Ion-beam-induced amorphization and recrystallization in silicon

Journal of Applied Physics

Volumn 96, Issue 11, 2004, Pages 5947-5976

  Pelaz, Lourdes ^a   Marqús, Luis A ^a   Barbolla, Juan ^a  

^a UNIVERSITY OF VALLADOLID   (Spain)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHIZATION; ANNEALING; CRYSTALLIZATION; DOPING (ADDITIVES); ION BEAMS; ION IMPLANTATION; POINT DEFECTS;

ATOMIC LEVEL; DOPANT IMPLANTATION; HETEROGENEOUS AMORPHIZATION; ION-BEAN-INDUCED AMORPHIZATION;

AMORPHOUS SILICON;

EID: 19144366632     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1808484     Document Type: Article

References (225)

1. J. Bloch, J. Nucl. Mater. 6, 203 (1962).
2. D. E. Luzzi and M. Meshii, Res. Mech. 21, 207 (1987).
3. W. J. Meng, P. R. Okamoto, L. J. Thompson, L. J. Kestel, and L. E. Rehn, Appl. Phys. Lett. 53, 1820 (1988).
4. S. K. Bahl and S. M. Bhagat, J. Non-Cryst. Solids 17, 409 (1975).
5. K. Minowa and K. Sumino, Phys. Rev. Lett. 69, 320 (1992).
6. D. R. Clarke, M. C. Kroll, P. D. Kirchner, R. F. Cook, and B. J. Hockey, Phys. Rev. Lett. 60, 2156 (1988).
7. A. G. Cullis, H. C. Webber, N. G. Chew, J. M. Poate, and P. Baeri, Phys. Rev. Lett. 49, 219 (1982).
8. E. Chason, J. Appl. Phys. 81, 6513 (1997).
9. L. Csepregi, E. F. Kennedy, J. W. Mayer, and T. W. Sigmon, J. Appl. Phys. 49, 3906 (1978).
10. M. Y. Tsai and B. G. Streetman, J. Appl. Phys. 50, 183 (1979).
11. J. Narayan, O. W. Holland, and B. R. Appleton, J. Vac. Sci. Technol. B 1, 871 (1983).
12. E. Landi, A. Armigliato, S. Solmi, R. Köghler, and E. Wieser, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. A47, 359 (1998).
13. P. A. Stolk, J. Appl. Phys. 81, 6031 (1997).
14. S. Solmi, F. Baruffaldi, and R. Canteri, J. Appl. Phys. 69, 2135 (1991).
15. D. J. Eaglesham, P. A. Stolk, H.-J. Gossmann, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. 65, 2305 (1994).
16. N. E. B. Cowern, Phys. Rev. Lett. 82, 4460 (1999).
17. R. Raman, M. E. Law, V. Krishnamoorthy, K. S. Jones, and S. B. Herner, Appl. Phys. Lett. 74, 1591 (1999).
18. A. Claverie, B. Colombeau, G. B. Assayag, C. Bonafos, F. Cristiano, M. Omri, and B. de Mauduit, Mater. Sci. Semicond. Process. 3, 269 (2000).
19. F. Cristiano, J. Grisolia, B. Colombeau, M. Omri, B. de Mauduit, A. Claverie, and F. L. Giles, J. Appl. Phys. 87, 8420 (2000).
20. S. Libertino, S. Coffa, and J. L. Benton, Phys. Rev. B 63, 195206 (2001).
21. M. E. Law, K. S. Jones, S. K. Earles, A. D. Lilak, and J.-W. Xu, in Materials Modification and Synthesis by Ion Beam Processing Symposium, edited by, D. E. Alexander, N. W. Cheung, B. Park, and, W. Skorupa, (Materials Research Society, Pittsburgh, 1997).
