Damage accumulation in neon implanted silicon

Journal of Applied Physics

Volumn 100, Issue 4, 2006, Pages

  Oliviero, E ^a   Peripolli, S ^a   Amaral, L ^a   Fichtner, P F P ^a   Beaufort, M F ^b   Barbot, J F ^b   Donnelly, S E ^c  

^a FEDERAL UNIVERSITY OF RIO GRANDE DO SUL   (Brazil)

^b UNIVERSITÉ DE POITIERS   (France)

^c UNIVERSITY OF SALFORD   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHIZATION; ANNEALING; CRYSTAL DEFECTS; DIFFUSION; ION IMPLANTATION; NEON; POLYCRYSTALLINE MATERIALS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; WAVELENGTH DISPERSIVE SPECTROSCOPY;

CHANNELING CONDITIONS; LATTICE DAMAGE; RADIATION ENHANCED DIFFUSION; SAMPLES COARSENING;

SILICON;

EID: 33748303130     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2220644     Document Type: Article

References (62)

1. K. S. Jones, in Properties of Crystalline Silicon, edited by R. Hull (EMIS, New York, 1999), Vol. 755, Chap. 20.
2. F. Riedel, H. Hedemann, and W. Schröter, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A 476, 596 (2002).
3. J. L. Benton, S. Libertino, D. J. Kringhoj, D. J. Eaglesham, J. M. Poate, and S. Coffa, J. Appl. Phys. 82, 120 (1997).
4. D. J. Eaglesham, P. A. Stolk, H.-J. Gossmann, T. E. Haynes, and J. M. Poate, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 106, 191 (1995).
5. C. C. Griffioen, J. H. Evans, P. C. de Jong, and A. van Veen, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 27, 417 (1987).
6. J. H. Evans, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 196, 125 (2002).
7. D. M. Follstaedt, S. M. Myers, C. A. Petersen, and J. W. Medernach, J. Electron. Mater. 25, 157 (1996).
8. V. Raineri, M. Saggio, and E. Rimini, J. Mater. Res. 15, 1449 (2000).
9. G. F. Cerofolini, F. Corni, S. Frabboni, C. Nobili, G. Ottaviani, and R. Tonini, Mater. Sci. Eng., R. 27, 1 (2000).
10. International Technology Roadmap for Semiconductors, 1999 Edition (Semiconductor Industry Association, Austin, TX, 1999).
11. F. Roqueta, L. Ventura, J. J. Grob, and R. Jérisian, J. Appl. Phys. 88, 5000 (2000).
12. E. Oliviero, M. F. Beaufort, and J. F. Beaufort, J. Appl. Phys. 89, 5332 (2000).
13. M. F. Beaufort, E. Oliviero, H. Garem, S. Godey, E. Ntsoenzok, C. Blanchard, and J. F. Barbot, Philos. Mag. B 80, 1975 (2000).
14. H. Trinkaus, B. Hollander, S. Rongen, S. Mantl, H. J. Herzog, J. Kuchenbecker, and T. Hackbarth, Appl. Phys. Lett. 76, 3552 (2000).
15. M. Luysberg et al., J. Appl. Phys. 92, 4290 (2002).
16. M. J. Mörschbächer et al., Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 219-220, 703 (2004).
17. M. Bruel, Mater. Res. Innovations 3, 9 (1999).
18. A. Agarwal, T. E. Haynes, V. C. Venezia, O. W. Holland, and D. J. Eaglesham, Appl. Phys. Lett. 72, 1086 (1998).
19. P. Nguyen, I. Cayrefourcq, K. K. Bourdelle, A. Boussagnol, E. Guiot, N.B. Mohamed, N. Sousbie, and T. Akatsu, J. Appl. Phys. 97, 1 (2005).
20. P. F. P. Fichtner et al., (unpublished).
21. V. Raineri, P. G. Fallica, and S. Libertino, J. Appl. Phys. 79, 9012 (1996).
22. N. Auriac and S. Martinuzzi, J. Phys.: Condens. Matter 14, 13087 (2002).
23. J. S. Williams, Mater. Sci. Eng., A 253, 8 (1998).
24. E. Oliviero, P. F. P. Fichtner, A. Gandy, S. E. Donnelly, M. F. Beaufort, and J. F. Barbot, (unpublished).
25. S. Krause, M. Anc, and P. Roitman, MRS Bull. 23, 25 (1998).
26. K. Izumi, M. Doken, and H. Ariyoshi, Electron. Lett. 14, 593 (1978).
27. O. W. Holland, D. S. Zhou, and D. K. Thomas, Appl. Phys. Lett. 63, 896 (1993).
28. O. W. Holland, D. K. Thomas, and D. S. Zhou, Appl. Phys. Lett. 66, 1892 (1995).
