On the c -Si| a -SiO 2 interface in hyperthermal Si oxidation at room temperature

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 116, Issue 41, 2012, Pages 21856-21863

  Khalilov, U ^a   Pourtois, G ^a,b   Van Duin, A C T ^c   Neyts, E C ^a  

^a UNIVERSITY OF ANTWERP   (Belgium)

^b IMEC   (Belgium)

^c The Pennsylvania State University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BOND-ANGLE DISTRIBUTION; EXPERIMENTAL VALUES; INTERFACE MORPHOLOGIES; INTERFACE THICKNESS; INTERFACIAL STRESS; METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR; MOLECULAR DYNAMICS SIMULATIONS; PHOTOVOLTAIC DEVICES; ROOM TEMPERATURE; SI OXIDATION; SILICA GROWTH; STRUCTURE AND PROPERTIES; THERMAL OXIDATION;

COMPRESSIVE STRESS; MICROELECTRONICS; MOLECULAR DYNAMICS; MOSFET DEVICES; OXIDATION; SILICA;

SILICON;

EID: 84867492494     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp306920p     Document Type: Article

References (72)

1. Gibson, J. M.; Lanzerotti, M. Y. Nature 1989, 340, 128-131
2. Green, M. L.; Gusev, E. P.; Degraeve, R.; Garfunkel, E. L. J. Appl. Phys. 2001, 90, 2057
3. 2 and Its Interfaces; Pergamon Press: New York, 1978.
4. Green, M. A. Third Generation Photovoltaics: Advanced Solar Energy Conversion, 2 nd ed.; Springer: Berlin, Germany, 2005.
5. Ourmazd, A.; Taylor, D. W.; Rentschler, J. A.; Bevk, J. Phys. Rev. Lett. 1987, 59, 213
6. 2 Interface; North Holland: Amsterdam, The Netherlands, 1986.
7. Rabedeau, T. A.; Tidswell, I. M.; Pershan, P. S.; Bevk, J.; Freer, B. S. Phys. Rev. Lett. 1991, 59, 706
8. Himpsel, F. J.; McFeely, F. R.; Taleb-Ibrahimi, A.; Yarmoff, J. A.; Hollinger, G. Phys. Rev. B 1988, 38, 6084
9. Ohdomari, I.; Akatsu, H.; Yamakoshi, Y.; Kishimoto, K. J. Non-Cryst. Solids 1987, 89, 239-248
10. Pasquarello, A.; Hybertsen, M.; Car, R. Phys. Rev. Lett. 1995, 74, 1024
11. Irene, E. A. Solid-State Electron. 2001, 45, 1207-1217
12. Oh, J. H.; Yeom, H. W.; Hagimoto, Y.; Ono, K.; Oshima, M.; Hirashita, N.; Nywa, M.; Toriumi, A.; Kakizaki, A. Phys. Rev. B 2001, 63, 205310
13. Orellana, W.; da Silva, A. J. R.; Fazzio, A. J. Phys. Rev. Lett. 2003, 90, 016103
14. Tagawa, M.; Ema, T.; Kinoshita, H.; Ohmae, N.; Umeno, M.; Minton, T. K. Jpn. J. Appl. Phys. 1998, 37, L1455-1457
15. Tagawa, M.; Yokota, K.; Tsumamoto, S.; Sogo, C.; Yoshigoe, A.; Teraoka, Y. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 033504
16. Tagawa, M.; Yokota, K.; Ohmae, N.; Kinoshita, H.; Umeno, M. Jpn. J. Appl. Phys. 2001, 40, 6152
17. Tagawa, M.; Sogo, C.; Yokota, K.; Yoshigoe, A.; Teraoka, Y.; Shimura, T. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 133512
