Synthesis and memory effect study of Ge nanocrystals embedded in LaAlO 3 high- k dielectrics

Applied Physics Letters

Volumn 86, Issue 20, 2005, Pages 1-3

  Lu, X B ^a   Lee, P F ^a   Dai, J Y ^a  

^a HONG KONG POLYTECHNIC UNIVERSITY   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIELECTRIC FILMS; DIELECTRIC MATERIALS; GERMANIUM; LANTHANUM COMPOUNDS; PULSED LASER DEPOSITION; SYNTHESIS (CHEMICAL); TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

CHARGE RETENTION; GATE STRUCTURE; MEMORY CAPACITANCE; NANOCRYSTALS;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 20844456242     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1926414     Document Type: Article

References (20)

1. S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, A. Hartstein, E. F. Crabbe, and K. Chan, Appl. Phys. Lett. 68, 1377 (1996).
2. S. Tiwari, F. Rana, K. Chan, L. Shi, and H. Hanafi, Appl. Phys. Lett. 69, 1232 (1996).
3. Y. Shi, K. Saito, H. Ishikuro, and T. Hiramoto, J. Appl. Phys. 84, 2358 (1998).
4. Y. C. King, T. J. King, and C. Hu, IEEE Trans. Electron Devices 48, 696 (2001).
5. J. K. Kim, H. J. Cheong, Y. Kim, J. Y. Yi, and H. J. Bark, Appl. Phys. Lett. 82, 2527 (2003).
6. M. Kanoun, A. Souifi, T. Baron, and F. Mazen, Appl. Phys. Lett. 84, 5079 (2004).
7. K. S. Min, K. V. Shcheglov, C. M. Yang, H. A. Atwater, M. L. Brongersma, and A. Polman, Appl. Phys. Lett. 68, 2511 (1996).
8. M. Zacharias, R. Weigand, B. Dietrich, F. Stolze, J. Bläsing, P. Veit, T. Drüsedau, and J. Christen, J. Appl. Phys. 81, 2384 (1997).
9. D. W. Kim, T. Kim, and S. K. Banerjee, IEEE Trans. Electron Devices 50, 1823 (2003).
10. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
11. A. I. Kingon, J.-P. Maria, and S. K. Streiffer, Nature (London) 406, 1032 (2000).
12. H.-J. Cho, C. S. Kang, K. Onishi, S. Gopalan, R. Nieh, R. Choi, S. Krishnan, and J. C. Lee, IEEE Electron Device Lett. 23, 249 (2002).
13. R. Gupta, W. J. Yoo, Y. Q. Wang, Z. Tan, G. Samudra, S. J. Lee, D. S. H. Chan, K. P. Loh, L. K. Bera, N. Balasubramanian, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 84, 4331 (2004).
14. J. J. Lee, X. G. Wang, W. P. Bai, N. Lu, and D.-L. Kwong, IEEE Trans. Electron Devices 50, 2067 (2003).
15. Q. Wan, N. L. Zhang, W. L. Liu, C. L. Lin, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 83, 138 (2003).
16. X. B. Lu, X. Zhang, R. Huang, H. B. Lu, Z. H. Chen, W. F. Xiang, M. He, B. L. Cheng, H. W. Zhou, X. P. Wang, C. Z. Wang, and B. Y. Nguyen, Appl. Phys. Lett. 84, 2620 (2004).
17. L. F. Edge, D. G. Schlom, S. A. Chambers, E. Cicerrella, J. L. Freeouf, B. HollÄnder, and J. Schubert, Appl. Phys. Lett. 84, 726 (2004).
18. B.-E. Park and H. Ishiwara, Appl. Phys. Lett. 82, 1197 (2003).
19. X. B. Lu, H. B. Lu, Z. H. Chen, X. Zhang, R. Huang, H. W. Zhou, X. P. Wang, C. Z. Wang, B. Y. Nguyen, W. F. Xiang, M. He, and B. L. Cheng, Appl. Phys. Lett., 85, 3543 (2004).
20. O. Winkler, F. Merget, M. Heuser, B. Hadam, M. Baus, B. Spangenberg, and H. Kurz, Microelectron. Eng. 61, 497 (2002).