Nanoscale structural and electrical evolution of Ta- and Ti-based contacts on AlGaN/GaN heterostructures

Journal of Applied Physics

Volumn 114, Issue 8, 2013, Pages

  Greco, G ^a   Giannazzo, F ^a   Iucolano, F ^b   Lo Nigro, R ^a   Roccaforte, F ^a  

^a CNR   (Italy)

^b STMICROELECTRONICS   (Italy)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES; CONTACT RESISTANCE R; CURRENT TRANSPORT; ELECTRICAL QUALITY; NANO SCALE; NANOSCALE LEVELS; OHMIC BEHAVIOR; TI-BASED;

ANNEALING; CONTACT RESISTANCE;

NANOTECHNOLOGY;

EID: 84883890593     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4819400     Document Type: Article

References (40)

1. Wide Band Gap Electronic Devices, edited by, F. Ren, and, J. C. Zolper, (World Scientific, Singapore, 2003).
2. O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999). 10.1063/1.369664
3. M. Yanagihara, Y. Uemoto, T. Ueda, T. Tanaka, and D. Ueda, Phys. Status Solidi A 206, 1221 (2009). 10.1002/pssa.200880968
4. Z. F. Fan, S. N. Mohammad, W. Kim, O. Aktas, A. E. Botchkarev, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 68, 1672 (1996). 10.1063/1.115901
5. D. F. Wang, F. Shiwei, C. Lu1, A. Motayed, M. Jah, S. N. Mohammad, K. A. Jones, and L. S. Riba, J. Appl. Phys. 89, 6214 (2001). 10.1063/1.1350617
6. L. Wang, F. M. Mohammed, and I. Adesida, J. Appl. Phys. 101, 013702 (2007). 10.1063/1.2402791
7. K. H. Kim, C. M. Jeon, S. H. Oh, J.-L. Lee, C. G. Park, J. H. Lee, H. S. Lee, and Y. M. Koo, J. Vac. Sci. Technol. B 23, 322 (2005). 10.1116/1.1856479
8. X. Kong, K. Wei, G. Liu, and X. Liu, J. Phys. D: Appl. Phys. 45, 265101 (2012). 10.1088/0022-3727/45/26/265101
9. F. Roccaforte, F. Iucolano, F. Giannazzo, A. Alberti, and V. Raineri, Appl. Phys. Lett. 89, 022103 (2006). 10.1063/1.2220486
10. A. N. Bright, P. J. Thomas, M. Weyland, D. M. Tricker, and C. J. Humphreys, J. Appl. Phys. 89, 3143 (2001). 10.1063/1.1347003
11. H.-S. Lee, D. S. Lee, and T. Palacios, IEEE Electron Device Lett. 32, 623 (2011). 10.1109/LED.2011.2114322
12. F. Iucolano, F. Roccaforte, A. Alberti, C. Bongiorno, S. Di Franco, and V. Raineri, J. Appl. Phys. 100, 123706 (2006). 10.1063/1.2400825
13. M. Piazza, C. Dua, M. Oualli, E. Morvan, D. Carisetti, and F. Wyczisk, Microelectron. Reliab. 49, 1222 (2009). 10.1016/j.microrel.2009.06.043
14. T. Ohki, T. Kikkawa, M. Kanamura, K. Imanishi, K. Makiyama, N. Okamoto, K. Joshin, and N. Hara, Phys. Status Solidi C 6, 1365 (2009). 10.1002/pssc.200881533
15. M. Mohamad, F. Mustafa, M. S. Z. Abidin, S. F. A. Rahman, N. K. A. Al-Obaidi, A. M. Hashim, A. A. Aziz, and M. R. Hashim, in Proceedings of the 2010 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics (ICSE) (IEEE, 2010), pp. 301-304 10.1109/SMELEC.2010.5549369.
16. H. Yu, L. McCarthy, S. Rajan, S. Keller, S. Denbaars, J. Speck, and U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 26, 283 (2005). 10.1109/LED.2005.846583
17. F. Recht, L. McCarthy, S. Rajan, A. Chakraborty, C. Poblenz, A. Corrion, J. S. Speck, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 27, 205 (2006). 10.1109/LED.2006.870419
18. M. Placidi, A. Perez-Tomas, A. Constant, G. Rius, N. Mestres, J. Millan, and P. Godignon, Appl. Surf. Sci. 255, 6057 (2009). 10.1016/j.apsusc.2008.12.084