18. Teraoka, Y.; Yoshigoe, A. Surf. Sci. 2002, 507-510, 797-802
19. Yoshigoe, A.; Teraoka, Y. Surf. Sci. 2003, 532-535, 690-697
20. Khalilov, U.; Neyts, E. C.; Pourtois, G.; van Duin, A. C. T. J. Phys. Chem. C 2011, 115, 24839-24848
21. Murad, E. J. Spacecr. Rockets 1996, 33, 131
22. Tzvetkov, T.; Qin, X.; Jacobs, D. C. Phys. Rev. B 2003, 67, 075418
23. Kisa, M.; Minton, T. K.; Yang, J. C. J. Appl. Phys. 2005, 97, 023520
24. Okada, M. J. Phys.: Condens. Matter 2010, 22, 263003 and references therein
25. Neyts, E. C.; Khalilov, U.; Pourtois, G.; van Duin, A. C. T. J. Phys. Chem. C 2011, 115, 4818-4823
26. Khalilov, U.; Pourtois, G.; van Duin, A. C. T.; Neyts, E. C. J. Phys. Chem. C 2012, 116, 8649-8656
27. Massoud, H. Z.; Plummer, J. D.; Irene, E. A. J. Electrochem. Soc. 1985, 132, 1745
28. Cerofolini, G. F.; Mascolo, D.; Vlad, M. O. J. Appl. Phys. 2006, 100, 054308
29. Deal, B. E.; Grove, A. S. J. Appl. Phys. 1965, 36, 3770-3778
30. Enta, Y.; Mun, B. S.; Rossi, M.; Ross, P. N.; Hussain, Z., Jr.; Fadley, C. S.; Lee, K.; Kim, S. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 012110
31. van Duin, A. C. T.; Dasgupta, S.; Lorant, F.; Goddart, W. A., III. J. Phys. Chem. A 2001, 105, 9396-9409
32. Abell, G. C. Phys. Rev. B 1985, 31, 6184-6196
33. van Duin, A. C. T.; Strachan, A.; Stewman, S.; Zhang, Q.; Xu, X.; Goddard, W. A., III. J. Phys. Chem. A 2003, 107, 3803-3811
34. Ning, N.; Calvo, F.; van Duin, A. C. T.; Wales, D. J.; Vach, H. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 518-523
35. Fogarty, J. C.; Aktulga, H. M.; Grama, A. Y.; van Duin, A. C. T.; Pandit, S. J. Chem. Phys. 2010, 132, 174704
36. Neyts, E. C.; Shibuta, Y.; van Duin, A. C. T.; Bogaerts, A. ACS Nano 2010, 4, 6665-6672
37. Neyts, E. C.; van Duin, A. C. T.; Bogaerts, A. J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 17225-17231
38. Neyts, E. C.; van Duin, A. C. T.; Bogaerts, A. J. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 1256-1260
39. Valentini, P.; Schwartzentruber, T. E.; Cozmuta, I. J. Chem. Phys. 2010, 133, 084703
40. Mueller, J. E.; van Duin, A. C. T.; Goddard, W. A., III. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 5675-5685
41. Abolfath, R. M.; van Duin, A. C. T.; Brabec, T. J. Phys. Chem. A 2011, 115, 11045
42. Buehler, M. J.; van Duin, A. C. T.; Goddard, W. A. Phys. Rev. Lett. 2006, 96, 095505
43. Park, Y.; Atkulga, H. M.; Grama, A.; Strachan, A. J. Appl. Phys. 2009, 106, 034304
44. Ganster, P.; Treglia, G.; Saul, A. Phys. Rev. B 2010, 81, 045315
45. Berendsen, H. J. C.; Postma, J. P. M.; van Gunsteren, W. F.; Di Nola, A.; Haak, J. R. J. Chem. Phys. 1984, 81 (8) 3684-3690
