Low-resistance Ti/Al/Ti/Au multilayer ohmic contact to n-GaN

Journal of Applied Physics

Volumn 89, Issue 11 I, 2001, Pages 6214-6217

  Wang, Dong Feng ^a   Shiwei, Feng ^a   Lu, C ^a   Motayed, Abhishek ^a   Jah, Muzar ^a   Mohammad, S Noor ^a   Jones, Kenneth A ^b   Salamanca Riba, L ^c  

^a Howard University   (United States)

^b U S ARMY RESEARCH LABORATORY   (United States)

^c UNIVERSITY OF MARYLAND   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035356768     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1350617     Document Type: Article

References (27)

1. For a recent review of issues germane to GaN-based devices see: S. N. Mohammad and H. Morkoç, J. Prog. Quantum Electron 20, 361 (1996).
2. L. Hsu and W. Walukiewicz, Appl. Phys. Lett. 73, 339 (1998); E. T. Yu, G. J. Sulivan, P. M. Asbeck, C. D. Wang, D. Qiao, and S. S. Lau, ibid. 71, 2794 (1997).
3. L. Hsu and W. Walukiewicz, Appl. Phys. Lett. 73, 339 (1998); E. T. Yu, G. J. Sulivan, P. M. Asbeck, C. D. Wang, D. Qiao, and S. S. Lau, ibid. 71, 2794 (1997).
4. S. N. Mohammad, Z.-F. Fan, A. Salvador, O. Aktas, A. E. Botchkarev, W. Kim, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 69, 1420 (1996).
5. W.-P. Hong, K. S. Seo, P. K. Bhattacharyya, and H. Lee, IEEE Electron Device Lett. EDL-7, 320 (1986); see also, H. Goronkin, S. Tehrani, T. Remmel, P. L. Fejes, and K. J. Johnson, IEEE Trans. Electron Devices ED-36, 281 (1989).
6. W.-P. Hong, K. S. Seo, P. K. Bhattacharyya, and H. Lee, IEEE Electron Device Lett. EDL-7, 320 (1986); see also, H. Goronkin, S. Tehrani, T. Remmel, P. L. Fejes, and K. J. Johnson, IEEE Trans. Electron Devices ED-36, 281 (1989).
7. P. Zwicknagl, S. D. Mukherjee, P. M. Capani, H. Lee, H. T. Griem, L. Rathbun, J. D. Berry, W. L. Jones, and L. F. Eastman, J. Vac. Sci. Technol. B 4, 476 (1986); W. L. Jones and L. F. Eastman, IEEE Trans. Electron Devices ED-33, 712 (1986).
8. P. Zwicknagl, S. D. Mukherjee, P. M. Capani, H. Lee, H. T. Griem, L. Rathbun, J. D. Berry, W. L. Jones, and L. F. Eastman, J. Vac. Sci. Technol. B 4, 476 (1986); W. L. Jones and L. F. Eastman, IEEE Trans. Electron Devices ED-33, 712 (1986).
9. A. Palevski, P. M. Solomon, T. K. Kuech, and M. A. Tischler, Appl. Phys. Lett. 56, 171 (1990); A. Palevski, P. M. Solomon, T. F. Kuech, M. Tischler, and C. Umbach, IEEE Electron Device Lett. EDL-11, 535 (1990).
10. A. Palevski, P. M. Solomon, T. K. Kuech, and M. A. Tischler, Appl. Phys. Lett. 56, 171 (1990); A. Palevski, P. M. Solomon, T. F. Kuech, M. Tischler, and C. Umbach, IEEE Electron Device Lett. EDL-11, 535 (1990).
11. M. P. Patkar, T. P. Chin, M. S. Lundstrom, and M. R. Melloch, Appl. Phys. Lett. 66, 1412 (1995); S. Kuroda, N. Harada, T. Katakami, T. Mimura, and M. Abe, IEEE Trans. Electron Devices ED-36, 2196 (1989).
12. M. P. Patkar, T. P. Chin, M. S. Lundstrom, and M. R. Melloch, Appl. Phys. Lett. 66, 1412 (1995); S. Kuroda, N. Harada, T. Katakami, T. Mimura, and M. Abe, IEEE Trans. Electron Devices ED-36, 2196 (1989).
13. J. Burm, K. Chu, W. A. Davis, W. J. Schaff, T. J. Eustis, and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 70, 464 (1997).
14. B. P. Luther, S. E. Mohney, T. N. Jackson, M. A. Khan, Q. Chen, and J. W. Yang, Appl. Phys. Lett. 70, 57 (1997).
15. S. M. Donovan, J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, F. Ren, K. Jones, and M. Cole, Appl. Phys. Lett. 70, 2592 (1997).
16. Z.-F. Fan, S. N. Mohammad, W. Kim, O. Aktas, A. E. Botchkarev, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 68, 1672 (1996).
17. S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, J. Washburn, D. Qiao, S. S. Lau, and P. K. Chu, Appl. Phys. Lett. 73, 2582 (1998).
18. B. P. Luther, J. M. DeLucca, S. E. Moheny, and R. F. Karlicek, Jr., Appl. Phys. Lett. 71, 3859 (1997).
19. D. B. Ingerly, Y. A. Chang, N. R. Perkins, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 70, 108 (1997).
20. Y. Wu, W. Jiang, B. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, S. Denbaars, and U. Mishra, Topical Workshop on III-V Nitrides Proceedings, Nagoya, Japan, 1995.
21. J. S. Foresi and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 62, 2859 (1993).
22. M. A. Khan, J. N. Kuznia, A. R. Bhattarai, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 62, 1786 (1993).
23. F. Ren, A. B. Emerson, S. J. Pearton, T. R. Fullowan, and J. M. Brown, Appl. Phys. Lett. 58, 1030 (1991).
24. S. J. Fonash, S. Ashok, and R. Singh, Appl. Phys. Lett. 39, 423 (1981).
25. Y.-X. Wang and P. H. Holloway, J. Vac. Sci. Technol. B 2, 613 (1984).
26. M. E. Lin, Z. Ma, F. Y. Huang, Z. Fan, L. H. Allen, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 64, 1003 (1994).
27. D. W. Jenkins and J. D. Dow, Phys. Rev. B 39, 3317 (1989).