Hyperthermal oxidation of Si(100)2 × 1 surfaces: Effect of growth temperature

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 116, Issue 15, 2012, Pages 8649-8656

  Khalilov, U ^a   Pourtois, G ^a,b   Van Duin, A C T ^c   Neyts, E C ^a  

^a UNIVERSITY OF ANTWERP   (Belgium)

^b IMEC   (Belgium)

^c The Pennsylvania State University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AB INITIO; GROWTH MECHANISMS; HIGH TEMPERATURE; IMPACT ENERGY; LOW-TEMPERATURE OXIDATION; METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES; MOLECULAR DYNAMICS SIMULATIONS; SI OXIDATION; SI(1 0 0); ULTRA-THIN;

MOLECULAR DYNAMICS; SILICA; SILICON;

OXIDATION;

EID: 84860148633     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp300506g     Document Type: Article

References (52)

1. Tagawa, M.; Yokota, K.; Tsumamoto, S.; Sogo, C.; Yoshigoe, A.; Teraoka, Y. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 033504
2. Tagawa, M.; Yokota, K.; Ohmae, N.; Kinoshita, H.; Umeno, M. Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 2001, 40, 6152
3. Tagawa, M.; Sogo, C.; Yokota, K.; Yoshigoe, A.; Teraoka, Y.; Shimura, T. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 133512
4. Teraoka, Y.; Yoshigoe, A. Surf. Sci. 2002, 507-510, 797-802
5. Yoshigoe, A.; Teraoka, Y. Surf. Sci. 2003, 532-535, 690-697
6. Khalilov, U.; Neyts, E.; Pourtois, G.; van Duin, A. C. T. J. Phys. Chem. C 2011, 115, 24839-24848
7. Murad, E. J. Spacecr. Rockets 1996, 33, 131
8. Tzvetkov, T.; Qin, X.; Jacobs, D. C. Phys. Rev. B 2003, 67, 075418
9. Kisa, M.; Minton, T. K.; Yang, J. C. J. Appl. Phys. 2005, 97, 23520
10. Okada, M. J. Phys.: Condens. Matter 2010, 22, 263003 and references therein
11. Ferguson, B. A.; Reeves, C. T.; Mullins, C. B. J. Chem. Phys. 1999, 110, 11574-11577
12. Hamann, D. R. J. Phys. Rev. Lett. 1998, 81, 3447-3450
13. Miyake, T.; Soeki, S.; Kato, H.; Nakamura, T.; Namiki, A.; Kamba, H.; Suzaki, T. Phys. Rev. B 1990, 42, 11801-11807
14. Orellana, W.; Antonio, J. R.; da Silva; Fazzio, A. J. Phys. Rev. Lett. 2003, 90, 016103
15. Kajihara, K.; Miura, T.; Kamioka, H.; Aiba, A.; Uramoto, M.; Morimoto, Y.; Hirano, M.; Skuja, L.; Hosono, H. J. Non-Cryst. Solids 2008, 354, 224-232 and references therein
16. Oh, J. H.; Nakamura, K.; Ono, K.; Oshima, M.; Hirashita, N.; Niwa, M.; Toriumi, A.; Kakizaki, A. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 2001, 114-116, 395-399
17. Choi, C. H.; Liu, D.; Evans, J. W.; Gordon, M. S. J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 8730-8740
18. Kato, K.; Uda, T.; Terakura, K. Phys. Rev. Lett. 1998, 80, 2000
19. Watanabe, H.; Kato, K.; Uda, T.; Fujita, K.; Ichikawa, M.; Kawamura, T.; Terakura, K. Phys. Rev. Lett. 1998, 80, 345-348
20. Bongiorno, A.; Pasquarello, A. J. Mater. Sci 2005, 40, 3047-3050
21. Deal, B. E.; Grove, A. S. J. Appl. Phys. 1965, 36, 3770-3778
