Silicon nanocrystal memories: A status update

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Volumn 7, Issue 1, 2007, Pages 193-205

  Compagnoni, Christian Monzio ^a   Gusmeroli, Riccardo ^a   Ielmini, Daniele ^a   Spinelli, Alessandro S ^a   Lacaita, Andrea L ^a,b  

^a POLITECNICO DI MILANO   (Italy)

^b IFN CNR   (Italy)

Author keywords

Microelectronic Scaling; Silicon Nanocrystals; Solid State Memories

Indexed keywords

BASIC PRINCIPLES; CAPACITIVE COUPLINGS; CMOS COMPATIBLE; FLOATING GATE (FG); NANO CRYSTALS; NON-VOLATILE; PROCESS FLOWS; SCIENTIFIC COMMUNITIES; SILICON NANOCRYSTAL MEMORIES; STRESS INDUCED LEAKAGE CURRENT (SILC);

FLASH MEMORY; LEAKAGE CURRENTS; NANOCRYSTALLINE ALLOYS; NANOCRYSTALS; NANOSTRUCTURES; NANOTECHNOLOGY; NONMETALS; OPTICAL WAVEGUIDES; SEMICONDUCTOR STORAGE; SILICON; TECHNOLOGY;

DATA STORAGE EQUIPMENT;

NANOPARTICLE;

ALGORITHM; CHEMISTRY; COMPUTER; DATA STORAGE DEVICE; ELECTROCHEMISTRY; ELECTRON; EQUIPMENT DESIGN; INFORMATION RETRIEVAL; METHODOLOGY; NANOTECHNOLOGY; REVIEW; THEORETICAL MODEL; TIME;

ALGORITHMS; COMPUTER STORAGE DEVICES; COMPUTERS; ELECTROCHEMISTRY; ELECTRONS; EQUIPMENT DESIGN; INFORMATION STORAGE AND RETRIEVAL; MODELS, THEORETICAL; NANOPARTICLES; NANOTECHNOLOGY; TIME FACTORS;

EID: 34247625952     PISSN: 15334880     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Review

References (73)

