Extraordinary Mobility in Semiconducting Carbon Nanotubes

Nano Letters

Volumn 4, Issue 1, 2004, Pages 35-39

  Durkop T ^a   Getty, S A ^a   Cobas, Enrique ^a   Fuhrer, M S ^a  

^a Bldg 142   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARBON NANOTUBE;

ARTICLE; BIOCHEMISTRY; BIOSENSOR; ROOM TEMPERATURE; SEMICONDUCTOR;

EID: 2342629497     PISSN: 15306984     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl034841q     Document Type: Article

References (23)

1. Tans, S. J.; Verschueren, R. M.; Dekker, C.; Nature 1998, 393, 49-52.
2. (a) Fuhrer, M. S.; Kim, B. M.; Dürkop, T.; Brintlinger T. Nano Lett. 2002 2, 755-759.
3. (b) Radosavljevic, M.; Freitag, M.; Thadani, K. V.; Johnson, A. T. Nano Lett. 2002, 2 761-764.
4. Kong, J.; Franklin, N. R.; Zhou, C.; Chapline, M. G.; Peng, S.; Cho, K.; Dai, H. Science 2000 287, 622-625.
5. Star, A.; Gabriel, J.-C. P.; Bradley, K.; Gruner, G. Nano Lett. 2003, 3, 459-463.
6. (b) Besteman, K.; Lee, J.-O.; Wiertz, F. G. M.; Heering, H. A.; Dekker, C. Nano Lett. 2003, 3, 459-463.
7. (c) Chen, R. J.; Bangsaruntip, S.; Drouvalakis, K. A.; Kam, N. W. S.; Shim, M.; Li, Y.; Kim, W.; Utz, P. J.; Dai, H. Proc. Nat. Acad. Sci. U.S.A. 2003, 100, 4984-4989.
8. Martel, R.; Schmidt, T.; Shea, H. R.; Hertel, T.; Avouris, Ph. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 2447-2449.
9. Javey, A.; Guo, J.; Wang, Q.; Lundstrom, M.; Dai, H. Nature 2003, 424, 654-657.
10. Appenzeller, J.; Knoch, J.; Derycke, V.; Martel, R.; Wind, S.; Avouris, Ph. Phys. Rev. Lett. 2002, 89, 126801.
11. Hafner, J. H.; Cheung, C.-L.; Oosterkamp, T. H.; Lieber, C. M. J. Phys. Chem. B 2001, 105, 743-746.
12. Kim, W.; Choi, H.-C.; Shim, M.; Li, Y.; Wang, D.; Dai, H. Nano Lett. 2002, 2, 703-708.
13. Brintlinger, T.; Chen, Y.-F.; Dürkop, T.; Cobas, E.; Fuhrer, M. S.; Barry, J. D.; Melngailis, J. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 2454-2456.
14. Huang, S.; Cai X., Liu J. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 5636-5637.
15. Collins, P. G.; Arnold, M. S.; Avouris, Ph. Science 2001, 292, 706-709.
16. Bachtold, A.; Fuhrer, M. S.; Plyasunov, S.; Forero, M.; Anderson, E. H.; Zettl, A.; McEuen, P. Phys. Rev. Lett. 2000, 84, 6082-6085.
17. Yaish, Y.; Park, J.-Y.; Rosenblatt, S.; Sazonova, V.; Brink, M.; McEuen, P. http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/0305108 (6 May 2003).
18. Schroder, D. K. Semiconductor Material and Device Characterization; Wiley: New York, 1998.
19. Rosenblatt, S.; Yaish, Y.; Park, J.; Gore, J.; Sazonova, V.; McEuen, P. L. Nano Lett. 2002, 2, 869-872.
20. Takagi, S.-H.; Toriumi, A.; Iwase, M.; Tango, H. IEEE Trans. Electron. Devices 1994, 41, 2357-2362.
21. Hrostowski, H. J.; Morin, F. J.; Geballe, T. H.; Wheatley, G. H. Phys. Rev. 1955, 100, 1672-1676.
22. Pennington, G.; Goldsman, N. Phys. Rev. B 2003, 68, 045426.
23. Dresselhaus, M. S.; Dresselhaus, G.; Eklund, P. C. Science of Fullerenes and Carbon Nanotubes; Academic Press: San Diego, 1996.