2001).
269. Q. Zhou, M. O. Manasreh, M. Pophristic, S. Guo, and I. T. Ferguson, Appl. Phys. Lett. 79, 2901 (2001).
270. O. Katz, B. Meyler, U. Tisch, and J. Salzman, Phys. Status Solidi A 188, 789 (2001).
271. F. Yun, M. A. Reshchikov, L. He, T. King, H. Morkoc, S. W. Novak, and L. Wei, J. Appl. Phys. 92, 4837 (2002).
272. Q. S. Paduano, D. W. Weyburne, L. O. Bouthillette, S.-Q. Wang, and M. N. Alexander, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 41, 1936 (2002).
273. A. Nakadaira and H. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 70, 2720 (1997).
274. R. de Paiva, J. L. A. Alves, R. A. Nogueira, C. de Oliveira, H. W. L. Alves, L. M. R. Scolfaro, and J. R. Leite, Mater. Sci. Eng., B 93, 2 (2002).
275. E. A. Albanesi, W. R. L. Lambrecht, and B. Segall, Phys. Rev. B 48, 17841 (1993).
276. V. G. Deibuk, A. V. Voznyi, and M. M. Sletov, Semiconductors 34, 35 (2000).
277. Y.-K. Kuo and W.-W. Lin, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 41, 73 (2002).
278. L.-C. Duda, C. B. Stagarescu, J. Downes, K. E. Smith, D. Korakakis, T. D. Moustakas, J. Guo, and J. Nordgren, Phys. Rev. B 58, 1928 (1998).
279. K. Kubota, Y. Kobayashi, and K. Fujimoto, J. Appl. Phys. 66, 2984 (1989).
280. Q. Guo, H. Ogawa, and A. Yoshida, J. Cryst. Growth 146, 462 (1995).
281. K. S. Kim, A. Saxler, P. Kung, M. Razeghi, and K. Y. Lim, Appl. Phys. Lett. 71, 800 (1997).
282. T. Peng, J. Piprek, G. Qiu, J. O. Olowolafe, K. M. Unruh, C. P. Swann, and E. F. Schubert, Appl. Phys. Lett. 71, 2439 (1997).
283. S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Kato, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 195, 309 (1998).
284. S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 76, 876 (2000).
285. T. V. Shubina et al., Phys. Status Solidi B 216, 205 (1999).
286. M. J. Lukitsch, Y. V. Danylyuk, V. M. Naik, C. Huang, G. W. Auner, L. Rimai, and R. Naik, Appl. Phys. Lett. 79, 632 (2001).