22. E. Lampin, F. Cristiano, Y. Lamrani, A. Claverie, B. Colombeau, and N. E. B. Cowern, J. Appl. Phys. 94, 7520 (2003).
23. I. Avci, M. E. Law, E. Kuryliw, A. F. Saavedra, and K. S. Jones, J. Appl. Phys. 95, 2452 (2004).
24. L. Pelaz, M. Jaraiz, G. H. Gilmer, H.-J. Gossmann, C. S. Rafferty, D. J. Eaglesham, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. 70, 2285 (1997).
25. M.-J. Caturla, T. D. de la Rubia, and M. D. Johnson, Appl. Phys. Lett. 72, 2736 (1998).
26. L. Pelaz, G. H. Gilmer, H.-J. Gossmann, C. S. Rafferty, M. Jaraiz, and J. Barbolla, Appl. Phys. Lett. 74, 3657 (1999).
27. L. S. Robertson, M. E. Law, K. S. Jones, L. M. Rubin, J. Jackson, P. Chi, and D. S. Simons, Appl. Phys. Lett. 75, 3844 (1999).
28. W. Windl, M. M. Bunea, R. Stumpf, S. T. Dunham, and M. P. Masquelier, Phys. Rev. Lett. 83, 4345 (1999).
29. T. J. Lenosky, B. Sadigh, S. K. Theiss, M.-J. Caturla, and T. D. de la Rubia, Appl. Phys. Lett. 77, 1834 (2000).
30. A. D. Lilak, M. E. Law, L. Radic, K. S. Jones, and M. Clark, Appl. Phys. Lett. 81, 2244 (2002).
31. M. Aboy, L. Pelaz, L. A. Marqús, J. Barbolla, A. Mokhberi, Y. Takamura, P. B. Griffin, and J. D. Plummer, Appl. Phys. Lett. 83, 4166 (2003).
32. R. Lindsay, in CMOS Front-End Materials and Process Technology, edited by, T.-J. King, B. Yu, R.J.P. Lander, and, S. Saito, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 765, D7.4.1 (Materials Research Society, Pittsburgh, 2003).
33. Y. Takamura, S. H. Jain, P. B. Griffin, and J. D. Plummer, J. Appl. Phys. 92, 230 (2002).
34. J.-Y. Jin, J. Liu, U. Jeong, S. Mehta, and K. Jones, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 422 (2002).
35. B. J. Pawlak, Appl. Phys. Lett. 84, 2055 (2004).
36. See International technology roadmap for semiconductors, http://public.itrs.net/
37. H. Cerva and G. Hobler, J. Electrochem. Soc. 139, 3631 (1992).
38. G. Hobler and G. Otto, Mater. Sci. Semicond. Process. 6, 1 (2003).
39. S. Roorda, W. C. Sinke, J. M. Poate, D. C. Jacobson, S. Dierker, B. S. Dennis, D. J. Eaglesham, F. Spaepen, and P. Fuoss, Phys. Rev. B 44, 3702 (1991).
40. S. C. Moss and J. F. Graczyk, Phys. Rev. Lett. 23, 1167 (1969).
41. M. H. Brodsky, R. Title, K. Weiser, and G. D. Pettit, Phys. Rev. B 1, 2632 (1970).
42. M. H. Brodsky, D. Kaplan, and J. F. Ziegler, Appl. Phys. Lett. 21, 305 (1972).
43. J. S. Custer, M. O. Thompson, D. C. Jacobson, J. M. Poate, S. Roorda, W. C. Sinke, and F. Spaepen, Appl. Phys. Lett. 64, 437 (1994).
44. P. A. Stolk, F. W. Saris, A. J. M. Berntsen, W. V. der Weg, L. T. Sealy, R. C. Barklie, G. Krötz, and G. Müller, J. Appl. Phys. 75, 7266 (1994).
45. D. E. Polk and D. S. Boudreaux, Phys. Rev. Lett. 31, 92 (1973).
46. F. Wooten, K. Winer, and D. Weaire, Phys. Rev. Lett. 54, 1392 (1985).
47. F. Wooten and D. Weaire, Solid State Phys. 40, 1 (1987).
48. S. Roorda, J. M. Poate, D. C. Jacobson, B. S. Dennis, S. Dierker, and W. C. Sinke, Appl. Phys. Lett. 56, 2097 (1990).