46. Daruka, I.; Barabási, A.-L.; Zhou, S. J.; Germann, T. C.; Lomdahl, P. S.; Bishop, A. R. Phys. Rev. B 1999, 60, R2150-R2153
47. Oh, J. H.; Nakamura, K.; Ono, K.; Oshima, M.; Hirashita, N.; Niwa, M.; Toriumi, A.; Kakizaki, A. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 2001, 114-116, 395-399
48. Ng, K.-O.; Vanderbilt, D. Phys. Rev. B 1999, 59, 10132-10137
49. Kageshima, H.; Shiraishi, K. Phys. Rev. Lett. 1998, 81, 5936-5939
50. Kato, K.; Uda, T.; Terakura, K. Phys. Rev. Lett. 1998, 80, 2000
51. Hollinger, G.; Himpsel, F. J. Appl. Phys. Lett. 1984, 44, 93
52. Grunthaner, P. J.; Hecht, M. H.; Grunthaner, F. J.; Johnson, N. M. J. Appl. Phys. 1987, 61, 629
53. Gusev, E. P.; Lu, H. C.; Gustafsson, T.; Garfunkel, R. Phys. Rev. B 1995, 52, 1759-1770
54. Derrien, J.; Commandre, M. Surf. Sci. 1982, 118, 32-46
55. 2 Interface from First Principles. PhD thesis, Lausanne, EPFL, 2005.
56. Mao, L.-F.; Yao, Y.; Wei, J.-L.; Zhang, H.; Xu, M.; Tan, C.-H. Microelectron. Reliab. 2001, 41, 1903-1907
57. Hayashi, Y.; Hasunuma, R.; Kikuo, Y. Key Eng. Mater. 2011, 470, 110-116
58. Cundiff, S. T.; Knox, W. H.; Baumann, F. H.; Evans-Lutterodt, K. W.; Tang, M. T.; Green, M. L.; van Driel, H. M. Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 1414-1416
59. Mozzi, R. L.; Warren, B. E. J. Appl. Crystallogr. 1969, 2, 164-172
60. Mauri, F.; Pasquarello, A.; Pfrommer, B. G.; Yoon, Y.-G.; Louie, S. G. Phys. Rev. B 2000, 62, 4786-4789
61. Da Silva, J.; Pinatti, D.; Anderson, C.; Rudee, M. Philos. Mag. 1975, 31, 713
62. Stefanov, B. B.; Gurevich, A. B.; Weldon, M. K.; Raghavachari, K.; Chabal, Y. J. Phys. Rev. Lett. 1998, 81, 3908-3911
63. Yang, T.-C.; Saraswat, K. C. IEEE Trans. Elect. Dev. 2000, 47, 746-755
64. Murray, P.; Carey, G. F. J. Appl. Phys. 1989, 65 (9) 3667-3670
65. Korkin, A.; Greer, J. C.; Bersuker, G.; Karasiev, V. V.; Bartlett, R. J. Phys. Rev. B 2006, 73, 165312
66. Kao, D.-B.; McVittie, J. P.; Nix, W. D.; Saraswat, K. C. IEEE Trans. Electron Devices 1988, 35, 25-37
67. Donnadieu, P.; Blanquet, E.; Jakse, N.; Mur, P. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5574
68. Liu, H. I.; Biegelsen, D. K.; Johnson, N. M.; Ponce, F. A.; Pease, R. F. W. J. Vac. Sci. Technol., B 1993, 11, 6
69. Dalla Torre, J.; Bocquet, J.-L.; Limoge, Y.; Crocombette, J.-P.; Adam, E.; Martin, G. J. Appl. Phys. 2002, 92, 2
70. Fazzini, P.-F.; Bonafos, C.; Claverie, A.; Hubert, A.; Ernst, T.; Respaud, M. J. Appl. Phys. 2011, 110, 033524
71. Khalilov, U.; Pourtois, G.; van Duin, A. C. T.; Neyts, E. C. Chem. Mater. 2012, 24, 2141-2147
72. Caledonia, G. E.; Krech, R. H.; Green, B. D. AIAA J. 1987, 25, 59