Electronics and sensors based on pyroelectric AlGaN/GaN heterostructures: Part A: Polarization and pyroelectronics

Physica Status Solidi C: Conferences

Volumn 0, Issue 6 SPEC. ISS., 2003, Pages 1878-1907

  Ambacher, O ^a   Eickhoff, M ^b   Link, A ^b   Hermann, M ^b   Stutzmann, M ^b   Bernardini, F ^c   Fiorentini, V ^c   Smorchkova, Y ^d   Speck, J ^d   Mishra, U ^d   Schaff, W ^e   Tilak, V ^e   Eastman, L F ^e  

^a ILMENAU UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Germany)

^b WALTER SCHOTTKY INSTITUT   (Germany)

^c UNIVERSITY OF CAGLIARI   (Italy)

^d University of California   (United States)

^e Cornell University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL BONDS; CRYSTAL STRUCTURE; ELECTRON GAS; ELECTRON MOBILITY; GALLIUM NITRIDE; HETEROJUNCTIONS; HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS; PYROELECTRICITY; SENSORS; THERMODYNAMIC STABILITY; ULTRAVIOLET DETECTORS;

ELECTRONIC TRANSPORT; HIGH FREQUENCY APPLICATIONS; NANOELECTRONIC APPLICATIONS; PYROSENSORS;

ALUMINUM COMPOUNDS;

EID: 4744362148     PISSN: 16101634     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1002/pssc.200303138     Document Type: Conference Paper

References (68)