49. S. Coffa, F. Priolo, and A. Battaglia, Phys. Rev. Lett. 70, 3756 (1993).
50. I.-H. Lee and K. J. Chang, Phys. Rev. B 50, 18083 (1994).
51. W. G. Spitzer, G. K. Hubler, and T. Kennedy, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. 209-210, 309 (1983).
52. S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 57, 2979 (1986).
53. G. N. van den Hoven, Z. N. Liang, L. Niesen, and J. S. Custer, Phys. Rev. Lett. 68, 3714 (1992).
54. R. Tsu, J. G. Hernandez, and F. H. Pollak, Solid State Commun. 54, 447 (1985).
55. W. C. Sinke, T. Warabisako, M. Miyao, T. Tokuyama, S. Roorda, and F. W. Saris, J. Non-Cryst. Solids 99, 308 (1988).
56. A. Battaglia and S. U. Campisano, J. Appl. Phys. 74, 6058 (1993).
57. E. P. Donovan, G. K. Hubler, and C. N. Wadell, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 19, 590 (1987).
58. J. E. Fredrickson, C. N. Waddell, W. G. Spitzer, and G. K. Hubler, Appl. Phys. Lett. 40, 172 (1982).
59. P. A. Thomas, H. M. Brodsky, D. Kaplan, and D. Lepine, Phys. Rev. B 18, 3059 (1978).
60. S. Roorda, S. Doorn, W. C. Sinke, P. M. L. O. Scholte, and E. van Loenen, Phys. Rev. Lett. 62, 1880 (1989).
61. E. P. Donovan, F. Spaepen, J. Poate, and D. Jacobson, Appl. Phys. Lett. 55, 1516 (1989).
62. S. Coffa, J. M. Poate, W. Frank, and W. Gustin, Phys. Rev. B 45, 8355 (1992).
63. C. A. Volkert, J. Appl. Phys. 74, 7107 (1993).
64. K. W. Wang, W. G. Spitzer, G. K. Hubber, and D. K. Sadana, J. Appl. Phys. 58, 4553 (1985).
65. J. W. Mayer, L. Eriksson, S. T. Picraux, and J. A. Davis, Can. J. Phys. 46, 663 (1968).
66. L. Csepregi, J. W. Mayer, and T. W. Sigmon, Phys. Lett. 54, 157 (1975).
67. G. L. Olson and J. A. Roth, Mater. Sci. Rep. 3, 1 (1988).
68. N. Nagasima and N. Kubota, J. Vac. Sci. Technol. 1, 54 (1977).
69. J. Fan and H. Andersen, J. Appl. Phys. 52, 4003 (1981).
70. L. Csepregi, E. F. Kennedy, T. J. Gallagher, J. W. Mayer, and T. W. Sigmon, J. Appl. Phys. 48, 4234 (1977).
71. S. A. Kokorowski, G. L. Olsen, and L. D. Hess, J. Appl. Phys. 53, 921 (1982).
72. A. Lietoila, A. Wakita, T. W. Sigmon, and J. Gibbons, J. Appl. Phys. 53, 4399 (1982).
73. E. P. Donovan, F. Spaepen, D. Turnbull, J. M. Poate, and D. C. Jacobson, J. Appl. Phys. 57, 1795 (1985).
74. J. S. Williams, Surface Modification and Alloying (Plenum, New York, 1983).
75. I. Suni, G. Goltz, M. G. Grimaldi, M.-A. Nicolet, and S. S. Lau, Appl. Phys. Lett. 40, 269 (1982).
76. J. S. Williams and R. G. Elliman, Phys. Rev. Lett. 51, 1069 (1983).
77. E. F. Kennedy, L. Csepregi, J. W. Mayer, and T. W. Sigmon, J. Appl. Phys. 48, 4241 (1977).
78. M. Wittmer, J. Roth, P. Revesz, and J. W. Mayer, J. Appl. Phys. 49, 5207 (1978).
79. K. F. Kelton, A. L. Greer, and C. V. Thompson, J. Chem. Phys. 79, 6261 (1983).
80. C. Spinella, S. Lombardo, and F. Priolo, J. Appl. Phys. 84, 5383 (1998).
