Ge nanocrystals in lanthanide-based Lu2 O3 high- k dielectric for nonvolatile memory applications

Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 9, 2007, Pages

  Chan, M Y ^a   Lee, P S ^a   Ho, V ^b   Seng, H L ^c  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^b CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD   (Singapore)

^c INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIELECTRIC MATERIALS; GERMANIUM; NANOCRYSTALS; NONVOLATILE STORAGE; PULSED LASER DEPOSITION; RAPID THERMAL ANNEALING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

ANNEALING TEMPERATURE; NONVOLATILE MEMORY APPLICATIONS; SECONDARY ION MASS SPECTROSCOPY;

LUTETIUM COMPOUNDS;

EID: 36248968038     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2803883     Document Type: Article

References (50)

1. M. Fujii, S. Hayashi, and K. Yamamoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 30, 687 (1991).
2. V. Ho, L. W. Teo, W. K. Choi, W. K. Chim, M. S. Tay, D. A. Antoniadis, E. A. Fitzgerald, A. Y. Du, C. H. Tung, R. Liu, and A. T. S. Wee, Appl. Phys. Lett. 83, 3558 (2003).
3. Y. Q. Wang, J. H. Chen, W. J. Yoo, Y. C. Yeo, S. J. Kim, R. Gupta, Z. Y. L. Tan, D. L. Kwong, A. Y. Du, and N. Balasubramaniam, Appl. Phys. Lett. 84, 5407 (2004).
4. S. K. Min, K. V. Shcheglov, C. M. Yang, H. Atwater, M. L. Brogersman, and A. Polman, Appl. Phys. Lett. 68, 2511 (1996).
5. N. Kishimoto, Y. Takeda, V. T. Gritsyna, E. Iwamoto, and T. Saito, Proceedings of Ion Implantation Technology (IEEE, Piscataway, New Jersey, 1999).
6. J. H. Shin, H. S. Han, S. Y. Seo, and W. H. Lee, J. Korean Phys. Soc. 34, s16 (1999).
7. S. Lombardo, S. Coffa, C. Bongiorno, C. Spinella, E. Castagna, S. Sciuto, C. Gerardi, F. Ferrari, B. Frazio, and S. Privitera, Mater. Sci. Eng., B 69, 295 (2000).
8. Y. C. King, T. J. King, and C. Hu, IEEE Trans. Electron Devices 48, 696 (2001).
9. T. Sass, V. Zela, A. Gustafasson, I. Pietzonka, and W. Seifert, Appl. Phys. Lett. 81, 3455 (2002).
10. C. L. Yuan, P. Darmawan, Y. Setiawan, and P. S. Lee, Europhys. Lett. 74, 177 (2006).
11. C. L. Yuan, P. Darmawan, Y. Setiawan, P. S. Lee, and J. Ma, Appl. Phys. Lett. 89, 043104 (2006).
12. W. L. Liu, P. F. Lee, J. Y. Dai, J. Wang, H. L. W. Chan, C. L. Choy, Z. T. Song, and S. L. Feng, Appl. Phys. Lett. 86, 013110 (2005).
13. K. M. Hassan, A. K. Sharma, J. Narayan, J. F. Muth, C. W. Teng, and R. M. Kolbase, Appl. Phys. Lett. 75, 1222 (1999).
14. J. J. Lee, X. Wang, W. Bai, N. Lu, and D. L. Kwong, Symp. VLSI Tech. Dig., 33 (2003).
15. D. W. Kim, T. Kim, and S. K. Banerjee, IEEE Trans. Electron Devices 50, 1823 (2003).
16. D. W. Kim, F. E. Prins, T. Kim, S. Hwang, C. H. Lee, D. L. Kwong, and S. K. Banarjee, IEEE Trans. Electron Devices 50, 510 (2003).
17. Q. Wan, N. L. Zhang, W. L. Liu, C. L. Lin, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 83, 138 (2003).
18. P. F. Lee, X. B. Lu, J. Y. Dai, H. L. W. Chan, E. Jelenkovic, and K. Y. Tong, Nanotechnology 17, 1202 (2006).
19. Y. Q. Wang, J. H. Chen, W. J. Yoo, Y. C. Yeo, S. J. Lim, D. L. Kwong, A. Y. Du, and N. Balasubramanian, Appl. Phys. Lett. 84, 5407 (2004).
