Polarization effects, surface states, and the source of electrons in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors

Applied Physics Letters

Volumn 77, Issue 2, 2000, Pages 250-252

  Ibbetson, J P ^a,b   Fini, P T ^a   Ness, K D ^a   DenBaars, S P ^a   Speck, J S ^a   Mishra, U K ^a  

^a University of California   (United States)

^b Arkansas Power Electronics International Inc   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0347373724     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.126940     Document Type: Article

References (15)

1. A. Bykhovski, B. Gelmont, and M. Shur, J. Appl. Phys. 74, 6734 (1993).
2. T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L382 (1997).
3. P. Kozodoy, M. Hansen, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 74, 3681 (1999).
4. Y.-F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, P. Kozodoy, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 69, 1438 (1996).
5. R. Gaska, M. S. Shur, A. D. Bykhovski, A. O. Orlov, and G. L. Snider, Appl. Phys. Lett. 74, 287 (1999).
6. R. Gaska, Q. Chen, J. Yang, A. Osinsky, M. A. Khan, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 18, 492 (1997).
7. J. Redwing, M. A. Tischler, J. S. Flynn, S. Elhamri, M. Ahoujja, R. S. Newrock, and W. C. Mitchel, Appl. Phys. Lett. 69, 963 (1996).
8. P. M. Asbeck, E. T. Yu, S. S. Lau, G. J. Sullivan, J. Van Hove, and J. Redwing, Electron. Lett. 33, 1230 (1997).
9. S. Keller, G. Parish, P. T. Fini, S. Heikman, C.-H. Chen, N. Zhang, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and Y.-F. Wu, J. Appl. Phys. 86, 5850 (1999).
10. O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
11. M. J. Murphy, B. E. Foutz, K. Chu, H. Wu, W. Yeo, W. J. Schaff, O. Ambacher, L. F. Eastman, T. J. Eustis, R. Dimitriov, M. Stutzmann, and W. Rieger, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G84 (1999).
12. L. Hsu and W. Walukiewicz, Appl. Phys. Lett. 73, 339 (1998).
13. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10 024 (1997).
14. G. Martin, A. Botchkarev, A. Rockett, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 68, 2541 (1996).
15. L. S. Yu, D. J. Qiao, Q. J. Xing, S. S. Lau, K. S. Boutros, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 73, 238 (1998).