Fullerene resist materials for the 32 nm node and beyond

Advanced Functional Materials

Volumn 18, Issue 13, 2008, Pages 1977-1982

  Gibbons, Francis P ^a   Robinson, Alex P G ^a   Palmer, Richard E ^a   Diegoli, Sara ^a   Manickam, Mayandithevar ^a   Preece, Jon A ^a  

^a UNIVERSITY OF BIRMINGHAM   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FULLERENES; INDUSTRIAL MANAGEMENT; LIGHT WATER REACTORS; LITHOGRAPHY; NANOSTRUCTURES; NANOTECHNOLOGY; PHOTORESISTORS; ROUGHNESS MEASUREMENT;

CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST (CAR); CROSS LINKERS; INTERNATIONAL TECHNOLOGY ROADMAP FOR SEMICONDUCTORS (ITRS); LINE WIDTH ROUGHNESS (LWR); NEXT-GENERATION LITHOGRAPHY (NGL); PHOTO ACID GENERATOR (PAG); RESIST MATERIALS; TRIARYLSULFONIUM;

PHOTORESISTS;

EID: 47949114437     PISSN: 1616301X     EISSN: 16163028     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.200701155     Document Type: Article

References (59)

1. H. W. Kroto, J. R. Heath, S. C. O'Brien. R. F. Curl, R. E. Smalley, Nature 1985, 318, 162.
2. S. Iijima, Nature 1991, 354, 56.
3. a) K. S. Novoselov, A. K. Geim. S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, A. A. Firsov, Science 2004, 306, 666.
4. b) C. Berger, Z. M. Song, T. B. Li, X. B. Li. A. Y. Ogbazghi. R. Feng, Z. T. Dai, A. N. Marchenkov, E. H. Conrad, P. N. First. W. A. de Heer, J. Phys. Chem. B 2004, 108, 19912.
5. c) C. Berger. Z. M. Song. X. B. Li, X. S. Wu, N. Brown, C. Naud, D. Mayo, T. B. Li, J. Hass, A. N. Marchenkov, E. H. Conrad, P. N. First, W. A. de Heer, Science 2006, 312, 1191.
6. d) A. K. Geim, K. S. Novoselov, Nat. Mater. 2007, 6, 183.
7. G. Li, V. Shrotriya. J. Huang, Y. Yao, T. Moriarty, K. Emery, Y. Yang, Nat. Mater. 2005, 4, 864.
8. Y. Wang, Nature 1992, 356, 585.
9. C. C. Wang, Z. X. Guo, S. K. Fu, W. Wu, D. B. Zhu, Prag. Polym. Sci. 2004, 29, 1079.
10. a) G. Cuniberti. R. Gutierrez, G. Fagas. F. Grossmann, K. Richter, R. Schmidt, Phys. E 2002, 12, 749.
11. b) H. Park, J. Park, A. K. L. Lim, E. H. Anderson, A. P. Alivisatos, P. L. McEuen, Nature 2000, 407, 57.
12. a) Y. Saito, K. Hamaguchi, K. Hata, K. Uchida, Y. Tasaka, F. Ikazaki, M. Yumura, A. Kasuya, Y. Nishina, Nature 1997, 389, 554.
13. b) W. A. de Heer, D. Chatelain, D. Ugarte, Science 1995, 270, 1179.
14. P. G. Collins, K. Bradley, M. Ishigami, A. Zetti, Science 2000, 287, 1801.
15. International Technology Roadmap for Semiconductors, 2006 Update, http://www.itrs.net, 2006.
16. R. L. Brainard, G. G. Barclay, E. H. Anderson, L. E. Ocola, Microelectron. Eng. 2002, 67-62, 707.
17. a) J. Fujita, Y. Ohnishi, S. Manako, Y. Ochiai, E. Nomura, T. Sakamoto, S. Matsui, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 1997, 36, 7769.
18. b) M. Ishida, J. I. Fujita, T. Ogura, Y. Ochiai, E. Ohshima, J. Momoda, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 2003, 42, 3913.
19. c) N. Kihara, S. Saito, T. Ushirogouchi, M. Nakase, J. Photopolym. Sci. Technol. 1998, 11, 553.
20. d) M. Aktary, K. L. Westra, M. R. Freeman, Y. Tanaka, J. Vac. Sci. Technol. B 2006, 24, 267.
21. e) K. E. Gonsalves, M. Thiyagarajan, J. H. Choi, P. Zimmerman, F. Cerrina, P. Nealey, V. Golovkina, J. Wallace, N. Batina, Microelectron. Eng. 2005, 77, 27.
22. a) T. Kadota, H. Kageyama, F. Wakaya, K. Gamo, Y. Shirota, Chem. Lett. 2004, 706.
23. b) D. Yang, S. Chang, C. K. Ober, J. Mater. Chem. 2006, 16, 1693.
24. c) D. Bratton, R. Ayothi, H. Deng, H. B. Cao, C. K. Ober, Chem. Mater. 2007, 19, 3780.
25. d) N. M. Felix, A. De Silva, C. M. Y. Luk, C. K. Ober, J. Mater. Chem. 2007, 17, 4598.