287. A. F. Wright and J. S. Nelson, Appl. Phys. Lett. 66, 3465 (1995).
288. L. K. Teles, L. M. R. Scolfaro, J. R. Leite, J. Furthmüller, and F. Bech-stedt, J. Appl. Phys. 92, 7109 (2002).
289. M. E. Aumer, S. F. LeBoeuf, F. G. McIntosh, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 75, 3315(1999).
290. G. Tamulaitis et al., Appl. Phys. Lett. 77, 2136 (2000).
291. J. Li, K. B. Nam, K. H. Kim, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 78, 61 (2001).
292. M. Asif Khan et al., Appl. Phys. Lett. 76, 1161 (2000).
293. T. N. Oder, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 77, 791 (2000).
294. M. Murayama and T. Nakayama, Phys. Rev. B 49, 4710 (1994).
295. X. H. Lu, P. Y. Yu, L. X. Zheng, S. J. Xu, M. H. Xie, and S. Y. Tong, Appl. Phys. Lett. 82, 1033 (2003).
296. F. Bernardini and V. Fiorentini, Phys. Rev. B 57, R9427 (1998).
297. E. A. Albanesi, W. R. L. Lambrecht, and B. Segall, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2470 (1994).
298. X. Chen, X. Hua, J. Hu, J.-M. Langlois, and W. A. Goddard, III, Phys. Rev. B 53, 1377 (1996).
299. S.-H. Ke, K.-M. Zhang, and X.-D. Xie, J. Appl. Phys. 80, 2918 (1996).
300. W. Mönch, J. Appl. Phys. 80, 5076 (1996).
301. M. B. Nardelli, K. Rapcewicz, and J. Bernholc, Phys. Rev. B 55, R7323 (1997).
302. N. Binggeli, P. Ferrara, and A. Baldereschi, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 911 (1998).
303. A. J. Ekpunobi and A. O. E. Animalu, Superlattices Microstruct. 31, 247 (2002).
304. D. Cociorva, W. G. Aulbur, and J. W. Wilkins, Solid State Commun. 124, 63 (2002).
305. H. Ünlü, Phys. Status Solidi B 223, 195 (2001).
306. H. Ünlü and A. Asenov, J. Phys. D 35, 591 (2002).
307. N. Binggeli, P. Ferrara, and A. Baldereschi, Phys. Rev. B 63, 245306 (2001).
308. A. Satta, V. Fiorentini, A. Bosin, and F. Meloni, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 515 (1996).
309. J. Baur, K. Maier, M. Kunzer, U. Kaufmann, and J. Schneider, Appl. Phys. Lett. 65, 2211 (1994).
310. K. B. Nam, J. Li, K. H. Kim, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 78, 3690 (2001).
311. D. R. Hang, C. H. Chen, Y. F. Chen, H. X. Jiang, and J. Y. Lin, J. Appl. Phys. 90, 1887 (2001).
312. G. A. Martin, S. C. Strite, A. Botchkarev, A. Agarwal, A. Rockett, W. R. L. Lambrecht, B. Segall, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 67, 3322 (1995).
313. G. A. Martin, A. Botchkarev, A. Rockett, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 68, 2541 (1996).
314. J. R. Waldrop and R. W. Grant, Appl. Phys. Lett. 68, 2879 (1996).
315. R. A. Beach, E. C. Piquette, R. W. Grant, and T. C. McGill, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 775 (1998).
316. S. W. King, C. Ronning, R. F. Davis, M. C. Benjamin, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 84, 2086 (1998).
317. A. Rizzi, R. Lantier, F. Monti, H. Luth, F. Della Sala, A. Di Carlo, and P. Lugli, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1674 (1999).
318. S.-H. Wei and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 72, 2011 (1998).
319. C.-C. Chen, H.-W. Chuang, G.-C. Chi, C.-C. Chuo, and J.-I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 77, 3758 (2000).
320. G. Martin, S. Strite, J. Thornton, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 58, 2375 (1991).
321. X. Huang et al., J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1582 (1995).
322. S. A. Ding, S. R. Barman, K. Horn, H. Yang, B. Yang, O. Brandt, and K. Ploog, Appl. Phys. Lett. 70, 2407 (1997).
323. B. K. Agrawal, S. Agrawal, and R. Srivastava, Surf. Sci. 424, 232 (1999).
324. U. Tisch, E. Finkman, and J. Salzman, Appl. Phys. Lett. 81, 463 (2002).
325. S. Tomic and E. P. O'Reilly, IEEE Photonics Technol. Lett. 15, 6 (2003).
326. J. Wu, W. Shan, and W. Walukiewicz, Semicond. Sci. Technol. 17, 860 (2002).
327. A. Lindsay, S. Tomic, and E. P. O'Reilly, Solid-State Electron. 47, 443 (2003).
328. I. Suemune, K. Uesugi, and W. Walukiewicz, Appl. Phys. Lett. 77, 3021 (2000).
329. E. P. O'Reilly and A. Lindsay, Phys. Status Solidi B 216, 131 (1999).
330. A. Lindsay and E. P. O'Reilly, Solid State Commun. 112, 443 (1999).
331. S. A. Choulis, S. Tomic, E. P. O'Reilly, and T. J. C. Hosea, Solid State Commun. 125, 155 (2003).
332. S. A. Choulis, T. J. C. Hosea, S. Tomic, M. Kamal-Saadi, A. R. Adams, E. P. O'Reilly, B. A. Weinstein, and P. J. Klar, Phys. Rev. B 66, 165321 (2002).
333. B. Gil, Solid State Commun. 114, 623 (2000).
334. N. Shtinkov, P. Desjardins, and R. A. Masut, Phys. Rev. B 67, 081202 (2003).
335. C. Skierbiszewski, Semicond. Sci. Technol. 17, 803 (2002).
336. P. R. C. Kent, L. Bellaiche, and A. Zunger, Semicond. Sci. Technol. 17, 851 (2002).
337. P. R. C. Kent and A. Zunger, Phys. Rev. Lett. 86, 2613 (2001).
338. P. R. C. Kent and A. Zunger, Phys. Rev. B 64, 115208 (2001).
339. G. Szwacki and P. Boguslawski, Phys. Rev. B 64, 161201 (2001).
340. W. O. Groves, A. H. Herzog, and M. G. Craford, Appl. Phys. Lett. 19, 184 (1971).
341. M. Weyers, M. Sato, and H. Ando, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L853 (1992).
342. M. Weyers and M. Sato, Appl. Phys. Lett. 62, 1396 (1993).
343. R. Kuroiwa, H. Asahi, K. Asami, S.-J. Kim, K. Iwata, and S. Gonda, Appl. Phys. Lett. 73, 2630 (1998).
344. M. Kondow, K. Uomi, K. Hosomi, and T. Mozume, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 33, L1056 (1994).