29. D. Venables, K. S. Jones, and F. Namavar, Appl. Phys. Lett. 60, 3147 (1992).
30. E. Oliviero, M. L. David, M. F. Beaufort, J. F. Barbot, and A. van Veen, Appl. Phys. Lett. 81, 3552 (2002).
31. M. L. David, M. F. Beaufort, and J. F. Barbot, J. Appl. Phys. 93, 1438 (2003).
32. M. L. David et al., Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 198, 83 (2002).
33. D. L. da Silva, M. J. Mörschbächer, P. F. P. Fichtner, E. Oliviero, and M. Behar, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 219-220, 713 (2004).
34. D. L. da Silva, P. F. P. Fichtner, M. Behar, A. Peeva, R. Koegler, and W. Skorupa, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 190, 756 (2002).
35. A. G. Cullis, T. E. Seidel, and R. L. Meek, J. Appl. Phys. 48, 5188 (1978).
36. M. Wittmer, J. Roth, P. Revesz, and J. W. Mayer, J. Appl. Phys. 49, 5207 (1978).
37. R. G. Elliman, J. S. Williams, S. T. Johnson, and A. P. Pogany, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 15, 439 (1986).
38. D. J. Mazey, R. S. Nelson, and R. S. Barnes, Philos. Mag. 17, 1145 (1968).
39. S. M. Davidson and G. R. Booker, Radiat. Eff. 6, 33 (1970).
40. C. A. Cima, H. Boudinov, J. P. de Souza, Y. Suprun-Belevich, and P. F. P. Fichtner, J. Appl. Phys. 88, 1771 (2000).
41. J. F. Ziegler, J. P. Biersack, and U. Littmark, The Stopping and Range of Ions in Solids (Pergamon, New York, 1985).
42. E. Oliviero, M. F. Beaufort, and J. F. Barbot, J. Appl. Phys. 90, 1718 (2001).
43. W. K. Chu, J. W. Mayer, and M. A. Nicolet, in Backscattering Spectrometry (Academic, New York, 1978).
44. A. Markwitz, V. J. Kennedy, and H. Baumann, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 206, 179 (2003).
45. C. A. Ferreira Lima and A. Howie, Philos. Mag. 34, 1057 (1976).
46. A. L. Aseev, L. I. Fedina, D. Hoehl, and H. Bartsch, Clusters of Interstitial Atoms in Silicon and Germanium (Akademie, Berlin, 1994).
47. L. Pelaz, L. A. Marqués, and J. Barbolla, J. Appl. Phys. 96, 5947 (2004).
48. M. K. El-Ghor, O. W. Holland, C. W. White, and S. J. Pennycook, J. Mater. Res. 5, 352 (1990).
49. L. Csepregi, E. F. Kennedy, J. W. Mayer, and T. W. Sigmon, J. Appl. Phys. 49, 3906 (1978).
50. C. Bonafos, D. Mathiot, and A. Claverie, J. Appl. Phys. 83, 3008 (1998).
51. D. K. Sanada, M. Strathman, J. Washburn, C. W. Magee, M. Mäenpää, and G. R. Booker, Appl. Phys. Lett. 37, 615 (1980).
52. S. E. Donnelly and R. C. Birtcher (unpublished).
53. P. Revesz, M. Wittmer, J. Roth, and J. W. Mayer, J. Appl. Phys. 49, 5199 (1978).
54. E. Oliviero, M. L. David, M. F. Beaufort, J. Nomgaudyte, L. Pranevicius, A. Declémy, and J. F. Barbot, J. Appl. Phys. 91, 1179 (2002).
55. V. Raineri, P. G. Fallica, G. Percolla, A. Battaglia, M. Barbagallo, and S. U. Campisano, J. Appl. Phys. 78, 3727 (1995).
56. S. M. Myers, D. M. Bishop, D. M. Follstaedt, H. J. Stein, and W. R. Wampler, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 283, 549 (1993).
57. A. V. Fedorov and A. van Veen, Comput. Mater. Sci. 9, 309 (1998).
58. B. G. Svensson, C. Jagadish, and J. S. Williams, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 80-81, 582 (1993).
59. P. F. P. Fichtner, J. R. Kaschny, R. A. Yankov, A. Mucklish, U. Kreissig, and W. Skorupa, Appl. Phys. Lett. 70, 732 (1997).
60. V. M. Vishnyakov, S. E. Donnelly, and G. Carter, J. Appl. Phys. 94, 238 (2003).
61. O. W. Holland, J. D. Budai, and B. Nielsen, Mater. Sci. Eng., A 253, 240 (1998).
62. P. Pellegrino, P. Lévêque, J. Wong-Leung, C. Jagadish, and B. G. Svensson, Appl. Phys. Lett. 78, 3442 (2001).