1. M. Razeghi, A. Rogalski, J. Appl. Phys. 79, 7433 (1996).
2. H. J. Looi, M. D. Whitfield, R. B. Jackman, Appl. Phys. Lett. 74, 3332 (1999).
3. U. Karrer, A. Dobner, O. Ambacher, M. Stutzmann, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 757 (1999).
4. A. Lloyd-Spetz, A. Baranzahi, P. Tobias, I. Lundström, phys. stat. sol. (a) 162, 493 (1997).
5. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997). F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 63, 193201-5 (2001).
6. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997). F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 63, 193201-5 (2001).
7. A. Zoroddu, F. Bernardini, P. Ruggerone, and V. Fiorentini, Phys. Rev. B. 64, 45208 (2001).
8. O. Ambacher, J. Phys. D: Appl. Phys. 31, 2653 (1998).
9. M. A. Dubois and P. Muralt, Appl. Phys. Lett. 74, 3032 (1999).
10. M. S. Shur, A. D. Bykhovski, and R. Gaska, M. R. S. Inter. J. Nitr. Semic. Res. 4S1, G1.6 (1999).
11. C. Wetzel, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, H. Katoh, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 73, 1994 (1998).
12. J. S. Im, V. Härle, F. Scholz, A. Hangleiter, Mat. Res. Soc. Inter. J. Nitr. Semi. Res. 1, 37 (1996).
13. N. Grandjean, J. Massies, and M. Leroux, Appl. Phys. Lett. 74, 2361 (1999).
14. O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
15. L. F. Eastman, V. Tilak, J. Smart, B. M. Green, E. M. Chumbes, R. Dimitrov, H. Kim, O. Ambacher, N. Weimann, T. Prunty, M. Murphy, W. J. Schaff, and J. R. Shealy, IEEE Trans. Electr. Dev. 48, 479 (2001).
16. A. Ozgur, W. Kim, Z. Fan, A. Botchkarev, A. Salvador, S. N. Mohammad, B. Sverdlov, and H. Morkoc, Electron. Lett. 31, 1389 (1995).
17. M. A. Khan, Q. Chen, M. S. Shur, B. T. M. Dermott, J .A. Higgins, J. Burm, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 17, 584 (1996).
18. S. C. Binari, J. M. Redwing, G. Kelner, and W. Kruppa, Electron. Lett. 33, 242 (1997).
19. R. Gaska, Q. Chen, J. Yang, A. Osinsky, M. A. Khan, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 18, 492 (1997).
20. Y. F. Wu, S. Keller, P. Kozodoy, B. P. Keller, P. Parikh, D. Kapolnek, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 18, 290 (1997).
21. R. Dimitrov, L. Wittmer, H. P. Felsl, A. Mitchell, O. Ambacher, and M. Stutzmann, phys. stat. sol. (a) 168, R7 (1998).
22. L. F. Eastman, V. Tilak, J. Smart, B. Green, A. Vertiatchikh, N. Weimann, O. Ambacher, E. Chumbes, H. Kim, T. Prunty, J.H. Hwang, W. J. Schaff, B. K. Ridley, V. Kaper and J. R. Shealy, Proc. of 28th International Symposium on Compound Semiconductors, ISCS 2001, Tokyo, October, 2001.
23. R. Neuberger, G. Müller, O. Ambacher, and M. Stutzmann, phys. stat. sol. (a) R1, 6 (2001).
24. J. Schalwig, G. Müller, U. Karrer, M. Eickhoff, O. Ambacher, M. Stutzmann, L. Görgens, G. Dollinger, Appl. Phys. Lett. 80, 1222 (2002).
25. G. Kresse, and J. Hafner Phys. Rev. B 47, 558 (1993).
26. G. Kresse, and J. Furthmuller, Comp. Mater. Sci. 6,15 (1996).
27. R. D. King-Smith and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 47, (1993) 1651.
28. R. Resta, Rev. Mod. Phys. 66, (1994) 899.
29. J. P. Perdew, in Elecronic Structure of Solids '91, edited by P. Ziesche and H. Eschrig, Akademie-Verlag, Berlin, p 11 (1991).
30. S. H. Wei, L .G. Ferreira, J. E. Bernard, and A. Zunger, Phys. Rev. B 42, 9622 (1990).
31. L. Görgens, O. Ambacher, M. Stutzmann, C. Miskys, F. Scholz, and J. Off, Appl. Phys. Lett. 76, 577 (2000).
32. H. Angerer, D. Brunner, F. Freudenberg, O. Ambacher, M. Stutzmann, R. Höpler, T. Metzger, E. Born, G. Dollinger, A. Bergmaier, S. Karsch, and H.-J. Körner, Appl. Phys. Lett. 71, 1504 (1997).
33. L. Bellaiche, S. H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. 56, 13872 (1997).
34. T. Mattila and A. Zunger, J. Appl. Phys. 85, 160 (1999).
35. K. P. O'Donnell, J. F. W. Mosselmans, R. W. Martin, S. Pereira, and M. E. White, J. Phys.: Condensed Matter 13, 6977 (2001).
36. F. Bernardini and V. Fiorentini, Phys. Rev. B 64, 85207 (2001).
