Performance improvement of CoTiO3 high-k dielectrics with nitrogen incorporation

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 154, Issue 1, 2007, Pages

  Chen, Jian Hao ^a   Huang, Tzung Bin ^a   Wu, Xiaohua ^b   Landheer, Dolf ^b,c   Lei, Tan Fu ^a   Chao, Tien Sheng ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL RESEARCH COUNCIL CANADA   (Canada)

^c ELECTROCHEMICAL SOCIETY

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIELECTRIC MATERIALS; ION IMPLANTATION; LEAKAGE CURRENTS; NITROGEN;

NITROGEN INCORPORATION; PLASMA TREATMENT; UNTREATED CONTROL;

COBALT COMPOUNDS;

EID: 33845260934     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2388733     Document Type: Article

References (41)

1. Y. Taur, IBM J. Res. Dev., 46 213 (2002).
2. S. H. Lo, D. A. Buchanan, Y. Taur, and W. Wang, IEEE Electron Device Lett., 18, 209 (1997).
3. K. Sekine, Y. Saito, M. Hirayama, and T. Ohmi, IEEE Trans. Electron Devices, 47, 1370 (2000).
4. M. Khare, G. Xin, X. W. Wang, T. P. Ma, G. J. Cui, T. Tamagawa, B. L. Halpern, and J. J. Schmitt, VLSI Technology, p. 51 (1997).
5. C. S. Kuo, J. F. Hsu, S. W. Huang, L. S. Lee, M. J. Tsai, and J. G. Hwu, IEEE Trans. Electron Devices, 51, 854 (2004).
6. D. S. Yu, C. H. Huang, A. Chin, Z. Chunxiang, M. F. Li, B. J. Cho, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett., 25, 138 (2004).
7. L. Manchanda, W. H. Lee, J. E. Bower, F. H. Baumann, W. L. Brown, C. J. Case, R. C. Keller, Y. O. Kim, E. J. Laskowski, M. D. Morris, R. L. Opila, P. J. Silverman, T. W. Sorsch, and G. R. Weber, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 1998, 605.
8. H. Y. Yu, M. F. Li, and D. L. Kwong, IEEE Trans. Electron Devices, 51, 609 (2004).
9. J. Lu, Y. Kuo, and J. Y. Tewg, J. Electrochem. Soc., 153, G410 (2006).
10. W. J. Zhu, T. P. Ma, S. Zafar, and T. Tamagawa, IEEE Electron Device Lett., 23, 597 (2002).
11. Y. Y. Fan, R. E. Nieh, J. C. Lee, G. Lucovsky, G. A. Brown, L. F. Register, and S. K. Banerjee, IEEE Trans. Electron Devices, 49, 1969 (2002).
12. I. Kim, J. Koo, J. Lee, and H. Jeon, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 45, 919 (2006).
13. C. H. Lee, H. F. Luan, W. P. Bai, S. J. Lee, T. S. Jeon, Y. Senzaki, D. Roberts, and D. L. Kwong, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2000, 27.
14. G. C. F. Yeap, S. Krishnan, and M. R. Lin, Electron. Lett., 34, 1150 (1998).
15. F. C. Chiu, J. J. Wang, J. Y. M. Lee, and S. C. Wu, J. Appl. Phys., 81, 6911 (1997).
16. A. Paskaleva, E. Atanassova, and T. Dimitrova, Vacuum, 58, 470 (2000).
17. T. S. Chao, W. M. Ku, H. C. Lin, D. Landheer, Y. Y. Wang, and Y. Mori, IEEE Trans. Electron Devices, 51, 2200 (2004).
18. S. Inumiya, K. Sekine, S. Niwa, A. Kaneko, M. Sato, T. Watanabe, H. Fukui, Y. Kamata, M. Koyama, A. Nishiyama, M. Takayanagi, K. Eguchi, and Y. Tsunashima, in IEEE Symposium on VLSI Technology, IEEE, p. 17 (2003).
19. K. Sekine, S. Inumiya, M. Sato, A. Kaneko, K. Eguchi, and Y. Tsunashima, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2003, 103.
20. T. Watanabe, M. Takayanagi, R. Iijima, K. Ishimaru, H. Ishiuchi, and Y. Tsunashima, in IEEE Symposium on VLSI Technology, IEEE, p. 17 (2003).
