Materials for information technology

International Journal of Materials Research

Volumn 101, Issue 2, 2010, Pages 149-154

  Zschech, Ehrenfried ^a  

^a FRAUNHOFER INSTITUTE FOR NON DESTRUCTIVE TESTING   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CMOS INTEGRATED CIRCUITS; DIGITAL STORAGE; METALS; MOS DEVICES; NANOELECTRONICS; OXIDE SEMICONDUCTORS;

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TECHNOLOGIES; COMPUTER MODELING; DATA STORAGE; PRINTED ELECTRONICS; RESEARCH ACTIVITIES; SILICON-BASED ELECTRONICS; SPECIAL APPLICATIONS; THIN-FILM STRUCTURE;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 77952615198     PISSN: 18625282     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3139/146.100201     Document Type: Review

References (63)

1. R. Waser (Ed.): Nanoelectronics and Information Technology, Wiley VCH Weinheim (2003).
2. E. Zschech, C. Whelan, T. Mikolajick (Eds.): Materials for Information Technology, Springer London (2005).
3. K.J. Kuhn: SSDM Conf., unpublished (2009).
4. K. Mistry, C. Allen, C. Auth, B. Beattie, D. Bergstrom, M. Bost, M. Brazier, M. Buehler, A. Cappellani, R. Chau, C.-H. Choi, G. Ding, K. Fischer, T. Ghani, R. Grover, W. Han, D. Hanken, M. Hattendorf, J. He, J. Hicks, R. Heussner, D. Ingerly, P. Jain, R. James, L. Jong, S. Joshi, C. Kenyon, K. Kuhn, K. Lee, H. Liu, J. Maiz, B. McIntyre, P. Moon, J. Neirynck, S. Pae, C. Parker, D. Parsons, C. Prasad, L. Pipes, M. Prince, P. Ranade, T. Reynolds, J. Sandford, L. Shifren, J. Sebastian, J. Seiple, D. Simon, S. Sivakumar, P. Smith, C. Thomas, T. Troeger, P. Vandervoorn, S. Williams, K. Zawadzki: IEDM Tech. Dig. 247-252 (2007).
5. S. Natarajan S. Natarajan, M. Armstrong, M. Bost, R. Brain, M. Brazier, C.H. Chang, V. Chikarmane, M. Childs, H. Deshpande, K. Dev, G. Ding, T. Ghani, O. Golonska, W. Han, J. He, R. Heussner, R. James, I. Jin, C. Kenyon, S. Klopcic, S.-H. Lee, M. Liu, S. Lodha, B. McFadden, A. Murthy, L. Neiberg, J. Neirynck, P. Packan, S. Pae, C. Parker, C. Pelto, L. Pipes, J. Sebastian, J. Seiple, B. Sell, S. Sivakumar, B. Song, K. Tone, T. Troeger, C. Weber, M. Yang, A. Yeoh, K. Zhang: IEDM Tech. Dig. 941 (2008).
6. P. Packan, S. Akbar, M. Armstrong, D. Bergstrom, M. Brazier, H. Deshpande, K. Dev, G. Ding, T. Ghani, O. Golonza, W. Han, J. He, R. Heussner, R. James, J. Jopling, C. Kenyon, S.H. Lee, M. Liu, S. Lodha, B. Mattis, A. Murthy, L. Neiberg, J. Neirynck, S. Pae, C. Parker, L. Pipes, J. Sebastian, J. Seiple, B. Sell, A. Sharma, S. Sivakumar, B. Song, A. St. Amour, K. Tone, T. Troeger, C. Weber, K. Zhang, Y. Luo, S. Natarajan: IEDM Tech. Dig. 659-662 (2009).
7. R. Chau, S. Datta, M. Doczy, B. Doyle, J. Kavalieros, M. Metz: IEEE EDL 25, 408-410 (2004).
8. S. Ito, H. Namba, K. Yamaguchi, T. Hirata, K. Ando, S. Koyama, S. Kuroki, N. Ikezawa, T. Suzuki, T. Saitoh, T. Hotiuchi: IEDM Tech. Dig. 247-250 (2000).
9. J.L. Hoyt et al.: IEDM Tech. Dig. 23-26 (2002).
10. K. Ota, K. Sugihara, H. Sayama, T. Uchida, H. Oda, T. Eimori, H. Morimoto, Y. Inou: IEDM Tech. Dig. 27-30 (2002).