22. Gusev, E. P.; Lu, H. C.; Gustafsson, T.; Garfunkel, R. Phys. Rev. B 1995, 52, 1759-1770 and references therein
23. Bongiorno, A. Simulation of Atomistic Processes during Silicon Oxidation. Ph.D. Thesis, Lausanne, EPFL, 2003, and references therein.
24. Massoud, H. Z.; Plummer, J. D.; Irene, E. A. J. Electrochem. Soc. 1985, 132, 1745
25. Cerofolini, G. F.; Mascolo, D.; Vlad, M. O. J. Appl. Phys. 2006, 100, 054308
26. Elovich, S. J. Proceedings of the Second International Congress on Surface Activity; Schulman, J. H., Ed.; Academic Press, Inc: New York, 1959; Vol. 11, p 253.
27. McLintock, I. S. Nature 1967, 216, 1204-1205
28. Atkinson, R. J.; Hingston, F. J.; Posner, A. M.; Quirk, J. P. Nature 1970, 226, 148-149
29. Stoneham, A. M.; Grovenor, C. R. M.; Carezzo, A. Philos. Mag. 1985, 55, 201-10
30. Uematsu, M.; Kageshima, H.; Shiraishi, K. Comput. Mater. Sci. 2002, 24, 229-234
31. van Duin, A. C. T.; Dasgupta, S.; Lorant, F.; Goddart, W. A., III. J. Phys. Chem. A 2001, 105, 9396-9409
32. Abell, G. C. Phys. Rev. B 1985, 31, 6184-6196
33. Mortier, W. J.; Ghosh, S. K.; Shankar, S. J. Am. Chem. Soc. 1986, 108, 4315-4320
34. van Duin, A. C. T.; Baas, J. M. A.; van de Graaf, B. J. Chem. Soc., Faraday Trans. 1994, 90, 2881-2895
35. van Duin, A. C. T.; Strachan, A.; Stewman, S.; Zhang, Q.; Xu, X.; Goddard, W. A., III. J. Phys. Chem. A 2003, 107, 3803-3811
36. Buehler, M. J.; van Duin, A. C. T.; Goddard, W. A. Phys. Rev. Let. 2006, 96, 095505
37. Ning, N.; Calvo, F.; van Duin, A. C. T.; Wales, D. J.; Vach, H. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 518-523
38. Fogarty, J. C.; Aktulga, H. M.; Grama, A. Y.; van Duin, A. C. T.; Pandit, S. J. Chem. Phys. 2010, 132, 174704
39. Neyts, E. C.; Shibuta, Y.; van Duin, A. C. T.; Bogaerts, A. ACS Nano 2010, 4, 6665-6672
40. Neyts, E. C.; van Duin, A. C. T.; Bogaerts, A. J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 17225-17231
41. Valentini, P.; Schwartzentruber, T. E.; Cozmuta, I. J. Chem. Phys. 2010, 133, 084703
42. Mueller, J. E.; van Duin, A. C. T.; Goddard, W. A., III. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 5675-5685
43. Berendsen, H. J. C.; Postma, J. P. M.; van Gunsteren, W. F.; DiNola, A.; Haak, J. R. J. Chem. Phys. 1984, 81 (8) 3684-3690
44. Kageshima, H.; Shiraishi, K. Phys. Rev. Lett. 1998, 81, 5936-5939
45. Massoud, H. Z. Solid-State Electron. 1997, 41, 929-934
46. Ganster, P.; Treglia, G.; Saul, A. Phys. Rev. B 2010, 81, 045315
47. Neyts, E.; Khalilov, U.; Pourtois, G.; van Duin, A. C. T. J. Phys. Chem. C 2011, 115, 4818-4823
48. Pasquarello, A.; Hybertsen, M.; Car, R. Appl. Surf. Sci. 1996, 104/105, 317-322
49. Mozzi, R. L.; Warren, B. E. J. Appl. Crystallogr. 1969, 2, 164-172
50. Ng, K.-O.; Vanderbilt, D. Phys. Rev. B 1999, 59, 10132-10137
51. Stoneham, A. M.; Szymanski, M. A.; Shluger, A. L. Phys. Rev. B 2001, 63, 221304-07
52. Bakos, T.; Rashkeev, S. N.; Pantelides, S. T. Phys. Rev. Lett. 2002, 88 (5) 055508