Thermal stability of thin compressively strained Ge surface channels grown on relaxed Si 0.2Ge 0.8 reverse-graded buffers

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 159, Issue 5, 2012, Pages

  Dobbie, A ^a   Nguyen, Van Huy ^a   Morris, R J H ^a   Liu, Xue Chao ^a,b   Myronov, M ^a   Leadley, D R ^a  

^a UNIVERSITY OF WARWICK   (United Kingdom)

^b SHANGHAI INSTITUTE OF CERAMICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEAL TEMPERATURES; CHANNEL THICKNESS; DOMINANT MECHANISM; GE ON INSULATORS; HIGH QUALITY; HYDROGEN ANNEALING; IN-SITU; ISLANDING; LOW THERMAL BUDGET; STRAINED-GE; SURFACE-ROUGHENING;

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; HYDROGEN; SILICON; STRAIN RELAXATION; THERMODYNAMIC STABILITY;

GERMANIUM;

EID: 84859298195     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/2.063205jes     Document Type: Article

References (52)

1. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley, New York (1981).
2. M. L. Lee, E. A. Fitzgerald, M. T. Bulsara, M. T. Currie, and A. Lochtefeld, J. Appl. Phys., 97, 011101 (2005). 10.1063/1.1819976
3. M. V. Fischetti and S. E. Laux, J. Appl. Phys., 80, 2234 (1996). 10.1063/1.363052
4. F. Schaffler, Semiconductor Science and Technology, 12, 1515 (1997). 10.1088/0268-1242/12/12/001
5. H. von Kanel, M. Kummer, G. Isella, E. Muller, and T. Hackbarth, Appl. Phys. Lett., 80, 2922 (2002). 10.1063/1.1470691
6. M. Myronov, K. Sawano, Y. Shiraki, T. Mouri, and K. M. Itoh, Appl. Phys. Lett., 91, 082108 (2007). 10.1063/1.2773744
7. M. Myronov, T. Irisawa, O. A. Mironov, S. Koh, Y. Shiraki, T. E. Whall, and E. H. C. Parker, Appl. Phys. Lett., 80, 3117 (2002). 10.1063/1.1473690
8. R. J. H. Morris, T. J. Grasby, R. Hammond, M. Myronov, O. A. Mironov, D. R. Leadley, T. E. Whall, E. H. C. Parker, M. T. Currie, C. W. Leitz, and E. A. Fitzgerald, Semiconductor Science and Technology, 19, L106 (2004). 10.1088/0268-1242/19/10/L03
9. F. K. Legoues, B. S. Meyerson, and J. F. Morar, Phys. Rev. Lett., 66, 2903 (1991). 10.1103/PhysRevLett.66.2903
10. E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, M. L. Green, D. Brasen, A. R. Kortan, J. Michel, Y. J. Mii, and B. E. Weir, Appl. Phys. Lett., 59, 811 (1991). 10.1063/1.105351
11. F. Schaffler, D. Tobben, H. J. Herzog, G. Abstreiter, and B. Hollander, Semiconductor Science and Technology, 7, 260 (1992). 10.1088/0268-1242/7/2/014
12. Y. H. Xie, E. A. Fitzgerald, and P. J. Silverman, Mater. Sci. Eng. B, 30, 201 (1995). 10.1016/0921-5107(94)09015-7
13. J. Parsons, R. J. H. Morris, D. R. Leadley, E. H. C. Parker, D. J. F. Fulgoni, and L. J. Nash, Appl. Phys. Lett., 93, 072108 (2008). 10.1063/1.2975188
14. J. W. Matthews and A. E. Blakeslee, J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974). 10.1016/S0022-0248(74)80055-2