21. A. Kaneko, Y. Kamata, M. Ono, M. Koyama, A. Nishiyama, Y. Kamimuta, C. Hongo, A. Takashima, D. Gao, S. Inumiya, K. Eguchi, and M. Takayanagi, in SSDM, p. 742, (2002).
22. A. L. P. Rotondaro, M. R. Visokay, J. J. Chambers, A. Shanware, R. Khamankar, H. Bu, R. T. Laaksonen, L. Tsung, M. Douglas, R. Kuan, M. J. Bevan, T. Grider, J. McPherson, and L. Colombo, in IEEE Symposium on VLSI Technology, IEEE, p. 148 (2002).
23. A. Shanware, J. McPherson, M. R. Visokay, J. J. Chambers, A. L. P. Rotondaro, H. Bu, M. J. Bevan, R. Khamankar, and L. Colombo, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2001, 137.
24. J. C. Wang, D. C. Shie, T. F. Lei, and C. L. Lee, Electrochem. Solid-State Lett., 6, F34 (2003).
25. M. Koyama, A. Kaneko, T. Ino, M. Koike, Y. Kamata, R. Iijima, Y. Kamimuta, A. Takashima, M. Suzuki, C. Hongo, S. Inumiya, M. Takayanagi, and A. Nishiyama, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2002, 849.
26. C. S. Kang, H. J. Cho, K. Onishi, R. Choi, Y. H. Kim, R. Nieh, J. Han, S. Krishnan, A. Shahriar, and J. C. Lee, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2002, 865.
27. H. S. Jung, Y. S. Kim, J. P. Kim, J. H. Lee, J. H. Lee, N. I. Lee, H. K. Kang, K. P. Suh, H. J. Ryu, C. B. Oh, Y. W. Kim, K. H. Cho, H. S. Baik, Y. S. Chung, H. S. Chang, and D. W. Moon, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2002, 853.
28. Y. Morisaki, T. Aoyama, Y. Sugita, K. Irino, T. Sugii, and T. Nakamura, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2002, 861.
29. C. H. Choi, S. J. Rhee, T. S. Jeon, N. Lu, J. H. Sim, R. Clark, M. Niwa, and D. L. Kwong, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2002, 857.
30. D. Ishikawa, S. Sakai, K. Katsuyama, and A. Hiraiwa, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2002, 869.
31. H. J. Cho, C. S. Kang, K. Onishi, S. Gopalan, R. Nieh, R. Choi, S. Krishnan, and J. C. Lee, IEEE Electron Device Lett., 23, 249 (2002).
32. N. J. Seong, S. G. Yoon, S. J. Yeom, H. K. Woo, D. S. Kil, J. S. Roh, and H. C. Sohn, Appl. Phys. Lett., 87, 132903 (2005).
33. T. M. Pan, T. F. Lei, and T. S. Chao, J. Appl. Phys., 89, 3447 (2001).
34. T. M. Pan, T. F. Lei, T. S. Chao, K. L. Chang, and K. C. Hsieh, Electrochem. Solid-State Lett., 3, 433 (2000).
35. S. Kamiyama, T. Miura, Y. Nara, and T. Arikado, J. Electrochem. Soc., 152, G750 (2005).
36. K. J. Choi, J. H. Kim, and S. G. Yoon, Electrochem. Solid-State Lett., 7, F59 (2004).
37. J. L. Gavartin, A. L. Shluger, A. S. Foster, and G. I. Bersuker, J. Appl. Phys., 97, 053704 (2005).
38. S. A. Krishnan, M. Quevedo, R. Harris, B. H. Lee, G. Bersuker, and J. C. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 45, 2945 (2006).
39. M. Bhat, D. J. Wristers, L. K. Han, J. Yan, H. J. Fulford, and D. L. Kwong, IEEE Trans. Electron Devices, 42, 907 (1995).
40. N. Umezawa, K. Shiraishi, T. Ohno, H. Watanabe, T. Chikyow, K. Torii, K. Yamabe, K. Yamada, H. Kitajima, and T. Arikado, Appl. Phys. Lett., 86, 143507 (2005).
41. S. Chakraborty, M. K. Bera, and C. K. Maiti, J. Appl. Phys., 100, 023706 (2006).