345. G. Pozina, I. Ivanov, B. Monemar, J. V. Thordson, and T. G. Andersson, J. Appl. Phys. 84, 3830 (1998).
346. S. Sakai, Y. Ueta, and Y. Terauchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 32, 4413 (1993).
347. S.-H. Wei and A. Zunger, Phys. Rev. Lett. 76, 664 (1996).
348. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 51, 10568 (1995).
349. A. Rubio and M. L. Cohen, Phys. Rev. B 51, 4343 (1995).
350. L. Bellaiche, S.-H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 54, 17568 (1996).
351. L. Bellaiche, S.-H. Wei, and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 70, 3558 (1997).
352. T. Mattila, S.-H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 60, R11245 (1999).
353. L. Bellaiche, S.-H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 56, 10233 (1997).
354. W. O. Bi and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 70, 1608 (1997).
355. J. Salzman and H. Temkin, Mater. Sci. Eng., B 50, 148 (1997).
356. A. Ougazzaden, Y. Le Bellego, E. V. K. Rao, M. Juhel, L. Leprince, and G. Patriarche, Appl. Phys. Lett. 70, 2861 (1997).
357. T. Makimoto, H. Saito, T. Nishida, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 70, 2984 (1997).
358. L. Malikova, F. H. Pollak, and R. Bhat, J. Electron. Mater. 27, 484 (1998).
359. K. Uesugi, N. Morooka, and I. Suemune, Appl. Phys. Lett. 74, 1254 (1999).
360. J. Sik, M. Schubert, G. Leibiger, V. Gottschalch, G. Kirpal, and J. Humlicek, Appl. Phys. Lett. 76, 2859 (2000).
361. M. Kozhevnikov, V. Narayanamurti, C. V. Reddy, H. P. Xin, C. W. Tu, A. Mascarenhas, and Y. Zhang, Phys. Rev. B 61, R7861 (2000).
362. K. Uesugi, I. Suemune, K. Hasegawa, T. Akutagawa, and T. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 76, 1285 (2000).
363. P. Perlin, S. G. Subramanya, D. E. Mars, J. Kruger, N. A. Shapiro, H. Siegle, and E. R. Weber, Appl. Phys. Lett. 73, 3703 (1998).
364. W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager, III, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, and S. R. Kurtz, Phys. Rev. Lett. 82, 1221 (1999).
365. E. D. Jones, N. A. Modine, A. A. Allerman, S. R. Kurtz, A. F. Wright, S. T. Tozer, and X. Wei, Phys. Rev. B 60, 4430 (1999).
366. S. R. Kurtz, N. A. Modine, E. D. Jones, A. A. Allerman, and J. F. Klem, Semicond. Sci. Technol. 17, 843 (2002).
367. C. Skierbiszewski et al., Appl. Phys. Lett. 76, 2409 (2000).
368. C. Skiebriszewski et al., Phys. Status Solidi B 216, 135 (1999).
369. K. M. Yu, W. Walukiewicz, W. Shan, J. W. Ager, III, J. Wu, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, and J. M. Olson, Phys. Rev. B 61, R13337 (2000).
370. P. N. Hai, W. M. Chen, I. A. Buyanova, H. P. Xin, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 77, 1843 (2000).
371. Z. Pan, L. H. Li, Y. W. Lin, B. Q. Sun, D. S. Jiang, and W. K. Ge, Appl. Phys. Lett. 78, 2217 (2001).
372. I. A. Buyanova, W. M. Chen, and C. W. Tu, Semicond. Sci. Technol. 17, 815 (2002).
373. D. L. Young, J. F. Geisz, and T. J. Coutts, Appl. Phys. Lett. 82, 1236 (2003).
374. R. Chtourou, F. Bousbih, S. Ben Bouzid, F. F. Charfi, J. C. Harmand, G. Ungaro, and L. Largeau, Appl. Phys. Lett. 80, 2075 (2002).