11. T. Ghani, M. Armstrong, C. Auth, M. Bost, P. Charvat, G. Glass, T. Hoffmann, K. Johnson, C. Kenyon, J. Klaus, B. McIntyre, K. Mistry, A. Murthy, J. Sandford, M. Silberstein, S. Sivakumar, P. Smith, K. Zawadzki, S. Thompson, M. Bohr: IEDM Tech. Dig. 978-980 (2003).
12. C.H. Chen, T.L. Lee, T.H. Hou, C.L. Chen, C.C. Chen, J.W. Hsu, K.L. Cheng, Y.H. Chiu, H.J. Tao, Y. Jin, C.H. Diaz, S.C. Chen, M.S. Liang: Symp. on VLSI Tech. 56-57 (2004).
13. S. Pidin, T. Mori, K. Inoue, S. Fukuta, N. Itoh, E. Mutoh, K. Ohkoshi, R. Nakamura, K. Kobayashi, K. Kawamura, T. Saiki, S. Fukuyama, S. Satoh, M. Kase, K. Hashimoto: IEDM Tech. Dig. 213-216 (2004).
14. M. Horstmann, A. Wei, T. Kammler, J. Hontschel, H. Bierstedt, T. Feudel, K. Frohberg, M. Gerhardt, A. Hellmich, K. Hempel, J. Hohage, P. Javorka, J. Klais, G. Koerner, M. Lenski, A. Neu, R. Otterbach, P. Press, C. Reichel, M. Trentsch, B. Trui, H. Salz, M. Schaller, H.J. Engelmann, O. Herzog, H. Ruelke, P. Hubler, R. Stephan, D. Greenlaw, M. Raab, N. Kepler: IEDM Tech. Dig. 233-236 (2004).
15. K.W. Ang, K.-J. Chui, H.-C. Chin: IEDM Tech. Dig. 1069-1071 (2004).
16. H.S. Yang, R. Malik, S. Narasimha, Y. Li, R. Divakaruni, P. Agnello, S. Allen, A. Antreasyan, J.C. Arnold, K. Bandy, M. Belyansky, A. Bonnoit, G. Bronner, V. Chan, X. Chen, Z. Chen, D. Chidambarrao, A. Chou, W. Clark, S.W. Crowder, B. Engel, H. Harifuchi, S.F. Huang, R. Jagannathan, F.F. Jamin, Y. Kohyama, H. Kuroda, C.W. Lai, H.K. Lee, W.-H. Lee, E.H. Lim, W. Lai, A. Mallikarjunan, K. Matsumoto, A. McKnight, J. Nayak, H.Y. Ng, S. Panda, R. Rengarajan, M. Steigerwalt, S. Subbanna, K. Subramanian, J. Sudijono, G. Sudo, S.-P. Sun, B. Tessier, Y. Toyoshima, P. Tran, R. Wise, R. Wong, I.Y. Yang, C.H. Wann, L.T. Su, M. Horstmann, T. Feudel, A. Wei, K. Frohberg, G. Burbach, M. Gerhardt, M. Lenski, R. Stephan, K. Wieczorek, M. Schaller, H. Salz, J. Hohage, H. Ruelke, J. Klais, P. Huebler, S. Luning, R. van Bentum, G. Grasshoff, C. Schwan, E. Ehrichs, S. Goad, J. Buller, S. Krishnan, D. Greenlaw, M. Raab, N. Kepler: IEDM Tech. Dig. 1075-1078 (2004).
17. W.H. Lee, J.T. Clements, R.C. Keller, L. Manchanda: IEDM Tech. Dig. 61-64 (2005).
18. H. Ohta, Y. Kim, Y. Shimamune, T. Sakuma: IEDM Tech. Dig. 247-250 (2005).
19. S. Mayuzumi, J. Wang, S. Yamakawa, Y. Tateshita, T. Hirano, M. Nakata, S. Yamaguchi, Y. Yamamoto, Y. Miyanami, I. Oshiyama, K. Tanaka, K. Tai, K. Ogawa, K. Kugimiya, Y. Nagahama, Y. Hagimoto, R. Yamamoto, S. Kanda, K. Nagano, H. Wakabayashi, Y. Tagawa, M. Tsukamoto, H. Iwamoto, M. Saito, S. Kadomura, N. Nagashima: IEDM Tech. Dig. 293-296 (2007).
20. Y. Liu, O. Gluschenkov, J. Li: Symp. on VLSI Tech. 44-45 (2007).
21. Z. Ren, G. Pei, J. Li, B.F. Yang, R. Takalkar, K. Chan, G. Xia, Z. Zhu, A. Madan, T. Pinto, T. Adam, J. Miller, A. Dube, L. Black, J.W. Wejtmans, B. Yang, E. Harley, A. Chakravarti, T. Kanarsky, R. Pal, I. Lauer, D.G. Park, D. Sadana: Symp. on VLSI Tech. 172-173 (2008).