81. K. Zellama, P. Germain, S. Squelard, J. C. Bourgoin, and P. A. Thomas, J. Appl. Phys. 50, 6995 (1979).
82. R. B. Iverson and R. Reif, J. Appl. Phys. 62, 1675 (1987).
83. Y. Masaki, P. G. LeComber, and A. G. Fitzgerald, J. Appl. Phys. 74, 129 (1993).
84. E. P. Donovan, F. Spaepen, D. Turnbull, J. M. Poate, and D. C. Jacobson, Appl. Phys. Lett. 42, 698 (1983).
85. M. O. Thompson, G. J. Galvin, J. W. Mayer, P. S. Peercy, J. M. Poate, D. C. Jacobson, A. G. Cullis, and N. G. Chew, Phys. Rev. Lett. 52, 2360 (1984).
86. P. Baeri, G. Foti, J. M. Poate, and A. G. Cullis, Phys. Rev. Lett. 45, 2036 (1980).
87. S. R. Elliot, Physics of Amorphous Materials (Wiley, New York, 1990).
88. A. G. Cullis, H. C. Webber, and N. G. Chew, Appl. Phys. Lett. 40, 998 (1982).
89. D. Turnbull, in Beam-solid Interactions and Phase Transformations, edited by, H. Kurz, G. L. Olson, and, J. M. Poate, Symposia Proceedings No. 51 (Materials Research Society (MRS), Pittsburgh, 1986), p. 71.
90. J. F. Gibbons, Proc. IEEE 60, 1062 (1972).
91. M. Ishimaru, S. Harada, and T. Motooka, J. Appl. Phys. 81, 1126 (1997).
92. J. Yamasaki, S. Takeda, and K. Tsuda, Phys. Rev. B 65, 115213 (2002).
93. G. Bai and M. A. Nicolet, J. Appl. Phys. 70, 649 (1991).
94. Y. Waseda and K. Suzuki, Z. Phys. B 20, 339 (1975).
95. J. M. Haile, Molecular Dynamics Simulations: Elementary Methods (Wiley, New York, 1992).
96. K. Laaziri, S. Kycia, S. Roorda, H. Chicoine, J. L. Robertson, J. Wang, and C. S. Moss, Phys. Rev. Lett. 82, 3460 (1999).
97. I. Stich, R. Car, and M. Parrinello, Phys. Rev. Lett. 63, 2240 (1989).
98. F. Priolo and E. Rimini, Mater. Sci. Rep. 5, 319 (1990).
99. O. W. Holland, Appl. Phys. Lett. 54, 320 (1989).
100. P. J. Schultz, C. Jagadish, M. C. Ridgway, R. G. Elliman, and J. S. Williams, Phys. Rev. B 44, 9118 (1991).
101. J. A. Davies, G. Foti, L. M. Howe, J. B. Mitchell, and K. B. Winterbon, Phys. Rev. Lett. 34, 1441 (1975).
102. T. Motooka and O. W. Holland, Appl. Phys. Lett. 61, 3005 (1992).
103. T. Motooka and O. W. Holland, Appl. Phys. Lett. 58, 2360 (1991).
104. T. Motooka, F. Kobayashi, P. Fons, T. Tokuyama, T. Suzuki, and N. Natsuaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 30, 3617 (1991).
105. D. Beeman, R. Tsu, and M. F. Thorpe, Phys. Rev. B 32, 874 (1985).
106. W. C. Sinke, S. Roorda, and F. W. Saris, J. Mater. Res. 3, 1202 (1988).
107. J. R. Dennis and E. B. Hale, J. Appl. Phys. 49, 1119 (1978).
108. B. L. Crowder, R. S. Title, M. H. Brodsky, and G. D. Pettit, Appl. Phys. Lett. 16, 205 (1970).
109. F. F. Morehead, B. L. Crowder, and R. S. Title, J. Appl. Phys. 43, 1112 (1972).
110. H. J. Stein, F. L. Vook, D. K. Brice, J. A. Borders, and S. T. Picraux, in the Proceedings of First International Conference on Ion Implantation, edited by, L. Chadderton, and, F. Eisen, (Gordon and Breach, New York, 1971), pp. 17-24.