37. A. F. Wright, J. Appl. Phys. 82, 2833 (1997).
38. G. D. O'Clock and M. T. Duffy, Appl. Phys. Lett. 23, 55 (1973).
39. J.-M. Wagner and F. Bechstedt, Phys. Rev. B. 66, 115202 (2002).
40. J. F. Nye, Physical Properties of Crystals; Their Representation by Tensors and Matrices, Clarendon, Oxford, (1985).
41. C. Deger, E. Born, H. Angerer, O. Ambacher, M. Stutzmann, J. Hornsteiner, E. Riha and G. Fischerauer, Appl. Phys. Lett. 72, 2400 (1998).
42. K. Tsubouchi, K. Sugai and N. Mikoshiba, IEEE Ultrason. Symp. 90, 375 (1981).
43. M. Rotter, A. Wixforth, A. O. Govorov, W. Ruille, D. Bernklau, and H. Riechert, Appl. Phys. Lett. 75, 965 (1999).
44. B.K. Ridley, O. Ambacher, and L. F. Eastman, Semicond. Sci. Technol. 15, 270 (2000), J. P. Ibbetson, P. T. Fini, K. D. Ness, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 77, 250 (2000).
45. B.K. Ridley, O. Ambacher, and L. F. Eastman, Semicond. Sci. Technol. 15, 270 (2000), J. P. Ibbetson, P. T. Fini, K. D. Ness, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 77, 250 (2000).
46. F. Bernardini, V. Fiorentini, Phys. Rev. Lett. 79, 3958 (1997).
47. L. S. Yu, D. J. Qiao, Q.J. Xing, S. S. Lau, K. S. Boutros, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 73, 238 (1998).
48. D. Brunner, H. Angerer, E. Bustarret, R. Höpler, R. Dimitrov, O. Ambacher, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 82, 5090 (1997).
49. G. Martin, S. Strite, A. Botchkaev, A. Agarwal, A. Rockett, H. Morkoc, W. R .L. Lambrecht, B. Segall, Appl. Phys. Lett. 65, 610 (1994).
50. G. Martin, A. Botchkarev, A. Rockett, H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 68, 2541 (1996).
51. L. W. Wong, S. J. Cai, R. Li, K. Wang, H. W. Jiang, and M. Chen, Appl. Phys. Lett. 73, 1391 (1998).
52. B. E. Foutz, M. J. Murphy, O. Ambacher, V. Tilak, J. Smart, J. R. Shealy, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, Mat. Res. Soc. Proc. 572, 501 (1999).
53. J. A. Smart, A. T. Schremer, N. G. Weimann, O. Ambacher, L. F. Eastman, and J. R. Shealy, Appl. Phys. Lett. 75, 388 (1999).
54. M. J. Murphy, K. Chu, H. Wu, W. Yeo, W. J. Schaff, O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, L. F. Eastman, and T. J. Eustis, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1252 (1999).
55. I. P. Smorchkova, C. R. Elsass, J. P. Ibbetson, R. Vetury, B. Keying, P. Fini, E. Haus, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 86, 4520 (1999).
56. O. Ambacher, B. Foutz, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, A. J. Sierakowski, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, R. Dimitrov, A. Mitchell, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 87, 334 (2000).
57. Z. Bougrioua, J.-L. Farvacque, I. Moerman and F. Carosella, phys. stat. sol. (b) (2003) in press.
58. P. M. Asbeck, E. T. Yu, S. S. Lau, G.J. Sullivan, J. Van Hove, and J. M. Redwing, Electron Lett. 33, 1230 (1997).
59. E. T. Yu, G. J. Sullivan, P. M. Asbeck, C. D. Wang, D. Qiao, and S. S. Lau, Appl. Phys. Lett. 71, 2794 (1997).
60. T. Ando, A. B. Fowler, and F. Stern, Rev. Mod. Phys. 54, 437 (1982).
61. Y. J. Wang, R. Kaplan, H. K. Ng, K. Doverspike, D. K. Gaskill, T. Ikedo, I. Akasaki, and H. Amano, J. Appl. Phys. 79, 8007 (1996).
62. W. Knap, S. Contreras, H. Alause, C. Skierbiszewski, J. Camassel, M. Dyakonov, J. L. Robert, J. Yang, Q. Chen, M. A. Khan, M.L. Sadowski, S. Huant, F. H. Yang, M. Goiran, J. Leotin, and M.S. Shur, Appl. Phys. Lett. 70, 2123 (1997).
63. W. Knap, E. Frayssinet, M. L. Sadowski, C. Skierbiszewski, D. Maude, V. Falko, M. A. Khan, and M.S. Shur, Appl. Phys. Lett. 75, 3156 (1999).
64. M. Ahoujja, S. Elhamri, R. S. Newrock, D. B. Mast, W. C. Mitchel, I. Lo, A. Fathimulla, J. Appl. Phys. 81, 1609 (1997).
65. R. Oberhuber, G. Zandler, and P. Vogl, Appl. Phys. Lett.73, 818 (1998).
66. Y. Zhang and J. Singh, J. Appl. Phys. 85, 587 (1999).
67. M. Shur, GaAs Devices and Circuits (Plenum, New York, 1986).
68. B. E. Foutz, L. F. Eastman, U. V. Bhapkar, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 70, 2849 (1997).