19. F. Iucolano, F. Giannazzo, F. Roccaforte, L. Romano, M. G. Grimaldi, and V. Raineri, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 257, 336 (2007). 10.1016/j.nimb.2007.01.129
20. F. Iucolano, F. Roccaforte, F. Giannazzo, and V. Raineri, J. Appl. Phys. 104, 093706 (2008). 10.1063/1.3006133
21. S. Ruvimov, Z. L. Weber, J. Washburn, K. J. Duxstad, E. E. Haller, Z. F. Fan, S. N. Mohammad, W. Kim, A. E. Botchkarev, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 69, 1556 (1996). 10.1063/1.117060
22. X. Liu, C. Zhan, K. W. Chan, W. Liu, L. S. Tan, K. J. Chen, and Y. C. Yeo, Appl. Phys. Express 5, 066501 (2012). 10.1143/APEX.5.066501
23. A. Malmros, H. Blanck, and N. Rorsman, Semicond. Sci. Technol. 26, 075006 (2011). 10.1088/0268-1242/26/7/075006
24. B. Van Daele, G. Van Tendeloo, W. Ruythooren, J. Derluyn, M. R. Leys, and M. Germain, Appl. Phys. Lett. 87, 061905 (2005). 10.1063/1.2008361
25. D. Qiao, L. S. Yu, L. Jia, P. M. Asbeck, T. E. Haynes, and S. S. Lau, Appl. Phys. Lett. 80, 992 (2002). 10.1063/1.1447591
26. B. P. Luther, S. E. Mohney, J. M. Delucca, and R. F. Karlicek, J. Electron. Mater. 27, 196 (1998). 10.1007/s11664-998-0386-7
27. D. K. Schroder in Semiconductors Materials and Device Characterization, 3rd ed. (John Wiley Sons, New York, 2006).
28. B. De Jaeger, M. Van Hove, D. Wellekens, X. Kang, H. Liang, G. Mannaert, K. Geens, and S. Decoutere, in Proceedings of the 2012 24th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) (IEEE, 2012), pp. 49-52 10.1109/ISPSD.2012.6229020.
29. U. R. Kattner, J. C. Lin, and Y. A. Chang, Metall. Trans. A 23, 2081 (1992). 10.1007/BF02646001
30. P. R. Subramanian, D. B. Miracle, and S. Mazdiyasni, Metall. Trans. A 21, 539 (1990). 10.1007/BF02671926
31. R. Pretorius, A. M. Vredenberg, F. W. Saris, and R. de Reus, J. Appl. Phys. 70, 3636 (1991). 10.1063/1.349211
32. S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, J. Washburn, D. Qiao, S. S. Lau, and P. K. Chu, Appl. Phys. Lett. 73, 2582 (1998). 10.1063/1.122512
33. G. Greco, P. Prystawko, M. Leszczyński, R. Lo Nigro, V. Raineri, and F. Roccaforte, J. Appl. Phys. 110, 123703 (2011). 10.1063/1.3669407
34. F. Giannazzo, A. Scuderi, G. Greco, P. Fiorenza, R. Lo Nigro, M. Leszczyński, and F. Roccaforte, ECS Trans. 50, 439-446 (2013). 10.1149/05003.0439ecst
35. F. Giannazzo, P. Fiorenza, and V. Raineri, in Applied Scanning Probe Methods, X, edited by, B. Bhushan, H. Fuchs, and, M. Tomitori, (Springer, Berlin, 2008).
36. W. J. Ha, S. Chhajed, A. Chavan, J. H. Lee, K. S. Kim, and J. K. Kim, Phys. Status Solidi C 9, 851 (2012). 10.1002/pssc.201100487
37. X. Z. Dang, P. M. Asbeck, E. T. Yu, G. J. Sullivan, M. Y. Chen, B. T. McDermott, K. S. Boutros, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 74, 3890 (1999). 10.1063/1.124214
38. A. Fontserè, A. Pérez-Tomás, M. Placidi, J. Llobet, N. Baron, S. Chenot, Y. Cordier, J. C. Moreno, P. M. Gammon, M. R. Jennings, M. Porti, A. Bayerl, M. Lanza, and M. Nafría, Appl. Phys. Lett. 99, 213504 (2011). 10.1063/1.3661167
39. F. Lin, B. Shen, S. Huang, F. J. Xu, L. Lu, J. Song, F. H. Mei, N. Ma, Z. X. Qin, and G. Y. Zhang, J. Appl. Phys. 105, 093702 (2009). 10.1063/1.3120962
40. L. Wang, F. M. Mohammed, and I. Adesida, Appl. Phys. Lett. 87, 141915 (2005). 10.1063/1.2081136