111. E. C. Baranova, V. M. Gusev, Y. V. Martynenko, C. V. Starinin, and I. B. Haibullin, Radiat. Eff. 18, 21 (1973).
112. E. C. Baranova, V. M. Gusev, Y. V. Martynenko, and I. B. Haibullin, Radiat. Eff. 25, 157 (1975).
113. T. C. McGill, S. L. Kurtin, and G. A. Schifrin, J. Appl. Phys. 41, 246 (1970).
114. J. W. Corbett, Solid State Physics (Academic, New York, 1966), Vol. 7.
115. L. A. Miller, D. K. Brice, A. K. Prinja, and S. T. Picraux, Radiat. Eff. Defects Solids 129, 127 (1994).
116. M.-J. Caturla, T. D. de la Rubia, and G. H. Gilmer, in Materials Synthesis and Processing using Ion beams, edited by, R. J. Culburison, O. W. Holland, K. S. Jones, and, K. Maiz, MRS Symposia Proceedings No. 316. (Material Research Society, Pittsburgh, 1994), p. 141.
117. J. A. Brinkman, J. Appl. Phys. 25, 961 (1954).
118. P. Sigmund, Rev. Roum. Phys. 17, 823 (1972).
119. J. F. Ziegler, Stopping and Ranges of Ions in Matter (Pergamon, New York, 1977).
120. M. T. Robinson and I. M. Torrens, Phys. Rev. B 9, 5008 (1974).
121. K. B. Winterbon, P. Sigmund, and J. B. Sanders, K. Dan. Vidensk. Selsk. Mat. Fys. Medd. 37, 14 (1970).
122. T. D. de la Rubia and G. H. Gilmer, Phys. Rev. Lett. 74, 2507 (1995).
123. T. D. de la Rubia, R. S. Averback, R. Benedek, and W. E. King, Phys. Rev. Lett. 59, 1930 (1987).
124. R. A. Brown, D. Maroudas, and T. Sinno, J. Cryst. Growth 137, 12 (1994).
125. M.-J. Caturla, T. D. de la Rubia, L. A. Marqús, and G. H. Gilmer, Phys. Rev. B 54, 16683 (1996).
126. L. M. Howe and M. H. Rainville, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. 182 /183, 143 (1981).
127. L. M. Howe and M. H. Rainville, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 19-20, 61 (1987).
128. O. W. Holland, M. K. El-Ghor, and C. W. White, Appl. Phys. Lett. 53, 1283 (1988).
129. J. W. Corbett, J. Karins, and T. Y. Tan, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. 182-183, 457 (1981).
130. W. Jung and H. S. Nwell, Phys. Rev. 132, 648 (1963).
131. H. J. Stein, F. L. Vook, and J. A. Borders, Appl. Phys. Lett. 14, 328 (1969).
132. A. Claverie, B. Colombeau, F. Cristiano, A. Altibelli, and C. Bonazos, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 186, 281 (2002).
