Polarization-induced charge and electron mobility in AlGaN/GaN heterostructures grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

Journal of Applied Physics

Volumn 86, Issue 8, 1999, Pages 4520-4526

  Smorchkova, I P ^a   Elsass, C R ^a   Ibbetson, J P ^a   Vetury, R ^a   Heying, B ^a   Fini, P ^a   Haus, E ^a   DenBaars, S P ^a   Speck, J S ^a   Mishra, U K ^a  

^a University of California   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000804158     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.371396     Document Type: Article

References (25)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S.-I. Nagahama, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sigimto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 70, 1417 (1997).
2. M. P. Mack, A. C. Abare, M. Hansen, P. Kozodoy, S. Keller, U. Mishra, L. A. Coldren, and S. P. DenBaars, J. Cryst. Growth 189/190, 837 (1998).
3. H. Sakai, T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Amano, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 189/190, 831 (1998).
4. U. K. Mishra, Y. F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, and S. P. DenBaars, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 46, 756 (1998).
5. Y. F. Wu, B. P. Keller, P. Fini, S. Keller, T. J. Jenkins, L. T. Kehias, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 19, 50 (1998).
6. C. Nguyen, N. X. Nguyen, M. Le, and D. E. Grider, Electron. Lett. 34, 309 (1998).
7. G. J. Sullivan, M. Y. Chen, J. A. Higgins, J. W. Yang, Q. Chen, R. L. Pierson, and B. T. McDermott, IEEE Electron Device Lett. 19, 198 (1998).
8. R. Gaska, M. S. Shur, A. D. Bykhovski, A. O. Orlov, and G. L. Snider, Appl. Phys. Lett. 74, 287 (1999).
9. C. R. Elsass, I. P. Smorchkova, B. Heying, E. Haus, P. Fini, K. Maranowski, J. P. Ibbetson, S. Keller, P. M. Petroff, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 74, 3528 (1999).
10. A. Bykhovski, B. Gelmont, and M. Shur, J. Appl. Phys. 74, 6734 (1993).
11. P. M. Asbeck, E. T. Yu, S. S. Lau, G. J. Sullivan, J. Van Hove, and J. Redwing, Electron. Lett. 33, 1230 (1997).
12. E. T. Yu, G. J. Sullivan, P. M. Asbeck, C. D. Wang, D. Qiao, and S. S. Lau, Appl. Phys. Lett. 71, 2794 (1997).
13. L. Hsu and W. Walukiewicz, Appl. Phys. Lett. 73, 339 (1998).
14. A. D. Bykhovski, R. Gaska, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 73, 3577 (1998).
15. O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
16. L. Hsu and W. Walukiewicz, Phys. Rev. B 56, 1520 (1997).
17. R. Gaska, J. W. Yang, A. Osinsky, Q. Chen, M. Asif Khan, A. O. Orlov, G. L. Snider, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 72, 707 (1998).
18. R. Oberhuber, G. Zandler, and P. Vogl, Appl. Phys. Lett. 73, 818 (1998).
19. Y. Zhang and J. Singh, J. Appl. Phys. 85, 587 (1999).
20. E. J. Tarsa, B. Heying, X. H. Wu, P. Fini, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 82, 5472 (1997).
21. A. Polian, M. Grimsditch, and I. Grzegory, J. Appl. Phys. 79, 3343 (1996).
22. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, 10024 (1997).
23. J. P. Ibbetson, K. D. Ness, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, P. T. Fini, and J. S. Speck (unpublished).
24. G. Martin, A. Botchkarev, A. Rockett, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 68, 2541 (1996).
25. T. Ando, J. Phys. Soc. Jpn. 51, 3900 (1982).