1. S. Yamazaki, K. Hatakeyama, I. Kagawa, and Y. Yamashita, IEDM Tech. Dig. 355 (1973).
2. S. Yamazaki, U.S. Patent 3,805,130, (1974).
3. H. Wegener, A. Lincoln, H. Pao, M. O'Connell, R. Oleksiak, and H. Lawrence, IEDM Tech. Dig. 70 (1967).
4. D. Frohman-Bentchkowsky and M. Lenzlinger, J. Appl. Phys. 40, 3307 (1969).
5. T. Y. Chan, K. K. Young, and C. Hu, IEEE Electron Device Lett. 8, 93 (1987).
6. M. H. White, Y. L. Yang, A. Purwar, and M. L. French, in Proceedings of the Int'l Nonvolatile Memory Technology Conference 52 (1996).
7. B. Eitan, P. Pavan, I. Bloom, E. Aloni, A. Frommer, and D. Finzi, IEEE Electron Device Lett. 21, 543 (2000).
8. S. Tiwari, F. Rana, K. Chan, H. Hanafi, W. Chan, and D. Buchanan, IEDM Tech. Dig. 521 (1995).
9. S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, A. Harstein, and E. F. Crabbe, Appl. Phys. Lett. 68, 1377 (1996).
10. T. Ishii, T. Osabe, T. Mine, F. Murai, and K. Yano, IEDM Tech. Dig. 305 (2000).
11. B. De Salvo, C. Gerardi, S. Lombardo, T. Baron, L. Perniola, D. Mariolle, P. Mur, A. Toffoli, M. Gely, M. N. Semeria, S. Deleonibus, G. Ammendola, V. Ancarani, M. Melanotte, R. Bez, L. Baldi, D. Corso, I. Crupi, R. A. Puglisi, G. Nicotra, E. Rimini, F. Mazen, G. Ghibaudo, G. Pananakakis, C. Monzio Compagnoni, D. Ielmini, A. Lacaita, A. Spinelli, Y. M. Wan, and K. van der Jeugd, IEDM Tech. Dig. 597 (2003).
12. R. Muralidhar, R. F. Steimle, M. Sadd, R. Rao, C. T. Swift, E. J. Prinz, J. Yater, L. Grieve, K. Harber, B. Hradsky, S. Straub, B. Acred, W. Paulson, W. Chen, L. Parker, S. G. H. Anderson, M. Rossow, T. Merchant, M. Paransky, T. Huynh, D. Hadad, K.-M. Chang, and B. E. White, Jr., IEDM Tech. Dig. 601 (2003).
13. International Technology Roadmap for Semiconductors (2003).
14. A. Modelli, Microelectron. Eng. 48, 403 (1999).
15. S. Lai, in Int'l NonVolatile Memory Technology Conference 6 (1998).
16. J.-D. Lee, S.-H. Hur, and J.-D. Choi, IEEE Electron Device Lett. 23, 264 (2002).
17. R. Bez, E. Camerlenghi, A. Modelli, and A. Visconti, Proc. IEEE 91, 489 (2003).
18. Y. Shin, in 2005 Symp. VLSI Tech. Dig. 156 (2005).
19. J. De Blauwe, IEEE Trans. Nanotechnol. 1, 72 (2002).
20. C. Gerardi, G. Ammendola, M. Melanotte, S. Lombardo, and I. Crupi, in Proceedings of the ESSDERC 475 (2002).
21. S. J. Baik, S. Choi, U.-I. Chung, and J. T. Moon, IEDM Tech. Dig. 545 (2003).
22. R. Rao, R. Steimle, M. Sadd, C. Swift, B. Hradsky, S. Straub, T. Merchant, M. Stoker, S. Anderson, M. Rossow, J. Yater, B. Acred, K. Harber, E. Prinz, B. White, Jr., and R. Muralidhar, Solid-State Electron 48, 1463 (2004).
23. J. De Blauwe, M. Ostraat, M. L. Green, G. Weber, T. Sorsch, A. Kerber, F. Klemens, R. Cirelli, E. Ferry, J. L. Grazul, F. Baumann, Y. Kim, W. Mainsfield, J. Bude, J. T. C. Lee, S. J. Hillenius, R. C. Flagan, and H. A. Atwater, IEDM Tech. Dig. 683 (2000).
24. C. Monzio Compagnoni, D. Ielmini, A. S. Spinelli, and A. L. Lacaita, IEEE Tram. Electron Device 52, 569 (2005).
25. B. De Salvo, G. Ghibaudo, G. Pananakakis, P. Masson, T. Baron, N. Buffet, A. Fernandes, and B. Guillamot, IEEE Trans. Electron Device 48, 1789 (2001).
26. M. Saitoh, E. Nagata, and T. Hiramoto, IEDM Tech. Dig. 181 (2002).
27. G. Molas, B. De Salvo, G. Ghibaudo, G. Iannaccone, D. Mariolle, A. Toffoli, N. Buffet, S. Lombardo, and S. Deleonibus, in Proceedings of the ESSDERC (2003).
28. B. De Salvo, C. Gerardi, R. van Schaijk, S. Lombardo, D. Corso, C. Plantamura, S. Serafino, G. Ammendola, M. van Duuren, P. Goarin, W. Yuet Mei, K. van der Jeugd, T. Baron, M. Gely, P. Mur, and S. Deleonibus, IEEE Trans. Device Mater. Reliab. 4, 377 (2004).
29. M. She and T. King, IEEE Trans. Electron Device 50, 1934 (2003).
30. C. Monzio Compagnoni, D. Ielmini, A. S. Spinelli, and A. L. Lacaita, IEEE Trans. Electron Device 52, 2473 (2005).
31. C. H. Lee, K. I. Choi, M. K. Cho, Y. H. Song, K. C. Park, and K. Kim, IEDM Tech. Dig. 613 (2003).
32. M. Specht, H. Reisinger, M. Stadele, F. Hofmann, A. Gschwandtner, E. Landgraf, R. J. Luyken, T. Shulz, J. Hartwich, L. Dreeskornfeld, W. Rosner, J. Kretz, and L. Risch, in Proceedings of the ESSDERC 155 (2003).
33. W.-H. Lee, J. T. Clemens, R. C. Keller, and L. Manchanda, in Symp. VLSI Tech. Dig. 117 (1997).
34. K. K. Likharev, Appl. Phys. Lett. 73, 2137 (1998).
35. P. Blomme, B. Govoreanu, M. Rosmeulen, J. Van Houdt, and K. De Meyer, in Device Research Conference Dig. 153 (2002).
36. C. Lee, A. Gorur-Seetharam, and E. C. Kan, IEDM Tech. Dig. 557 (2003).