133. A. P. Knights, F. Malik, and P. G. Colleman, Appl. Phys. Lett. 75, 466 (1999).
134. D. A. Thompson, A. Golanski, H. Haugen, L. M. Howe, and J. A. Davies, Radiat. Eff. 50, 125 (1980).
135. A. Battaglia, F. Priolo, and E. Rimini, Appl. Phys. Lett. 56, 2622 (1990).
136. O. W. Holland, C. W. White, M. K. El-Ghor, and J. D. Budai, J. Appl. Phys. 68, 2081 (1990).
137. M. K. El-Ghor, O. W. Holland, C. W. White, and S. J. Pennycook, J. Mater. Res. 5, 352 (1990).
138. F. Priolo, A. Battaglia, R. Nicotra, and E. Rimini, Appl. Phys. Lett. 57, 768 (1990).
139. R. S. Nelson, European Conference on Ion Implantation (Peter Peregrinus, Reading, 1970).
140. S. E. Donnelly, R. C. Birtcher, V. M. Vishnyakov, and G. Carter, Appl. Phys. Lett. 82, 1860 (2003).
141. N. Bernstein, M. J. Aziz, and E. Kaxiras, Phys. Rev. B 61, 6696 (2000).
142. D. K. Sadana, M. Strathman, J. Washburn, C. W. Magee, M. Mäenpää, and G. R. Booker, Appl. Phys. Lett. 37, 615 (1980).
143. D. K. Sadana, M. Strathman, J. Washburn, and G. R. Booker, J. Appl. Phys. 51, 5718 (1980).
144. K. S. Jones, S. Prussin, and E. R. Weber, Appl. Phys. A: Solids Surf. A45, 1 (1988).
145. K. S. Jones, K. Moller, J. Chen, M. Puga-Lambers, B. Freer, J. Berstein, and L. Rubin, J. Appl. Phys. 81, 6051 (1997).
146. E. Lampin, V. Senez, and A. Claverie, J. Appl. Phys. 85, 8137 (1999).
147. J. Linnros, R. G. Elliman, and W. L. Brown, J. Mater. Res. 3, 1208 (1988).
148. R. G. Elliman, J. Linnros, and W. L. Brown, in Fundamentals of Beam-solid Interactions and Transient Thermal Processing, edited by, Michael J. Aziz, Lynn E. Rehn, and, Bernd Stritzker, MRS Symposia Proceedings No. 100 (Materials Research Society, Pittsburgh, 1988), p. 363.
149. J. Linnros, B. Svensson, and G. Holmen, Phys. Rev. B 30, 3629 (1984).
150. J. S. Williams, R. G. Elliman, W. L. Brown, and T. E. Seidel, Phys. Rev. Lett. 55, 1482 (1985).
151. J. M. Poate, J. Linnros, F. Priolo, D. C. Jacobson, J. L. Batstone, and M. O. Thompson, Phys. Rev. Lett. 60, 1322 (1988).
152. K. A. Jackson, J. Mater. Res. 3, 1218 (1988).
153. F. Priolo, C. Spinella, and E. Rimini, Phys. Rev. B 41, 5235 (1990).
154. J. S. Custer, A. Battaglia, M. Saggio, and F. Priolo, Phys. Rev. Lett. 69, 780 (1992).
155. J. S. Williams, H. H. Tan, R. D. Goldberg, R. A. Brown, and C. Jagadish, in Ref., p. 15.
156. H. A. Atwater and W. L. Brown, Appl. Phys. Lett. 56, 30 (1990).
157. R. D. Goldberg, J. S. Williams, and R. G. Elliman, Phys. Rev. Lett. 82, 771 (1999).
158. J. S. Williams, X. Zhu, M. C. Ridgway, M. J. Conway, B. C. Williams, F. Fortuna, M. O. Ruault, and H. Bernas, Appl. Phys. Lett. 77, 4280 (2000).
159. A. Battaglia, S. Coffa, F. Priolo, and C. Spinella, Appl. Phys. Lett. 65, 306 (1994).
160. J. E. Westmoreland, G. W. Mayer, F. H. Eisen, and B. Welch, Appl. Phys. Lett. 15, 3088 (1969).
161. S. T. Picraux, J. E. Westmoreland, J. W. Mayer, R. R. Hart, and O. J. March, Appl. Phys. Lett. 14, 7 (1969).
162. S. U. Campisano, S. Coffa, V. Raineri, F. Priolo, and E. Rimini, Nouv. J. Chim. 80-81, 514 (1993).
163. F. F. Morehead and B. L. Crowder, Radiat. Eff. 6, 27 (1970).
164. R. D. Goldberg, R. G. Elliman, and J. S. Williams, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 80/81, 596 (1993).