15. K. Sawano, K. Kawaguchi, S. Koh, Y. Hirose, T. Hattori, K. Nakagawa, and Y. Shiraki, J. Electrochem. Soc., 150, G376 (2003). 10.1149/1.1576773
16. M. T. Currie, S. B. Samavedam, T. A. Langdo, C. W. Leitz, and E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett., 72, 1718 (1998). 10.1063/1.121162
17. Y. Bogumilowicz, J. M. Hartmann, F. Laugier, G. Rolland, T. Billon, N. Cherkashin, and A. Claverie, J. Cryst. Growth, 283, 346 (2005). 10.1016/j.jcrysgro.2005.06.036
18. V. A. Shah, A. Dobbie, M. Myronov, D. J. F. Fulgoni, L. J. Nash, and D. R. Leadley, Appl. Phys. Lett., 93, 192103 (2008). 10.1063/1.3023068
19. V. A. Shah, A. Dobbie, M. Myronov, and D. R. Leadley, J. Appl. Phys., 107, 064304 (2010). 10.1063/1.3311556
20. R. People and J. C. Bean, Appl. Phys. Lett., 49, 229 (1986). 10.1063/1.97637
21. B. Laikhtman and R. A. Kiehl, Phys. Rev. B, 47, 10515 (1993). 10.1103/PhysRevB.47.10515
22. J. M. Hartmann, L. Sanchez, W. Van Den Daele, A. Abbadie, L. Baud, R. Truche, E. Augendre, L. Clavelier, N. Cherkashin, M. Hytch, and S. Cristoloveanu, Semiconductor Science and Technology, 25, 075010 (2010). 10.1088/0268-1242/25/7/075010
23. Y. Nakakita, R. Nakakne, T. Sasada, M. Takenaka, and S. Takagi, Jpn. J. Appl. Phys., 50, 010109 (2011). 10.1143/JJAP.50.010109
24. M. H. Lee, S. T. Chang, S. Maikap, C. Y. Peng, and C. H. Lee, IEEE Electron Device Lett., 31, 141 (2010). 10.1109/LED.2009.2036138
25. M. Myronov, A. Dobbie, V. A. Shah, X. C. Liu, V. H. Nguyen, and D. R. Leadley, Electrochem. Solid State Lett., 13, H388 (2010). 10.1149/1.3482159
26. X. C. Liu, M. Myronov, A. Dobbie, V. Nguyen, and D. R. Leadley, J. Vac. Sci. Technol. B, 29, 011010 (2011). 10.1116/1.3530594
27. J. Mitard, B. De Jaeger, G. Eneman, A. Dobbie, M. Myronov, M. Kobayashi, J. Geypen, H. Bender, B. Vincent, R. Krom, J. Franco, G. Winderickx, E. Vrancken, W. Vanherle, W. E. Wang, J. Tseng, R. Loo, K. De Meyer, M. Caymax, L. Pantisano, D. R. Leadley, M. Meuris, P. P. Absil, S. Biesemans, and T. Hoffmann, Jpn. J. Appl. Phys., 50, 04DC17 (2011). 10.1143/JJAP.50.04DC17
28. O. Weber, Y. Bogumilowicz, T. Ernst, J. M. Hartmann, F. Ducroquet, F. Andrieu, C. Dupre, L. Clavelier, C. Le Royer, N. Cherkashin, M. Hytch, D. Rouchon, H. Dansas, A. M. Papon, V. Carron, C. Tabone, and S. Deleonibus, IEEE International Electron Devices Meeting, p. 143, Washington, DC, (2005).
29. D. Kuzum, A. J. Pethe, T. Krishnamohan, and K. C. Saraswat, IEEE Trans. Electron Devices, 56, 648 (2009). 10.1109/TED.2009.2014198
30. K. Romanjek, L. Hutin, C. Le Royer, A. Pouydebasque, M. A. Jaud, C. Tabone, E. Augendre, L. Sanchez, J. M. Hartmann, H. Grampeix, V. Mazzocchi, S. Soliveres, R. Truche, L. Clavelier, P. Scheiblin, X. Garros, G. Reimbold, M. Vinet, F. Boulanger, and S. Deleonibus, Solid-State Electron., 53, 723 (2008). 10.1016/j.sse.2009.01.021