26. e) R. A. Lawson, C. T. Lee, C. L. Henderson, R. Whetsell, L. Tolbert, W. Yueh, J. Vac. Sci. Technol. B 2007, 25, 2140.
27. f) D. Shiono, T. Hirayama, K. Kasai, H. Hada, J. Onodera, T. Arai, A. Yamaguchi, H. Shiraishi, H. Fukuda, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 2006, 45, 5435.
28. a) A. P. G. Robinson, R. E. Palmer, T. Tada, T. Kanayama, M. T. Allen, J. A. Preece, K. D. M. Harris, J. Phys. D 1999, 32, L75.
29. b) A. P. G. Robinson, R. E. Palmer, T. Tada, T. Kanayama, M. T. Allen, J. A. Preece, K. D. M. Harris, J. Vac. Sci. Technl. B 2000, 18, 2730.
30. c) H. M. Zaid, A. P. G. Robinson, R. E. Palmer, M. Manickam, J. A. Preece, Adv. Funct. Mater. 2007, 17, 2522.
31. a) J. Kretz, L. Dreeskornfeld, G. Ilicali, T. Lutz. W. Weber, Microelectron. Eng. 2005, 78-79, 479.
32. b) H. Namatsu. Y. Takahashi, K. Yamazaki, T. Yamaguchi, M. Nagase, K. Kurihara, J. Vac. Sci. Technol. B 1998, 76, 69.
33. c) B. E. Maile, W. Henschel, H. Kurz, B. Rienks, R. Polman, P. Kaars, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 2000, 39, 6836.
34. d) K. E. Gonsalves, L. Merhari, H. P. Wu, Y. Q. Hu, Adv. Mater. 2001, 13, 703.
35. a) T. Tada, T. Kanayama, Jpn. J. Appl. Phys. Part 21996, 35, L63.
36. b) T. Shibata, T. Ishii, H. Nozawa, T. Tamamura, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 1997, 36, 7642.
37. a) A. P. G. Robinson, R. E. Palmer, T. Tada, T. Kanayama, J. A. Preece, Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 1302.
38. b) A. P. G. Robinson, R. E. Palmer, T. Tada, T. Kanayama, J. A. Preece, D. Philp, U. Jonas, F. Deiderich, Chem. Phys. Lett. 1998, 289, 586.
39. c) A. P. G. Robinson, R. E. Palmer, T. Tada, T. Kanayama, E. J. Shelley, D. Philp, J. A. Preece, Chem. Phys. Lett. 1999, 312, 469.
40. d) F. P. Gibbons, A. P. G. Robinson, R. E. Palmer, M. Manickam, J. A. Preece, Small 2006, 2, 1003.
41. e) X. Chen, A. P. G. Robinson, M. Manickam, J. A. Preece, Microelectron. Eng. 2007, 84, 1066.
42. H. Ito, Adv. Polym. Sci. 2005, 172, 37.
43. A. P. G. Robinson, H. M. Zaid, F. P. Gibbons, R. E. Palmer, M. Manickam, J. A. Preece, R. Brainard, T. Zampini, K. O'Connell, Microelectron. Eng. 2006, 83, 1115.
44. a) F. P. Gibbons, H. M. Zaid, M. Manickam, J. A. Preece, R. E. Palmer, A. P. G. Robinson, Small 2007, 3, 2076.
45. b) J. Manyam, S. Diegoli, M. Manickam, J. A. Preece, A. P. G. Robinson, R. E. Palmer, unpublished.
46. a) J. W. Knapczyk, W. E. McEwan, J. Org. Chem. 1970, 35, 2539.
47. b) J. V. Crivello, Annu. Rev. Mater. Sci. 1983, 13, 173.
48. c) J. L. Dektar, N. P. Hacker, J. Chem. Soc. Chem. Commun. 1987, 1591.
49. d) J. L. Dektar, N. P. Hacker, J. Am. Chem. Soc. 1990, 112, 6004.
50. e) N. P. Hacker, D. C. Hofer, K. M. Welsh, J. Photopolym. Sci. Technol. 1992, 5, 35.
51. f) K. M. Welsh, J. Dektar, M. A. Garcia-Garibaya, N. P. Hacker, N. J. Turro, J. Org. Chem. 1992, 57, 4179.
52. g) J. V. Crivello, J. Polym. Sci. Part A 1999, 37, 4241.
53. J. V. Crivello, T. C. Walton, R. Makil, Chem. Mater. 1997, 9, 1273.
54. a) R. S. Davidson, J. W. Goodin, Eur. Polym. J. 1982, 18, 589.
55. b) K. J. Stewart, M. Hatzakis, J. M. Shaw, D. E. Seeger, E. Neumann, J. Vac. Sci. Technol B 1989, 7, 1734.
56. c) P. Chiniwalla. Y. Bai, E. Elce, R. Shick, W. C. McDougall, S. A. Bidstrup Allen. P. A. Kohl, J. Appl. Polym. Sci. 2003, 89, 568.
57. a) Y. Yagci, W. Schnabel, Angew. Makromol. Chem. 1999, 270, 38.
58. b) X. Hong, Q. Chen, Y. Zhang, G. Liu, J. Appl. Polym. Sci. 2000, 77, 1353.
59. V. Constantoudis, G. P. Patsis, L. H. A. Leunissen, E. Gogolides, J. Vac. Sci. Technol. B 2004, 22, 1974.