165. O. W. Holland, S. J. Pennycook, and G. L. Albert, Appl. Phys. Lett. 55, 2503 (1989).
166. D. N. Seidman, R. S. Averback, P. R. Okamoto, and A. C. Baily, Phys. Rev. Lett. 58, 900 (1987).
167. S. Takeda and J. Yamasaki, Phys. Rev. Lett. 83, 320 (1999).
168. J. R. Dennis and E. B. Hale, Appl. Phys. Lett. 29, 523 (1976).
169. R. D. Goldberg, J. S. Williams, and R. G. Elliman, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 106, 242 (1995).
170. O. W. Holland, D. Fathy, J. Narayan, and O. S. Oen, Radiat. Eff. Defects Solids 90, 127 (1985).
171. F. L. Vook, in Radiation Damage and Defects in Semiconductors, Inst. Phys. Conf. Ser. No. 16, edited by, J. E. Whitehouse, (Institute of Physics, London, 1973).
172. S. Prussin, D. I. Margolese, and R. N. Tauber, J. Appl. Phys. 57, 180 (1985).
173. H. J. Stein, Radiat. Eff. 6, 19 (1970).
174. S. T. Picraux, W. Weisenberger, and F. L. Vook, Radiat. Eff. 7, 101 (1971).
175. S. T. Picraux and F. L. Vook, Radiat. Eff. 11, 179 (1971).
176. M. L. Swanson, J. R. Parsons, and C. W. Hoelke, Radiat. Eff. 9, 249 (1971).
177. L. T. Chadderton and F. H. Eisen, Radiat. Eff. 7, 129 (1971).
178. T. Motooka, Phys. Rev. B 49, 16367 (1994).
179. T. Motooka, S. Harada, and M. Ishimaru, Phys. Rev. Lett. 78, 2980 (1997).
180. J. R. Dennis and E. B. Hale, Radiat. Eff. 20, 219 (1976).
181. D. A. Thompson, Radiat. Eff. 56, 105 (1981).
182. J. Narayan, O. S. Oen, D. Fathy, and O. W. Holland, Mater. Lett. 3, 67 (1985).
183. M. Avrami, J. Chem. Phys. 9, 177 (1941).
184. F. Spaepen and D. Turnbull, in Laser Annealing of Semiconductors, edited by, J. M. Poate, and, J. W. Mayer, (Academic, New York, 1982).
185. G. W. Lu, E. Nygren, and M. J. Aziz, J. Appl. Phys. 70, 5323 (1991).
186. G. Holmen, J. Linnros, and B. Svensson, Appl. Phys. Lett. 45, 1116 (1984).
187. J. Linnros, G. Holmen, and B. Svensson, Phys. Rev. B 32, 2770 (1985).
188. F. L. Vook and H. J. Stein, Radiat. Eff. 2, 23 (1969).
189. D. J. Chadi and K. J. Chang, Phys. Rev. B 38, 1523 (1988).
190. S. Takeda, J. Yamasaki, and Y. Kimura, Physica B 273-274, 476 (1999).
191. N. Arai, S. Takeda, and M. Kohyama, Phys. Rev. Lett. 78, 4265 (1997).
192. S. Kugler, G. Molnar, G. Peto, E. Zsoldos, L. Rosta, A. Menelle, and R. Bellissent, Phys. Rev. B 40, 8030 (1989).
193. W. A. Kamitakahara, H. R. Shank, J. F. McClelland, U. Buchenau, F. Gompf, and L. Pintschovins, Phys. Rev. Lett. 52, 644 (1984).