375. J. D. Perkins, A. Mascarenhas, Y. Zhang, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, and S. R. Kurtz, Phys. Rev. Lett. 82, 3312 (1999).
376. W. Shan, K. M. Yu, W. Walukiewicz, J. W. Ager, III, E. E. Haller, and M. C. Ridgway, Appl. Phys. Lett. 75, 1410 (1999).
377. Y. Zhang, A. Mascarenhas, H. P. Xin, and C. W. Tu, Phys. Rev. B 61, 7479 (2000).
378. Y. Zhang, A. Mascarenhas, J. F. Geisz, H. P. Xin, and C. W. Tu, Phys. Rev. B 63, 085205 (2001).
379. P. J. Klar, H. Gruning, W. Heimbrodt, J. Koch, F. Hohnsdorf, W. Stolz, P. M. A. Vicente, and J. Camassel, Appl. Phys. Lett. 76, 3439 (2000).
380. Y. Zhang, A. Mascarenhas, H. P. Xin, and C. W. Tu, Phys. Rev. B 63, 161303 (2001).
381. Y. Zhang, A. Mascarenhas, H. P. Xin, and C. W. Tu, Phys. Rev. B 61, 4433 (2000).
382. M. H. Ya, Y. F. Chen, and Y. S. Huang, J. Appl. Phys. 92, 1446 (2002).
383. T. Kitatani, M. Kondow, T. Kikawa, Y. Yazawa, M. Okai, and K. Uomi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 5003 (1999).
384. B. Q. Sun, D. S. Jiang, X. D. Luo, Z. Y. Xu, Z. Pan, L. H. Li, and R. H. Wu, Appl. Phys. Lett. 76, 2862 (2000).
385. I. A. Buyanova, G. Pozina, P. N. Hai, W. M. Chen, H. P. Xin, and C. W. Tu, Phys. Rev. B 63, 033303 (2000).
386. P. Krispin, S. G. Spruytte, J. S. Harris, and K. H. Ploog, J. Appl. Phys. 90, 2405 (2001).
387. A. Yu. Egorov, V. A. Odnoblyudov, N. V. Krizhanovskaya, V. V. Mamutin, and V. M. Ustinov, Semiconductors 36, 1355 (2002) [Fiz. Tekh. Poluprovodn. (S. Peterburg) 36, 1440 (2002)].
388. A. Yu. Egorov, V. A. Odnoblyudov, N. V. Krizhanovskaya, V. V. Mamutin, and V. M. Ustinov, Semiconductors 36, 1355 (2002) [Fiz. Tekh. Poluprovodn. (S. Peterburg) 36, 1440 (2002)].
389. P. J. Klar et al., Semicond. Sci. Technol. 17, 830 (2002).
390. T. Yang, S. Nakajima, and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L320 (1997).
391. N. Tit and M. W. C. Dharma-wardana, Appl. Phys. Lett. 76, 3576 (2000).
392. H. Naoi, Y. Naoi, and S. Sakai, Solid-State Electron. 41, 319 (1997).
393. R. Beresford, K. S. Stevens, and A. F. Schwatzman, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1293 (1998).
394. J. C. Fan, W. K. Hung, Y. F. Chen, J. S. Wang, and H. H. Lin, Phys. Rev. B 62, 10990 (2000).
395. W. K. Hung, K. S. Cho, M. Y. Chern, Y. F. Chen, D. K. Shih, H. H. Lin, C. C. Lu, and T. R. Yang, Appl. Phys. Lett. 80, 796 (2002).
396. D. R. Hang et al., Semicond. Sci. Technol. 17, 999 (2002).
397. B. Q. Sun, D. S. Jiang, Z. Pan, L. H. Li, and R. H. Wu, Appl. Phys. Lett. 77, 4148 (2000).
398. A. Polimeni, M. Capizzi, M. Geddo, M. Fischer, M. Reinhardt, and A. Forchel, Phys. Rev. B 63, 195320 (2001).
399. M. R. Gokhale, J. Wei, H. Wang, and S. R. Forrest, Appl. Phys. Lett. 74, 1287 (1999).
400. A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, E. S. Semenova, V. M. Ustinov, L. Wei, J.-S. Wang, and J. Y. Chi, Semiconductors 36, 899 (2002) [Fiz. Tekh. Poluprovodn. (S.-Peterburg) 36, 964 (2002)].
401. A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, E. S. Semenova, V. M. Ustinov, L. Wei, J.-S. Wang, and J. Y. Chi, Semiconductors 36, 899 (2002) [Fiz. Tekh. Poluprovodn. (S.-Peterburg) 36, 964 (2002)].