31. M. Erdtmann and T. A. Langdo, J. Mater. Sci.-Mater. Electron., 17, 137 (2006). 10.1007/s10854-006-5627-z
32. A. Zhylik, A. Benediktovich, A. Ulyanenkov, H. Guerault, M. Myronov, A. Dobbie, D. R. Leadley, and T. Ulyanenkova, J. Appl. Phys., 109, 123714 (2011). 10.1063/1.3597828
33. R. J. H. Morris and M. G. Dowsett, Surf. Interface Anal., 43, 543 (2011). 10.1002/sia.3506
34. R. J. H. Morris and M. G. Dowsett, J. Appl. Phys., 105, 114316 (2009). 10.1063/1.3139279
35. R. J. H. Morris, M. G. Dowsett, and R. J. H. Chang, Appl. Surf. Sci., 252, 7221 (2006). 10.1016/j.apsusc.2006.02.143
36. V. M. Kaganer, R. Köhler, M. Schmidbauer, R. Opitz, and B. Jenichen, Phys. Rev. B, 55, 1793 (1997). 10.1103/PhysRevB.55.1793
37. Y. Ishikawa, K. Wada, J. F. Liu, D. D. Cannon, H. C. Luan, J. Michel, and L. C. Kimerling, J. Appl. Phys., 98, 013501 (2005). 10.1063/1.1943507
38. E. A. Fitzgerald, M. T. Currie, S. B. Samavedam, T. A. Langdo, G. Taraschi, V. Yang, C. W. Leitz, and M. T. Bulsara, Phys. Status Solidi A-Appl. Res., 171, 227 (1999). 10.1002/(SICI)1521-396X(199901)171:1227::AID-PSSA2273.0. CO;2-Y
39. A. G. Cullis, D. J. Robbins, S. J. Barnett, and A. J. Pidduck, J. Vac. Sci. Technol. A, 12, 1924 (1994). 10.1116/1.578984
40. J. Stangl, V. Holy, and G. Bauer, Rev. Mod. Phys., 76, 725 (2004). 10.1103/RevModPhys.76.725
41. G. Capellini, M. De Seta, L. Di Gaspare, F. Evangelisti, and F. d'Acapito, J. Appl. Phys., 98, 124901 (2005). 10.1063/1.2141652
42. I. A. Ovidko, Phys. Rev. Lett., 88, 046103 (2002). 10.1103/PhysRevLett. 88.046103
43. N. Ozguven and P. C. McIntyre, Appl. Phys. Lett., 92, 3 (2008). 10.1063/1.2917798
44. X. C. Liu, R. J. H. Morris, M. Myronov, A. Dobbie, and D. R. Leadley, J. Phys. D-Appl. Phys., 44, 079501 (2011). 10.1088/0022-3727/44/7/079501
45. L. Huang, F. Liu, G. H. Lu, and X. G. Gong, Phys. Rev. Lett., 96, 016103 (2006). 10.1103/PhysRevLett.96.016103
46. T. Walther, C. J. Humphreys, and A. G. Cullis, Appl. Phys. Lett., 71, 809 (1997). 10.1063/1.119653
47. I. N. Stranski and L. Krastanow, Sitzungsber. Akad. Wiss. Wien., Math.-Naturwiss., 146, 797 (1938).
48. D. J. Eaglesham and M. Cerullo, Phys. Rev. Lett., 64, 1943 (1990). 10.1103/PhysRevLett.64.1943
49. Y. W. Mo, D. E. Savage, B. S. Swartzentruber, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett., 65, 1020 (1990). 10.1103/PhysRevLett.65.1020
50. D. E. Jesson, K. M. Chen, and S. J. Pennycook, MRS Bull., 21, 31 (1996).
51. N. Ikarashi and T. Tatsumi, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2-Lett., 36, L377 (1997). 10.1143/JJAP.36.L377
52. R. J. H. Morris, D. R. Leadley, R. Hammond, T. J. Grasby, T. E. Whall, and E. H. C. Parker, J. Appl. Phys., 96, 6470 (2004). 10.1063/1.1811784