194. M. Tang, L. Colombo, J. Zhu, and T. D. de la Rubia, Phys. Rev. B 55, 14279 (1997).
195. F. Cargnoni, C. Gatti, and L. Colombo, Phys. Rev. B 57, 170 (1998).
196. S. Goedecker, T. Deutsch, and L. Billard, Phys. Rev. Lett. 88, 235501 (2002).
197. D. M. Stock, B. Weber, and K. Gärtner, Phys. Rev. B 61, 8150 (2000).
198. B. Weber, D. M. Stock, and K. Gärtner, Mater. Sci. Eng., B B71, 213 (2000).
199. M. Ishimaru, S. Munetoh, T. Motooka, K. Moriguchi, and A. Shintani, Phys. Rev. B 58, 12583 (1998).
200. L. A. Marqús, L. Pelaz, J. Hernández, J. Barbolla, and G. H. Gilmer, Phys. Rev. B 64, 45214 (2001).
201. J. Tersoff, Phys. Rev. B 38, 9902 (1988).
202. L. A. Marqús, L. Pelaz, M. Aboy, and J. Barbolla, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 216, 57 (2004).
203. M. Ishimaru, S. Munetoh, and T. Motooka, Phys. Rev. B 56, 15133 (1997).
204. J. K. Bording and J. Taftø, Phys. Rev. B 62, 8098 (2000).
205. K. M. Beardmore and N. Grønbech-Jensen, Phys. Rev. B 60, 12610 (1999).
206. M. Koster and H. Urbassek, Phys. Rev. B 62, 11219 (2000).
207. K. Nordlund and R. S. Averback, Phys. Rev. B 56, 2421 (1997).
208. J. W. Mayer and S. S. Lau, Electronics Materials Science for Integrated Circuits in Si and GaAs (MacMillan, New York, 1990).
209. L. J. Porter, S. Yip, M. Yamaguchi, H. Kaburaki, and M. Tang, J. Appl. Phys. 81, 96 (1997).
210. C. Spinella, S. Lombardo, and S. U. Campisano, Appl. Surf. Sci. 43, 187 (1989).
211. J. H. Shin and H. A. Atwater, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 80/81, 973 (1993).
212. L. A. Marqús, L. Pelaz, M. Aboy, L. Enríquez, and J. Barbolla, Phys. Rev. Lett. 91, 135504 (2003).
213. L. J. Lewis and R. M. Nieminen, Phys. Rev. B 54, 1459 (1996).
214. L. Pelaz, L. A. Marques, M. Aboy, J. Barbolla, and G. H. Gilmer, Appl. Phys. Lett. 82, 2038 (2003).
215. K. Nordlund, M. Ghaly, R. S. Averback, M.-J. Caturla, T. D. de la Rubia, and J. Tarus, Phys. Rev. B 57, 7556 (1998).
216. M. Giles, J. Electrochem. Soc. 138, 1160 (1991).
217. L. Pelaz, G. H. Gilmer, V. C. Venezia, H.-J. Gossmann, M. Jaraiz, and J. Barbolla, Appl. Phys. Lett. 74, 2017 (1999).
218. R. G. Elliman, J. M. Gibson, D. C. Jacobson, J. M. Poate, and J. S. Williams, Appl. Phys. Lett. 46, 478 (1985).
219. J. M. Poate, D. C. Jacobson, J. S. Williams, R. G. Elliman, and D. O. Boerma, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 19-20, 480 (1987).
220. D. C. Jacobson, R. G. Elliman, J. M. Gibson, G. L. Olson, J. M. Poate, and J. S. Williams, in Beam-solid Interactions and Transient Processing, edited by, Michael O. Thompson, S. Thomas Picraux, and, James S. Williams, MRS Symposia Proceedings No. 74 (Materials Research Society, Pittsburgh, 1987), p. 327.
221. A. Polman, D. C. Jacobson, S. Coffa, J. M. Poate, S. Roorda, and W. C. Sinke, Appl. Phys. Lett. 57, 1230 (1990).
222. V. C. Venezia, Proceedings of IEEE International Electron Devices Meeting. 2003.
223. S. Whelan, V. Privitera, G. Mannino, M. Italia, C. Bongiorno, A. La-Magna, and E. Napolitani, J. Appl. Phys. 90, 3873 (2001).
224. B. J. Pawlak, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 297 (2004).
225. A. Mattoni and L. Colombo, Phys. Rev. B 69, 45204 (2004).