402. S. A. Choulis, T. J. C. Hosea, S. Tomic, M. Kamal-Saadi, B. A. Weinstein, E. P. O'Reilly, A. R. Adams, and P. J. Klar, Phys. Status Solidi B 235, 384 (2003).
403. H. D. Sun, M. D. Dawson, M. Othman, J. C. L. Yong, J. M. Rorison, P. Gilet, L. Grenouillet, and A. Million, Appl. Phys. Lett. 82, 376 (2003).
404. L. Bellaiche, Appl. Phys. Lett. 75, 2578 (1999).
405. A. Al-Yacoub and L. Bellaiche, Phys. Rev. B 62, 10847 (2000).
406. M.-A. Pinault and E. Tournié, Appl. Phys. Lett. 78, 1562 (2001).
407. P. J. Klar et al., Phys. Rev. B 64, 121203 (2001).
408. G. Ungaro, G. Le Roux, R. Teissier, and J. C. Harmand, Electron. Lett. 35, 1246 (1999).
409. J. C. Harmand, G. Ungaro, L. Largeau, and G. Le Roux, Appl. Phys. Lett. 77, 2482 (2000).
410. J.-C. Harmand et al., Semicond. Sci. Technol. 17, 778 (2003).
411. W. G. Bi and C. W. Tu, J. Appl. Phys. 80, 1934 (1996).
412. K. M. Yu, W. Walukiewicz, J. Wu, J. W. Beeman, J. W. Ager, III, E. E. Haller, W. Shan, H. P. Xin, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 78, 1077 (2001).
413. B. N. Murdin et al., Appl. Phys. Lett. 78, 1568 (2001).
414. B. N. Murdin et al., Appl. Phys. Lett. 81, 256 (2002).
415. T. Ashley, T. M. Burke, G. J. Price, A. R. Adams, A. Andreev, B. N. Murdin, E. P. O'Reilly, and C. R. Pidgeon, Solid-State Electron. 47, 387 (2003).
416. W. O. Groves, A. H. Herzog, and M. G. Craford, Appl. Phys. Lett. 19, 184 (1971).
417. J. N. Baillargeon, K. Y. Cheng, G. E. Hofler, P. J. Pearah, and K. C. Hsieh, Appl. Phys. Lett. 60, 2540 (1992).
418. X. Liu, S. G. Bishop, J. N. Baillargeon, and K. Y. Cheng, Appl. Phys. Lett. 63, 208 (1993).
419. S. Miyoshi, H. Yaguchi, K. Onabe, R. Ito, and Y. Shiraki, J. Cryst. Growth 145, 87 (1994).
420. W. G. Bi and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 69, 3710 (1996).
421. S. Miyoshi and K. Onabe, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 4680 (1998).
422. W. Shan, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. Wu, J. W. Ager, III, E. E. Haller, H. P. Xin, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 76, 3251 (2000).
423. J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager, III, E. E. Haller, Y. G. Hong, H. P. Xin, and C. W. Tu, Phys. Rev. B 65, 241303 (2002).
424. G. Yu. Rudko, I. A. Buyanova, W. M. Chen, H. P. Xin, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 81, 3984 (2002).
425. G. Yu. Rudko, I. A. Buyanova, W. M. Chen, H. P. Xin, and C. W. Tu, Solid-State Electron. 47, 493 (2003).
426. H. P. Xin and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 77, 2180 (2000).
427. H. P. Xin, C. W. Tu, Y. Zhang, and A. Mascarenhas, Appl. Phys. Lett. 76, 1267 (2000).
428. H. P. Xin, R. J. Welty, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 77, 1946 (2000).
429. Y. Zhang, B. Fluegel, A. Mascarenhas, H. P. Xin, and C. W. Tu, Phys. Rev. B 62, 4493 (2000).
430. G. Leibiger, V. Gottschalch, M. Schubert, G. Benndorf, and R. Schwabe, Phys. Rev. B 65, 245207 (2002).
431. C. V Reddy, R. E. Martinez II, V. Narayanamurti, P. Xin, and C. W. Tu, Phys. Rev. B 66, 235313 (2002).
432. I. A. Buyanova, G. Pozina, J. P. Bergman, W. M. Chen, H. P. Xin, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 81, 52 (2002).
433. Y. G. Hong, R. André, and C. W. Tu, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 1413 (2001).