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Volumn 80, Issue 11, 2000, Pages 1975-1985

Defects in silicon induced by high energy helium implantation and their evolution during anneals

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EID: 0034334872     PISSN: 13642812     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1080/01418630050179717     Document Type: Article
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.