Leakage currents in amorphous Ta2O5 thin films

Journal of Applied Physics

Volumn 81, Issue 10, 1997, Pages 6911-6915

  Chiu, Fu Chien ^a   Wang, Jenn Jyh ^a   Lee, Joseph Ya Min ^a   Wu, Shich Chuan ^a  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0040322495     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.365252     Document Type: Article

References (27)

1. C. Hashimoto, H. Oikawa, and N. Honma, IEEE Trans. Electron Devices 36, 14 (1989).
2. H. Shinriki and M. Nakata, IEEE Trans. Electron Devices 38, 455 (1991).
3. G. S. Orhrlein, J. Appl. Phys. 59, 1587 (1986).
4. G. Q. Lo and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 62, 975 (1993).
5. E. Kaplan, M. Balog, and D. Frohman-Bentchkowsky, J. Electrochem. Soc. 123, 1570 (1976).
6. M. A. Mohammed et al. Thin Solid Films 176, 45 (1989).
7. S. Seki, T. Unagami, O. Kogure, and B. Tsujiyama, J. Vac. Sci. Technol. A 5, 1771 (1987).
8. S. Seki, T. Unagami, O. Kogure, and B. Tsujiyama, J. Electrochem. Soc. 131, 2621 (1984).
9. M. Matsui, S. Oka, K. Yamagishi, K. Kuroiwa, and Y. Taruiet, Jpn. J. Appl. Phys. 1 27, 506 (1988).
10. S. Tanimoto, M. Matsui, K. Kamisako, K. Kuroiwa, and Y. Tarui, J. Electrochem. Soc. 139, 320 (1990).
11. H. Shinriki, M. Nakata, Y. Nishioka, and K. Mukai, IEEE Electron Device Lett. 10, 514 (1989).
12. H. Matsuhashi and S. Nishikawa, Jpn. J. Appl. Phys. 1 33, 1293 (1994).
13. L. K. Han, G. W. Yoon, D. L. Kwong, V. K. Mathews, and P. C. Fazan, IEEE Electron Device Lett. 15, 280 (1994).
14. K. W. Kwon, I.-S. Park, D. H. Han, E. S. Kim, S. T. Ahn, and M. Y. Lee, IEDM Tech. Dig., 1994, p. 835.
15. Y. Ohji, Y. Matsue, T. Itoga, M. Hirayama, Y. Sugawara, K. Torii, H. Miki, M. Nakata, I. Asano, S. Iijima, and Y. Kawamoto, IEDM Tech. Dig., 1993, p. 111.
16. S. Kamiyama, H. Suzuki, H. Watanabe, A. Sakai, M. Oshida, T. Tatsumi, T. Tanigawa, N. Kasai, and A. Ishitani, IEDM Tech. Dig., 1995, p. 49.
17. Y. Takaishi, M. Sakao, S. Kamiyama, H. Suzuki, and H. Watanabe, IEDM Tech. Dig., 1994, p. 839.
18. P. A. Murawala, M. Sawai, T. Tatsuta, O. Tsuji, S. Fujita, and S. Fujta, Jpn. J. Appl. Phys. 1 32, 368 (1993).
19. H. S. Moon, J. S. Lee, S. W. Kan, J. W. Park, J. H. Lee, S. K. Yang, and H. H. Park, J. Mater. Sci. 29, 1545 (1994).
20. R. A. B. Devine, L. Valuer, J. L. Autran, P. Paillet, and J. L. Leray, Appl. Phys. Lett. 68, 25 (1996).
21. N. Terao, Jpn. J. Appl. Phys. 1 6, 21 (1967).
22. S. C. Sun and T. F. Chen, IEDM Tech. Dig., 1994, p. 333.
23. S. Kamiyama, H. Suzuki, H. Watanabe, A. Sakai, H. Kimura, and J. Mizuki, J. Electrochem. Soc. 141, 1246 (1994).
24. P. Brazis, J. Mater. Sci. Lett. 9, 266 (1990).
25. C. Isobe and M. Saitoh, Appl. Phys. Lett. 56, 907 (1990).
26. M. Taguchi, IEEE Trans. Electron Devices 13, 642 (1992).
27. X. M. Wu, S. R. Soss, E. J. Rymaszewski, and T. M. Lu, Mater. Chem. Phys. 38, 297 (1994).