Mobility of two-dimensional electrons in AlGaN/GaN modulation-doped field-effect transistors

Applied Physics Letters

Volumn 73, Issue 6, 1998, Pages 818-820

  Oberhuber, R ^a   Zandler, G ^a   Vogl, P ^a  

^a WALTER SCHOTTKY INSTITUT   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0343191058     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.122011     Document Type: Article

References (32)

1. Y.-F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, P. Kozodoy, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 69, 1438 (1996).
2. M. A. Littlejohn, J. R. Hauser, and T. H. Glisson, Appl. Phys. Lett. 26, 625 (1975).
3. N. S. Mansour, K. W. Kim, and M. A. Littlejohn, J. Appl. Phys. 77, 2834 (1995).
4. V. W. L. Chin, T. L. Tansley, and T. Osotchan, J. Appl. Phys. 75, 7365 (1994).
5. B. E. Foutz, L. F. Eastman, U. V. Bhapkar, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 70, 2849 (1997).
6. R. P. Joshi, Appl. Phys. Lett. 64, 223 (1994).
7. J. Kolnik, I. H. Oguzman, K. F. Brennan, R. Wang, P. P. Ruden, and Y. Wang, J. Appl. Phys. 78, 1033 (1995).
8. I. H. Oguzman, J. Kolnik, K. F. Brennan, R. Wang, T.-N. Fang, and P. P. Ruden, J. Appl. Phys. 80, 4429 (1996).
9. U. V. Bhapkar and M. S. Shur, J. Appl. Phys. 82, 1649 (1997).
10. Q. Chen, M. Asif Khan, J. W. Yang, C. J. Sun, M. S. Shur, and H. Park, Appl. Phys. Lett. 69, 794 (1996).
11. N. E. Christenson and I. Gorczyca, Phys. Rev. B 50, 4397 (1994).
12. K. Kim, W. R. L. Lambrecht, and B. Segall, Phys. Rev. B 53, 16310 (1996).
13. G. Zandler, J. A. Majewski, M. Städele, P. Vogl, and F. Compagnone, Phys. Status Solidi B 204, 133 (1997).
14. M. V. Fischetti and S. E. Laux, Phys. Rev. B 48, 2244 (1993).
15. S. M. Goodnick and P. Lugli, Phys. Rev. B 37, 2578 (1988).
16. K. Masaki, C. Hamaguchi, and K. Taniguchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 28, 1856 (1989).
17. S. Yamakawa, H. Ueno, K. Taniguchi, and C. Hamaguchi, J. Appl. Phys. 79, 911 (1996).
18. A. R. Hutson, J. Appl. Phys. 32, 2287 (1961).
19. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, 10024 (1997).
20. A. Polian, M. Grimsditch, and I. Grzegory, J. Appl. Phys. 79, 3343 (1996).
21. E. T. Yu, G. J. Sullivan, P. M. Asbeck, C. D. Wang, D. Qiao, and S. S. Lau, Appl. Phys. Lett. 71, 2794 (1997).
22. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 923 (1997).
23. A. Rizzi and H. Lüth (unpublished).
24. T. Wethkamp, K. Wilmers, N. Esser, W. Richter, O. Ambacher, H. Angerer, G. Jungk, R. L. Johnson, and M. Cardona, Thin Solid Films 313, 745 (1998).
25. A. Rubio, J. L. Corkill, and M. L. Cohen, Phys. Rev. B 49, 1952 (1994).
26. D. L. Rode and D. K. Gaskill, Appl. Phys. Lett. 66, 1972 (1995).
27. R. M. Feenstra and M. A. Lutz, J. Appl. Phys. 78, 6091 (1995).
28. J. G. Kim, A. C. Frenkel, H. Liu, and R. M. Park, Appl. Phys. Lett. 65, 91 (1994).
29. D. C. Look and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 70, 3377 (1997).
30. M. Fanciulli, T. Lei, and T. D. Moustakas, Phys. Rev. B 48, 15144 (1993).
31. J. A. Majewski, M. Städele, and P. Vogl, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 887 (1997).
32. K. Kim, W. R. L. Lambrecht, B. Segall, and M. Schilfgaarde, Phys. Rev. B 56, 7363 (1997).