22. T. Skotnicki, C. Fenouillet-Beranger, C. Gallon, F. Boeuf, S. Monfray, F. Payet, A. Pouydebasque, M. Szczap, A. Farcy, F. Arnaud, S. Clerc, M. Sellier, A. Cathignol, J.P. Schoellkopf, E. Perea, R. Ferrant, H. Mingam: IEEE TED 55, 96-130 (2008).
23. C. Auth, A. Cappellani, J.S. Chun, A. Dalis, A. Davis, T. Ghani, G. Glass, T. Glassman, M. Harper, M. Hattendorf, P. Hentges, S. Jaloviar, S. Joshi, J. Klaus, K. Kuhn, D. Lavric, M. Lu, H. Mariappan, K. Mistry, B. Norris, N. Rahhal-Orabi, P. Ranade, J. Sandford, L. Shifren, V. Souw, K. Tone, F. Tambwe, A. Thompson, D. Towner, T. Troeger, P. Vandervoorn, C. Wallace, J. Wiedemer, C. Wiegand: Symp. on VLSI Tech. 128-129 (2008).
24. A.B. Kahng, R.O. Topaloglu: Proc. IEEE ACM 83-90 (2009).
25. T. Sato, Y. Takeishi, H. Hara, Y. Okamoto: Phys. Rev. B 4, 1950 -1960 (1971). DOI:10.1103/PhysRevB.4.1950
26. L. Chang, M. Ieong, M. Yang: IEEE TED 51, 1621-1627 (2004).
27. M. Yang, V.W.C. Chan, K.K. Chan, L. Shi, D.M. Fried, J.H. Stathis, A.I. Chou, E. Gusev, J.A. Ott, L.E. Burns, M.V. Fischetti, I. Meikei: IEEE TED 53, 965-978 (2006).
28. Y.T. Huang: IEEE EDL 28, 815 -817 (2007). [29]
29. A. Liu, R. Jones, L. Liao, D. Samara-Rubio, D. Rubin, O. Cohen, R. Nicolaescu, M. Paniccia: Nature 427, 615-618 (Pubitemid 38248476)
30. J.P. Colinge: Solid State Electronics 48, 897-905 (2004). DOI:10.1016/j.sse.2003.12.020
31. A. Kranti, G.A. Armstrong: Semicond. Sci. Technol. 21, 409-421 (2006). DOI:10.1088/0268-1242/21/4/002
32. H. Kawasaki, V.S. Basker, T. Yamashita, C.H. Lin, Y. Zhu, J. Faltenmeier, S. Schmitz, J. Cummings, S. Kanakasabapathy, H. Adhikari, H. Jagannathan, A. Kumar, K. Maitra, J. Wang, C.C. Yeh, C. Wang, M. Khater, M. Guillorn, N. Fuller, J. Chang, L. Chang, R. Muralidhar, A. Yagishita, R. Miller, Q. Ouyand, Y. Zhang, V.K. Paruchuri, H. Bu, B. Doris, M. Takayanagi, W. Haensch, D. McHedrron, J. ONeill, K. Ishimaru: IEDM Tech. Dig. 289-292 (2009).
33. B.R. Bennett, R. Magno, J.B. Boos, W. Kruppa: Solid State Electronics 49, 1875-1895 (2005). DOI:10.1016/j.sse.2005.09.008 (Pubitemid 41691045)
34. R. Chau: IEEE Trans. Nanotechnology 4, 153-158 (2005). DOI:10.1109/TNANO.2004.842073 (Pubitemid 40421651)
35. S. Datta, T. Ashley, J. Brask, L. Buckle, M. Doczy, M. Emeny, D. Hayes, K. Hilton, R. Jefferies, T. Martin, T.J. Phillips, D. Wallis, P. Wilding, R. Chau: IEDM Tech. Dig. 763-766 (2005).
36. M. Radosavljevic, T. Ashley, A. Andreev, S.D. Coomber, G. Dewey, M.T. Emeny, M. Fearn, D.G. Hayes: IEDM Tech. Dig. 727-730 (2008).
37. A. Nainani, S. Raghunathan, D. Witte, M. Kobayashi, T. Irisawa, T. Krishnamohan, K. Saraswat, B.R. Bennett: IEDM Tech. Dig. 857-860 (2009).
38. M.K. Hudait, M. Brenner, S.A. Ringel: IEDM Tech. Dig. 625-628 (2007).
39. G. Dewey, M.K. Hudait, K. Lee, R. Pillarisetty, W. Rachmady, M. Radosavljevic, R. Rakshit, R. Chau: IEEE Electron Device Lett. 29, 1094-1097 (2008). DOI:10.1109/LED.2008.2002945
40. M. Radosavljevic, B. Chu-Kung, S. Corcoran, G. Dewey, M.K. Hudait, J.M. Fastenau, J. Kavalieros, W.K. Liu, D. Lubyshev, M. Metz, K. Millard, M. Makherjee, W. Rachmady, U. Shah, R. Chau: IEDM Tech. Dig. 319-322 (2009).
