The dielectric characteristics and thermal stability of Hf-silicate films with different Si contents

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 154, Issue 8, 2007, Pages

  Lee, Dongwon ^a   Suh, Dongchan ^a   Pae, Yeonho ^a   Kim, Hyoungsub ^b   Cho, Mann Ho ^a   Ko, Dae Hong ^a  

^a Yonsei University   (South Korea)

^b Sungkyunkwan University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC LAYER DEPOSITION; CRYSTALLIZATION; DIELECTRIC MATERIALS; HAFNIUM; PHASE SEPARATION; SILICON; STOICHIOMETRY; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

ATOMIC CONCENTRATION; CYCLE RATIO; SILICATE FILMS;

THIN FILMS;

EID: 34347357653     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2743101     Document Type: Article

References (34)

1. H. S. Momose, M. Ono, T. Yoshitomi, T. Ohguro, S. Nakamura, M. Saito, and H. Iwai, IEEE Trans. Electron Devices, 43, 1233 (1996).
2. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys., 87, 484 (2000).
3. L. Kang, K. Onishi, Y. Jeon, B. H. Lee, C. Kang, W. J. Qi, R. Nieh, S. Gopalan, R. Choi, and J. C. Lee, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2000, 35.
4. S. J. Lee, H. F. Luan, W. P. Bai, C. H. Lee, T. S. Jeon, Y. Senzaki, D. Roberts, and D. L. Kwong, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2000, 31.
5. W. K. Chim, T. H. Ng, B. H. Koh, W. K. Choi, J. X. Zheng, C. H. Tung, and A. Y. Du, J. Appl. Phys., 93, 4788 (2003).
6. J. C. Wang, S. H. Chiao, C. L. Lee, T. F. Lei, Y. M. Lin, M. F. Wang, S. C. Chen, C. H. Yu, and M. S. Liang, J. Appl. Phys., 92, 3936 (2002).
7. C. Zhao, G. Roebben, H. Bender, E. Young, S. Haukka, M. Houssa, M. Naili, S. De Gendt, M. Heyns, and O. Van Der Biest, Microelectron. Reliab., 41, 995 (2001).
8. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys., 89, 5243 (2001).
9. C. Hobbs, L. Fonseca, V. Dhandapani, S. Samavedam, B. Taylor, J. Grant, L. Dip, D. Triyoso, R. Hegde, D. Gilmer, VLSI Symp. Tech. Dig., p. 9 (2003).
10. M.-Y. Ho, H. Gong, G. D. Wilk, B. W. Busch, M. L. Green, W. H. Lin, A. See, S. K. Lahiri, M. E. Loomans, P. I. Raisanen, Appl. Phys. Lett., 81, 4218 (2002).
11. M.-H. Cho, H. S. Chang, Y. J. Cho, D. W. Moon, K.-H. Min, R. Sinclair, S. K. Kang, D.-H. Ko, J. H. Lee, J. H. Gu, Appl. Phys. Lett., 84, 571 (2004).
12. M.-H. Cho, H. S. Chang, Y. J. Cho, D. W. Moon, K.-H. Min, R. Sinclair, S. K. Kang, D.-H. Ko, J. H. Lee, J. H. Gu, Surf. Sci., 554, L75 (2004).
13. M.-H. Cho, H. B. Park, J. Park, C. S. Hwang, J.-C. Lee, S.-J. Oh, J. Jeong, K. S. Hyun, H.-S. Kang, Y.-W. Kim, J. Appl. Phys., 94, 2563 (2003).
14. H. B. Park, M. Cho, J. Park, C. S. Hwang, J.-C. Lee, and S.-J. Oh, J. Appl. Phys., 94, 1898 (2003).
15. M.-H. Cho, K. B. Chung, C. N. Whang, D.-H. Ko, and H. S. Kim, Appl. Phys. Lett., 87, 262906 (2005).
16. M. Lee, Z.-H. Lu, W.-T. Ng, D. Landheer, X. Wu, and S. Moisa, Appl. Phys. Lett., 83, 2638 (2003).
17. K.-J. Choi, J.-H. Kim, and S. G. Yoon, J. Electrochem. Soc., 151, G262 (2004).
18. C. S. Kang, H.-J. Cho, K. Onishi, R. Nieh, R. Choi, S. Gopalan, S. Krishnan, J. H. Han, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett., 81, 2593 (2002).
19. G. Kang, P. W. Peacock, and J. Robertson, Appl. Phys. Lett., 84, 106 (2002).
20. J. F. Kang, H. Y. Yu, C. Ren, M.-F. Li, D. S. H. Chan, H. Hu, H. F. Lim, W. D. Kang, D. Gui, and D.-L. Kwong, Appl. Phys. Lett., 84, 1588 (2004).
21. M.-L. Green, M.-Y. Ho, B. Bruch, G. D. Wilk, T. Sorsch, T. Conrad, B. Brijs, W. Vandervorst, P. I. Raisanen, D. Muller, J. Appl. Phys., 92, 7168 (2002).
22. H. Kim and P. C. Mcintyre, J. Appl. Phys., 92, 5094 (2002).
23. D. A. Neumayer and E. Cartier, J. Appl. Phys., 90, 1801 (2001).
24. M. J. Guittet, J. P. Crocombette, and M. Gautier-Soyer, Phys. Rev. B, 63, 125117 (2001).
25. M. A. Quevedo-Lopez, M. El-Bouanani, B. E. Gnade, R. M. Wallace, M. R. Visokay, M. Douglas, M. J. Bevan, and L. Colombo, J. Appl. Phys., 92, 3540 (2002).
26. M.-H. Cho, Y. S. Roh, C. N. Whang, K. Jeong, S. W. Nahm, D.-H. Ko, J. H. Lee, N. I. Lee, and K. Fujihara, Appl. Phys. Lett., 81, 472 (2002).
27. S. Iwata and A. Ishizaka, J. Appl. Phys., 79, 6653 (1996).
28. Y.-C. Yeo, T.-J. King, and C. Hu, J. Appl. Phys., 92, 7266 (2002).
29. N. Jayasundere and B. V. Smith, J. Appl. Phys., 73, 2462 (1993).
30. G. Lucovsky and G. B. Raner, Jr., Appl. Phys. Lett., 77, 2912 (2000).
31. L. Soriano, M. Abbate, J. C. Fuggle, M. A. Jimenez, J. M. Sanz, C. Mythen, and H. A. Padmore, Solid State Commun., 87, 699 (1993).
32. M.-H. Cho, D. W. Moon, S. A. Park, Y. K. Kim, K. Jeong, S. K. Kang, D.-H. Ko, S. J. Doh, J. H. Lee, and N. I. Lee, Appl. Phys. Lett., 85, 4115 (2004).
33. N. Ikarashi and K. Manabe, J. Appl. Phys., 94, 480 (2003).
34. S. Stemmer, Y. Li, B. Foran, P. S. Lysaght, S. K. Streiffer, P. Fuoss, and S. Seifert, Appl. Phys. Lett., 83, 3141 (2003).