Surface planarization of strain-relaxed SiGe buffer layers by CMP and post cleaning

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 150, Issue 7, 2003, Pages

  Sawano, K ^a   Kawaguchi, K ^a   Koh, S ^a   Hirose, Y ^b   Hattori, T ^b   Nakagawa, K ^c   Shiraki, Y ^a  

^a UNIVERSITY OF TOKYO   (Japan)

^b TOKYO CITY UNIVERSITY   (Japan)

^c UNIVERSITY OF YAMANASHI   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CHEMICAL MECHANICAL POLISHING; ETCHING; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY; STRAIN; STRESS RELAXATION; SURFACE CLEANING; SURFACE ROUGHNESS;

SURFACE PLANARIZATION; ULTRASMOOTH SURFACES;

SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS;

EID: 0037768763     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1576773     Document Type: Article

References (21)

1. Y.-J. Mii, Y.-H. Xie, E. A. Fitzgerald, D. Monroe, F. A. Thiel, B. E. Weir, and L. C. Feldman, Appl. Phys. Lett., 59, 1611 (1991).
2. K. Ismail, F. K. LeGoues, K. L. Saenger, M. Arafa, J. O. Chu, P. M. Mooney, and B. S. Meyerson, Phys. Rev. Lett., 73, 3447 (1994).
3. N. Sugii, K. Nakagawa, Y. Kimura, S. Yamaguchi, and M. Miyao, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 37, 1308 (1998).
4. Y. H. Xie, D. Monroe, E. A. Fitzgerald, P. J. Silverman, F. A. Thiel, and G. P. Watson, Appl. Phys. Lett., 63, 2263 (1993).
5. T. Irisawa, H. Miura, T. Ueno, and Y. Shiraki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 40, 2694 (2001).
6. T. Hackbarth, G. Hoeck, H.-J. Herzog, and M. Zeuner, J. Cryst. Growth, 201/201, 734 (1999).
7. B. S. Meyerson, K. J. Uram, and F. K. LeGoues, Appl. Phys. Lett., 53, 2555 (1988).
8. P. M. Mooney, J. L. Jordan-Sweet, K. Ismail, J. O. Chu, R. M. Feestra, and F. K. LeGoues, Appl. Phys. Lett., 67, 2373 (1995).
9. H. Chen, L. W. Guo, Q. Cui, Q. Hu, Q. Huang, and J. M. Zhou, J. Appl. Phys., 79, 1167 (1996).
10. J.-H. Li, C. S. Peng, Y. Wu, D. Y. Dai, J. M. Zhou, and Z. H. Mai, Appl. Phys. Lett., 71, 3132 (1997).
11. T. Ueno, T. Irisawa, Y. Shiraki, A. Uedono, and S. Tanigawa, Thin Solid Films, 369, 320 (2000).
12. M. T. Currie, C. W. Leitz, T. A. Langdo, G. Taraschi, E. A. Fitzgerald, and D. A. Antoniadis, J. Vac. Sci. Technol. B, 19, 2268 (2001).
13. N. Sugii, J. Appl. Phys., 89, 6459 (2001).
14. Z.-Y. Cheng, M. T. Currie, C. W. Leitz, G. Taraschi, E. A. Fitzgerald, J. L. Hoyt, and D. A. Antoniadas, IEEE Electron Device Lett., 22, 321 (2001).
15. L. J. Huang, J. O. Chu, D. F. Canaperi, C. P. D'Emic, R. M. Anderson, S. J. Koester, and H.-S. Philip Wong, Appl. Phys. Lett., 78, 1267 (2001).
16. K. Sawano, K. Kawaguchi, T. Ueno, S. Koh, K. Nakagawa, and Y. Shiraki, Mater. Sci. Eng., B, 89, 406 (2002).
17. M. T. Currie, S. B. Samavedam, T. A. Langdo, C. W. Leitz, and E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett., 72, 1718 (1998).
18. M. Itano, T. Kezuka, M. Ishii, T. Unemoto, M. Kubo, and T. Ohmi, J. Electrochem. Soc., 142, 971 (1995).
19. S. Christiansen, M. Albrecht, J. Michler, and H. P. Strunk, Phys. Status Solidi A, 156, 129 (1996).
20. W. Kern and D. A. Puotinen, RCA Rev., 31, 187 (1970).
21. T.-J. King and K. C. Saraswat, J. Electrochem. Soc., 141, 2235 (1994).