Effect of temperature on novel InAlGaP/GaAs/InGaAs camel-gate pseudomorphic high-electron-mobility transistors

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 153, Issue 5, 2006, Pages

  Lin, Yu Shyan ^a   Hsieh, Yu Lung ^a  

^a NATIONAL DONG HWA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC BREAKDOWN; GATES (TRANSISTOR); HETEROJUNCTIONS; LEAKAGE CURRENTS; MICROWAVES; SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE; TRANSCONDUCTANCE;

CAMEL-GATE HETEROSTRUCTURE; GAAS; INGAAS; NIAU GATE METAL;

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS;

EID: 33645691872     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2185285     Document Type: Article

References (25)

1. W. L. Chang, H. J. Pan, W. C. Wnag, K. B. Thei, S. Y. Cheng, W. S. Lour, and W. C. Liu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 38, L1385 (1999).
2. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett., 80, 2186 (2002).
3. K. H. Yu, K. W. Lin, C. C. Cheng, K. P. Lin, C. H. Yen, C. Z. Wu, and W. C. Liu, Electron. Lett., 36, 1886 (2000).
4. Y. S. Lin and Y. L. Hsieh, J. Electrochem. Soc., 152, G778 (2005).
5. J. M. Shannon, Appl. Phys. Lett., 35, 63 (1979).
6. R. E. Thorne, S. L. Su, W. Kopp, R. Fischer, T. J. Drummond, and H. Morko̧, J. Appl. Phys., 53, 5951 (1982).
7. Y. S. Lin, W. C. Hsu, C. Y. Yeh, and H. M. Shieh, Appl. Phys. Lett., 76, 3124 (2000).
8. Y. S. Lin and J. H. Huang, J. Electrochem. Soc., 152, G627 (2005).
9. Y. S. Lin, W. C. Hsu, and C. S. Yang, Appl. Phys. Lett., 75, 3551 (1999).
10. Y. S. Lin, W. C. Hsu, C. H. Wu, W. Lin, and R. T. Hsu, Appl. Phys. Lett., 75, 1616 (1999).
11. H. Morko̧, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 21, L233 (1982).
12. W. S. Lour, J. H. Tsai, L. W. Laih, and W. C. Liu, IEEE Trans. Electron Devices, 43, 871 (1996).
13. W. S. Lour, W. L. Chang, S. T. Young, and W. C. Liu, Electron. Lett., 34, 814 (1998).
14. J. H. Tsai, IEEE Electron Device Lett., 24, 1 (2003).
15. M. O. Watanabe and Y. Ohba, Appl. Phys. Lett., 50, 906 (1987).
16. S. P. Najda, A. H. Kean, M. D. Dawson, and G. Duggan, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 77, 3412 (1995).
17. E. F. Schubert, A. Fischer, and K. Ploog, IEEE Trans. Electron Devices, 33, 625 (1986).
18. T. Y. Kuo, J. E. Cunningham, E. F. Schubert, W. T. Tsang, T. H. Chiu, F. Ren, and C. G. Fonstad, J. Appl. Phys., 64, 3324 (1988).
19. N. Moll, M. R. Hueschen, and A. Fischer-Colbrie, IEEE Trans. Electron Devices, 35, 879 (1988).
20. C. L. Wu, W. C. Hsu, H. M. Shieh, and M. S. Tsai, IEEE Electron Device Lett., 15, 330 (1994).
21. Y. W. Chen, W. C. Hsu, H. M. Shieh, Y. J. Chen, Y. S. Lin, Y. J. Li, and T. B. Wang, IEEE Trans. Electron Devices, 49, 221 (2002).
22. J. H. van der Merwe, J. Appl. Phys., 34, 123 (1963).
23. Y. Sugita and M. Tamura, J. Appl. Phys., 40, 3089 (1969).
24. Y. J. Li, W. C. Hsu, Y. W. Chen, and H. M. Shieh, J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 981 (2003).
25. C. H. Chen, M. Shur, and A. Peczalski, IEEE Trans. Electron Devices, 33, 792 (1986).