37. I.-G. Kim, K. Yanagidaira, and T. Hiramoto, IEDM Tech. Dig. 605 (2003).
38. R. A. Rao, M. Sadd, R. F. Steimle, B. Hradsky, R. Muralidhar, S. Straub, and B. E. White, in Proceedings of the IEEE NVSMW 95 (2003).
39. S. Lombardo, C. Gerardi, D. Corso, G. Ammendola, I. Crupi, and M. Melanotte, Non Volatile Semiconductor Memory Workshop 105 (2003).
40. R. Steimle, R. Rao, M. Sadd, C. Swift, B. Hradsky, S. Straub, T. Merchant, M. Stoker, C. Parikh, S. Anderson, M. Rossow, J. Yater, B. Acred, K. Harber, E. Prinz, B. White, Jr., and R. Muralidhar, in Proceedings of the 4th IEEE Conference on Nanotechnology 290 (2004).
41. A. Shappir, D. Levy, Y. Shacham-Diamand, E. Lusky, I. Bloom, and B. Eitan, Solid-State Electronics 48, 1489 (2004).
42. S. Lombardo, D. Corso, I. Crupi, C. Gerardi, G. Ammendola, M. Melanotte, B. De Salvo, and L. Perniola, Microelectron. Eng. 72, 411 (2004).
43. D. Ielmini, A. S. Spinelli, and A. L. Lacaita, Microelectron. Eng. 80C, 321 (2005).
44. H. Watanabe, T. Ishihara, Y. Matsunaga, K. Matsuzawa, D. Matsushita, and K. Muraoka, IEEE Trans. Electron Device 52, 955 (2005).
45. D. Ielmini, A. S. Spinelli, M. A. Rigamonti, and A. L. Lacaita, IEEE Trans. Electron Device 47, 1258 (2000).
46. D. Ielmini, A. S. Spinelli, M. A. Rigamonti, and A. L. Lacaita, IEEE Trans. Electron Device 47, 1266 (2000).
47. D. Ielmini, A. S. Spinelli, A. L. Lacaita, and M. J. van Duuren, IEEE Trans. Electron Device 51, 1288 (2004).
48. D. Ielmini, A. S. Spinelli, A. L. Lacaita, and M. J. van Duuren, IEEE Trans. Electron Device 51, 1281 (2004).
49. D. Ielmini, A. S. Spinelli, A. L. Lacaita, and A. Visconti, IEEE Trans. Electron Device 49, 1723 (2002).
50. R. Bez, Microelectron. Eng. 80, 249 (2005).
51. C. Monzio Compagnoni, D. Ielmini, A. S. Spinelli, A. L. Lacaita, C. Previtali, and C. Gerardi, in Proceedings of the IRPS 506 (2003).
52. C. Monzio Compagnoni, D. Ielmini, A. S. Spinelli, A. L. Lacaita, and C. Gerardi, Solid-State Electron. 48, 1497 (2004).
53. P. Cappelletti, R. Bez, D. Cantarelli, D. Nahmad, and L. Ravazzi, Microelectron. Reliab. 37, 473 (1997).
54. C. Monzio Compagnoni, D. Ielmini, A. Spinelli, and A. Lacaita, Microelectron. Eng. 83, 319 (2006).
55. Y. Yang, A. Purwar, and M. White, Solid-State Electron. 43, 2025 (1999).
56. M. Sadd, J. Yater, J. Bu, C. Hong, W. Paulson, C. Swift, R. Singh, L. Parker, and M. Khazhinsky, in Proceedings of the Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop (2003).
57. E. Lusky, Y. Shacham-Diamand, A. Shappir, I. Bloom, G. Cohen, and B. Eitan, in Proceedings of the IRPS 527 (2004).
58. C. Monzio Compagnoni, D. Ielmini, A. S. Spinelli, A. L. Lacaita, C. Gerardi, L. Perniola, B. De Salvo, and S. Lombardo, IEDM Tech. Dig. 549 (2003).
59. G. Molas, B. De Salvo, G. Ghibaudo, D. Mariolle, A. Toffoli, N. Buffet, R. Puglisi, S. Lombardo, and S. Deleonibus, IEEE Trans. Nanotechnol. 3, 42 (2004).
60. J. Brault, M. Saitoh, and T. Hiramoto, IEEE Trans. Nanotechnol. 4, 349 (2005).
61. G. Fiori, G. Iannaccone, G. Molas, and B. De Salvo, Appl. Phys. Lett. 86, 113502 (2005).
62. G. Fiori, G. Iannaccone, G. Molas, and B. De Salvo, IEEE Trans. Nanotechnol. 4, 326 (2005).
63. R. Gusmeroli, A. S. Spinelli, C. Monzio Compagnoni, D. Ielmini, and A. L. Lacaita, Microelectron. Eng. 80, 186 (2005).
64. D. Ielmini, C. Monzio Compagnoni, A. S. Spinelli, A. L. Lacaita, and C. Gerardi, in Proceedings of the IRPS, 515 (2004).
65. R. Gusmeroli, A. Spinelli, C. Monzio Compagnoni, D. Ielmini, F. Morelli, and A. L. Lacaita, IEDM Tech. Dig. 1061 (2005).
66. L. Perniola, B. De Salvo, G. Ghibaudo, A. Foglio Para, G. Pananakakis, V. Vidal, T. Baron, and S. Lombardo, IEEE Trans. Nanotechnol. 2, 277 (2003).
67. K. W. Guarini, C. T. Black, Y. Zhang, I. V. Babich, E. M. Sikorski, and L. M. Gignac, IEDM Tech. Dig. 541 (2003).
68. H. Silva, M. Kim, A. Kumar, U. Avci, and S. Tiwari, IEDM Tech. Dig. 271 (2003).
69. S. Banerjee, S. Huang, and S. Oda, IEEE Trans. Nanotechnol. 2, 88 (2003).
70. G. Molas, B. De Salvo, D. Mariolle, G. Ghibaudo, A. Toffoli, N. Buffet, and S. Deleonibus, Solid-State Electron. 47, 1645 (2003).
71. G. Molas, D. Deleruyelle, B. De Salvo, G. Ghibaudo, M. Gely, S. Jacob, D. Lafond, and S. Deleonibus, IEDM Tech. Dig. 877 (2004).
72. G. Molas, X. Jehl, M. Sanquer, B. De Salvo, D. Lafond, and S. Deleonibus, IEEE Trans. Nanotechnol. 4, 374 (2005).
73. K. Likharev, Proc. IEEE 606 (1999).