41. www.itrs.net.
42. T. Durkop, S.A. Getty, E. Cobas, M.S. Fuhrer: Nano Letters 4, 35-39 (2004). DOI:10.1021/nl034841q (Pubitemid 38167859)
43. K.I. Bolotin, K.J. Sikes, Z. Jiang, G. Fundenberg, J. Hone, P. Kim, H.L. Stormer: Solid State Comm. 146, 351 (2008). DOI:10.1016/j.ssc.2008.02.024
44. B.Q. Wei, R. Vajtai, P.M. Ajayan: Appl. Phys. Lett. 79, 1172 (2001). DOI:10.1063/1.1396632
45. K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S.V. Dubonos, I.V. Grigorieva, A.A. Firsov: Science 306, 666 (2004). PMid:15499015; DOI:10.1126/science.1102896 (Pubitemid 39440910)
46. M.F. Yu, O.M.J. Dyer, K. Moloni, T.F. Kelly, R.S. Ruoff: Science 287, 637-640 (2000). PMid:10649994; DOI:10.1126/science.287.5453.637 (Pubitemid 30070908)
47. N. Tombros, C. Jozsa, M. Popinciuc, H.T. Jonkman, B. J. van Wees: Nature 448, 571-574 (2007). PMid:17632544; DOI:10.1038/nature06037 (Pubitemid 47206939)
48. P. Kim, M.Y. Han, A.F. Young, I. Meric, K.C. Shepard: IEDM Tech. Dig. 241-244 (2009).
49. P. Avouris, Z. Chen, V. Perebeinos: Nature Nanotechnology 2, 605-615 (2007). PMid:18654384; DOI:10.1038/nnano.2007.300 (Pubitemid 47525190)
50. G. Wang, P.S. Ho, S. Groothuis: Microelectronics Reliability 45, 1079-1093 (2005). DOI:10.1016/j.microrel.2004.12.008 (Pubitemid 40786553)
51. C.J. Uchibori, X. Zhang, P.S. Ho, T. Nakamura: Proc. IITC Conf. 196-198 (2006).
52. X. Liu, Q. Xu: Proc. ITC Conf. 9.3 (2009).
53. C.J. Uchibori, M. Lee: Proc. IITC Conf. 217-219 (2009).
54. X. Zhang, S.H. Im, R. Huang, P.S. Ho, in Integrated Interconnect Technologies for 3D Nanoelectronic Systems (Eds. M. Bakir, J. Meindl), Artech House Norwood, MA (2008).
55. T. Kim, D. Chumakov, E. Zschech, R.H. Dauskardt: Appl. Phys. Lett. 95, 071902 (2009). DOI:10.1063/1.3190198
56. J.Q. Lu, in Materials for Information Technology (Eds. E. Zschech, C. Whelan, T. Mikolajick), Springer London, 405-417 (2005). DOI:10.1007/1-84628- 235-7-33
57. D.Y. Chen, W.C. Chiou, M.F. Chen, T.D. Wang, K.M. Ching, H.J. Tu, W.J. Wu, C.L. Yu, K.F. Yang, H.B. Chang, M.H. Tseng, C.W. Hsiao, Y.J. Lu, H.P. Hu, Y.C. Lin, C.S. Hsu, W.S. Shue, C.H. Yu: IEDM Tech. Dig. 353-356 (2009).
58. Y.S. Kim, A. Tsukune, N. Maeda, H. Kitada, A. Kawai, K. Arai, K. Fujimoto, K. Suzuki, Y. Mizushima, T. Nakamura, T. Ohba, T. Futatsugi, M. Miyajima: IEDM Tech. Dig. 365-368 (2009).
59. M. Murugesan, J.C. Bea, H. Kino, Y. Ohara, T. Kojima, A. Noriki, K.W. Lee, K. Kiyoyama, T. Fukushima, H. Nohira, T. Hattori, E. Ikenaga, T. Tanaka, M. Koyanagi: IEDM Tech. Dig. 361-364 (2009).
60. M.J. Hytch F. Hue, F. Houdellier, E. Snoeck, A. Claverie: IEDM Tech Dig. 39-41 (2009).
61. M.J. Hytch, F. Hue, F. Houdellier, E. Snoeck: Nature 453, 1086-1090 (2008). PMid:18563161; DOI:10.1038/nature07049 (Pubitemid 351871739)
62. H.J. Engelmann, H. Geisler, R. Huebner, P. Potapov, D. Utess, E. Zschech: Proc. 14th EMC 2008, 2, 13-14 (2008).
63. H. Dosch (Ed.), Genesis White Paper, MPI Stuttgart (2009).