20. X. B. Lu, P. F. Lee, and J. Y. Dai, Appl. Phys. Lett. 86, 203111 (2005).
21. G. Scarel, E. Bonera, C. Wiemer, G. Tallarida, S. Spiga, and M. Fanciulli, Appl. Phys. Lett. 85, 630 (2004).
22. S. Ohmi, M. Takeda, H. Ishiwara, and H. Iwai, J. Electrochem. Soc. 151, G279 (2004).
23. D. G. Schlom and J. H. Haeni, MRS Bull. 27, 198 (2002).
24. L. Marsella and V. Fiorentini, Phys. Rev. B 69, 172103 (2004).
25. G. Lucovsky, Y. Zhang, G. B. Rayner, G. Appel, and H. Ade, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1739 (2003).
26. P. Darmawan, C. L. Yuan, and P. S. Lee, Solid State Commun. 138, 571 (2006).
27. O. Winkler, F. Merget, M. Heuser, B. Hadam, M. Baus, B. Spangenberg, and H. Kurz, Microelectron. Eng. 61, 497 (2002).
28. T. Usuki, T. Futatsugi, and N. Yokoyama, Microelectron. Eng. 47, 281 (1999).
29. Y. Maeda, Phys. Rev. B 51, 1658 (1995).
30. H. I. Hanafi, S. Tiwari, and I. Khan, IEEE Trans. Electron Devices 43, 1553 (1996).
31. H. Fukuda, T. Kobayashi, T. Endoh, and Y. Ueda, Appl. Surf. Sci. 130-132, 776 (1998).
32. W. K. Choi, V. Ho, V. Ng, Y. W. Ho, S. P. Ng, and W. K. Chim, Appl. Phys. Lett. 86, 143114 (2005).
33. S. Oswald, B. Schmidt, and K. Heinig, Surf. Interface Anal. 29, 249 (2000).
34. CRC Handbook of Chemistry and Physics, 84th ed., edited by, D. R. Lide, (CRC, Boca Raton, 2003).
35. F. Zheng, H. G. Chew, W. K. Choi, J. X. Zhang, and H. L. Seng, J. Appl. Phys. 101, 114310 (2007).
36. Y. Q. Wan, J. H. Chen, W. J. Yoo, Y. C. Yeo, S. J. Lim, D. L. Kwong, A. Y. Du, and N. Balasubramanian, Appl. Phys. Lett. 84, 5407 (2004).
37. A. K. Dutta, Appl. Phys. Lett. 68, 1189 (1996).
38. D. C. Paine, C. Caragianins, T. Y. Kim, T. Shigesato, and T. Ishikawa, Appl. Phys. Lett. 62, 2842 (1993).
39. Ch. Sargentis, K. Giannakopoulos, A. Travlos, N. Boukos, and D. Tsamakis, Appl. Phys. Lett. 88, 073106 (2006).
40. Y. Shi, K. Saito, H. Ishikuro, and T. Hiramoto, J. Appl. Phys. 84, 2358 (1998).
41. A. Kanjilal, L. Lundsgaard Hunsen, P. Gaiduk, A. Nylandsted Larsen, N. Cherkashin, A. Claverie, P. Normand, E. Kapelanakis, D. Dkarlatos, and D. Tsoukalas, Appl. Phys. Lett. 82, 1212 (2003).
42. D. N. Kouvatsos, V. Ionnou-Sougleridis, and A. G. Nassiopoulou, Appl. Phys. Lett. 82, 397 (2003).
43. S. J. Baik, S. Choi, U.-I. Chung, and J. T. Moon, Solid-State Electron. 48, 1475 (2004).
44. Y. H. Kwon, C. J. Park, W. C. Lee, D. J. Fu, Y. Shon, T. W. Kang, C. Y. Hong, H. Y. Cho, and K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 80, 2502 (2002).
45. E. Kapetankis, P. Normand, D. Tsoukalaos, K. Beltsios, J. Stoemenos, S. Zhang, and J. van den Berg, Appl. Phys. Lett. 77, 3450 (2000).
46. M. She and T. J. King, IEEE Trans. Electron Devices 50, 1934 (2003).
47. B. Liss and O. Engstrom, J. Appl. Phys. 78, 1824 (2005).
48. J. Y. Tseng, C. W. Cheng, S. Y. Wang, T. B. Wu, K. Y. Tsieh, and R. Liu, Appl. Phys. Lett. 85, 2595 (2004).
49. T. Baron, A. Fernandes, J. F. Damlencourt, B. De Salvo, F. Martin, and F. Mazen, Appl. Phys. Lett. 82, 4151 (2003).
50. M. Saitoh, E. Nagata, and T. Hiramoto, IEDM Tech. Dig., 181 (2002).