Reverse graded relaxed buffers for high Ge content SiGe virtual substrates

Applied Physics Letters

Volumn 93, Issue 19, 2008, Pages

  Shah, V A ^a   Dobbie, A ^a   Myronov, M ^a   Fulgoni, D J F ^b   Nash, L J ^b   Leadley, D R ^a  

^a UNIVERSITY OF WARWICK   (United Kingdom)

^b AdvanceSis Ltd   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EPITAXIAL GROWTH; GERMANIUM; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; SILICON; SURFACE ROUGHNESS;

BUFFER COMPOSITIONS; BUFFER STRUCTURES; GE CONTENTS; INNOVATIVE APPROACHES; SI(001) SUBSTRATE; SURFACE THREADING DISLOCATION DENSITIES; VIRTUAL SUBSTRATES;

SUBSTRATES;

EID: 56249107683     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3023068     Document Type: Article

References (16)

1. M. Myronov, K. Sawano, Y. Shiraki, T. Mouri, and K. M. Itoh, Appl. Phys. Lett. 91, 082108 (2007).
2. D. J. Paul, Semicond. Sci. Technol. 19, R75 (2004).
3. S. Akira, S. Ken, Y. Takeo, O. Masahisa, I. Hiroya, Y. Yukio, and Z. Shigeaki, Appl. Phys. Lett. 79, 3398 (2001).
4. J. M. Hartmann, A. Abbadie, A. M. Papon, P. Holliger, G. Rolland, T. Billon, J. M. Fedeli, M. Rouviere, L. Vivien, and S. Laval, J. Appl. Phys. 95, 5905 (2004).
5. E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, D. Monroe, P. J. Silverman, J. M. Kuo, A. R. Kortan, F. A. Thiel, and B. E. Weir, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1807 (1992).
6. S. B. Samavedam and E. A. Fitzgerald, J. Appl. Phys. 81, 3108 (1997).
7. K. Hans von, K. Matthias, I. Giovanni, M. Elisabeth, and H. Thomas, Appl. Phys. Lett. 80, 2922 (2002).
8. Y. Bogumilowicz, J. M. Hartmann, C. Di Nardo, P. Holliger, A. M. Papon, G. Rolland, and T. Billon, J. Cryst. Growth 290, 523 (2006).
9. Y. H. Xie, G. H. Gilmer, C. Roland, P. J. Silverman, S. K. Buratto, J. Y. Cheng, E. A. Fitzgerald, A. R. Kortan, S. Schuppler, M. A. Marcus, and P. H. Citrin, Phys. Rev. Lett. 73, 3006 (1994).
10. J. L. Liu, C. D. Moore, G. D. U'Ren, Y. H. Luo, Y. Lu, G. Jin, S. G. Thomas, M. S. Goorsky, and K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 75, 1586 (1999).
11. J. W. P. Hsu, E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, P. J. Silverman, and M. J. Cardillo, Appl. Phys. Lett. 61, 1293 (1992).
12. D. P. Malta, J. B. Posthill, R. J. Markunas, and T. P. Humphreys, Appl. Phys. Lett. 60, 844 (1992).
13. M. T. Currie, S. B. Samavedam, T. A. Langdo, C. W. Leitz, and E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett. 72, 1718 (1998).
14. D. M. Isaacson, C. L. Dohrman, and E. A. Fitzgerald, J. Vac. Sci. Technol. B 24, 2741 (2006).
15. L. H. Wong, J. P. Liu, F. Romanato, C. C. Wong, and Y. L. Foo, Appl. Phys. Lett. 90, 061913 (2007).
16. J. P. Liu, L. H. Wong, D. K. Sohn, L. C. Hsia, L. Chan, C. C. Wong, and H. J. Osten, Electrochem. Solid-State Lett. 8, G60 (2005).