Comprehensive characterization of In0.45Al0.55As/ In0.5Ga0.5As/InxAl1-xAs metamorphic high-electron-mobility transistors on GaAs substrates

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 153, Issue 12, 2006, Pages

  Lin, Yu Shyan ^a   Chen, Bo Yuan ^a  

^a NATIONAL DONG HWA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT DENSITY; MICROWAVE CIRCUITS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; OSCILLATIONS; PARAMETER ESTIMATION; SCATTERING PARAMETERS; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; THRESHOLD VOLTAGE; TRANSCONDUCTANCE;

ELEVATED TEMPERATURES; FREQUENCY OSCILLATION; METAMORPHIC BUFFER; SATURATION DRAIN;

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS;

EID: 33750837440     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2352047     Document Type: Article

References (35)

1. J. G. van Hassel, C. M. van Es, P. A. M Nouwens, J. H. Maahury, and L. M. F. Kaufmann, J. Electrochem. Soc., 142, 2849 (1995).
2. F. A. Khan, V. Kumar, and I. Adesida, Electrochem. Solid-State Lett., 5, G8 (2002).
3. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, V. N. Danilin, T. A. Zhukova, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, J. Electrochem. Soc., 151, G497 (2004).
4. N. Moser, R. C. Fitch, A. Crespo, J. K. Gillespie, G. H. Jessen, G. D. Via, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, J. Electrochem. Soc., 151, G915 (2004).
5. N. Hayafuji, Y. Yamamoto, T. Ishida, and K. Sato, J. Electrochem. Soc., 145, 2951 (1998).
6. J. S. Su, W. C. Hsu, W. Lin, and S. Y. Jain, IEEE Electron Device Lett., 19, 195 (1998).
7. N. Hara, K. Makiyama, T. Takahashi, K. Sawada, T. Arai, T. Ohki, M. Nihei, T. Suzuki, Y. Nakasha, and M. Nishi, IEEE Trans. Semicond. Manuf., 16, 370 (2003).
8. P. H. Lai, S. I. Fu, Y. Y. Tsai, C. W. Hung, C. H. Yen, H. M. Chung, and W. C. Liu, J. Electrochem. Soc., 153, G632 (2006).
9. D. Geiger, E. Mittermeier, J. Dickmann, C. Geng, R. Winterhof, F. Scholz, and E. Kohn, IEEE Electron Device Lett., 16, 259 (1995).
10. W. S. Lour, W. L. Chang, Y. M. Shih, and W. C. Liu, IEEE Electron Device Lett., 20, 304 (1999).
11. H. C. Chiu, C. S. Cheng, and Y. J. Shih, Electrochem. Solid-State Lett., 9, G59 (2006).
12. Y. S. Lin and Y. L. Hsieh, J. Electrochem. Soc., 153, G498 (2006).
13. M. Kawano, T. Kuzuhara, H. Kawasaki, F. Sasaki, and H. Tokuda, IEEE Microw. Guid. Wave Lett., 7, 6 (1997).
14. H. Happy, S. Bollaert, H. Foure, and A. Cappy, IEEE Trans. Electron Devices, 45, 2089 (1998).
15. S. J. Yu, W. C. Hsu, Y. J. Chen, and C. L. Wu, Solid-State Electron., 50, 291 (2006).
16. L. J. Cui, Y. P. Zeng, B. Q. Wang, J. Wu, Z. P. Zhu, and L. Y. Lin, J. Appl. Phys., 91, 2429 (2002).
17. M. Behet, K. van der Zanden, G. Borghs, and A. Behres, Appl. Phys. Lett., 73, 2760 (1998).
18. Y. Cordier and D. Ferŕ, J. Cryst. Growth, 201/202, 263 (1999).
19. M. T. Bulsara, C. Leitz, and E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett., 72, 1608 (1998).
20. K. Yuan, K. Radhakrishnan, H. Q. Zheng, Q. D. Zhuang, and G. I. Ing, Thin Solid Films, 391, 36 (2001).
21. M. Haupt, K. Köhler, P. Ganser, S. Emminger, S. Müller, and W. Rothemund, Appl. Phys. Lett., 69, 412 (1996).
22. E. F. Schubert, A. Fischer, and K. Ploog, IEEE Trans. Electron Devices, 33, 625 (1986).
23. S. D. Kim, J. H. Oh, H. J. Han, B. O. Lim, J. K. Rhee, and W. S. Sul, Electrochem. Solid-State Lett., 7, G290 (2004).
24. C. H. Ho, K. W. Huang, Y. S. Lin, and D. Y. Lin, Opt. Express, 13, 3951 (2005).
25. Y. S. Lin and J. H. Huang, J. Electrochem. Soc., 152, G627 (2005).
26. S. R. Bahl and J. A. del Alamo, IEEE Trans. Electron Devices, 40, 1558 (1993).
27. W. C. Liu, K. H. Yu, R. C. Liu, K. W. Lin, C. C. Cheng, K. P. Lin, C. H. Yen, and C. Z. Wu, Appl. Phys. Lett., 79, 967 (2001).
28. P. H. Lai, S. I. Fu, Y. Y. Tsai, C. H. Yen, S. Y. Cheng, and W. C. Liu, Appl. Phys. Lett., 87, 083502 (2005).
29. W. C. Liu, W. L. Chang, W. S. Lour, K. H. Yu, K. W. Lin, C. C. Cheng, and S. Y. Cheng, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 1290 (2001).
30. K. H. Yu, H. M. Chuang, K. W. Lin, S. Y. Cheng, C. C. Cheng, J. Y. Chen, and W. C. Liu, IEEE Trans. Electron Devices, 49, 1687 (2002).
31. Y. S. Lin and Y. L. Hsieh, J. Electrochem. Soc., 152, G778 (2005).
32. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett., 82, 3110 (2003).
33. W. C. Hsu, D. H. Huang, Y. S. Lin, Y. J. Chen, J. C. Huang, and C. L. Wu, IEEE Trans. Electron Devices, 53, 406 (2006).
34. W. L. Chang, H. J. Pan, W. C. Wnag, K. B. Thei, S. Y. Cheng, W. S. Lour, and W. C. Liu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 38, L1385 (1999).
35. P. H. Lai, C. W. Chen, C. I. Kao, S. I. Fu, Y. Y. Tsai, C. W. Hung, C. H. Yen, H. M. Chuang, S. Y. Cheng, and W. C. Liu, IEEE Trans. Electron Devices, 53, 1 (2006).